「メモをする」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

垂直電荷トラップメモリセルを有する半導体メモリおよび製造方法例文帳に追加

SEMICONDUCTOR MEMORY HAVING VERTICAL POTENTIAL TRAP MEMORY CELL AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

複数のメモリーブロックに分割されたメモリーに、データパケットを効率よく記憶する。例文帳に追加

To efficiently store a data packet in a memory divided into a plurality of memory blocks. - 特許庁

本体メモリセルアレイ１０１はＲＯＭメモリセルアレイ１０４より大きい容量を有する。例文帳に追加

The main body memory cell array 101 has a capacity larger than that of the ROM memory array 104. - 特許庁

ツイスト型ビット線アーキテクチャを有するダイナミックランダムアクセスメモリ用冗長メモリセル例文帳に追加

REDUNDANT MEMORY CELL FOR DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY HAVING TWIST TYPE BIT LINE ARCHITECTURE - 特許庁

また前記相変化型不揮発性メモリ素子とトランジスターを接続してメモリーアレー化する。例文帳に追加

The memory cells are connected to transistors to form a memory array. - 特許庁

ツインＭＯＮＯＳセルは、２つの窒化膜メモリセル要素の中にメモリを蓄積する。例文帳に追加

The twin MONOS cell stores memory in two nitride memory cell elements. - 特許庁

集積回路と、メモリアレイを有するデバイス及びメモリアレイのプログラム方法例文帳に追加

INTEGRATED CIRCUIT, DEVICE HAVING MEMORY ARRAY AND PROGRAMMING METHOD FOR MEMORY ARRAY - 特許庁

強誘電体メモリ装置１０００は、メモリセルアレイ２００と周辺回路部１００とを有する。例文帳に追加

The ferroelectric memory device 1000 has a memory cell array 200 and a peripheral circuit section 100. - 特許庁

不揮発性メモリ装置におけるプログラム方法及びこのプログラムを適用する不揮発性メモリ装置例文帳に追加

METHOD OF PROGRAMMING IN NONVOLATILE MEMORY DEVICE, AND NONVOLATILE MEMORY DEVICE APPLYING THIS PROGRAM - 特許庁

３−トランジスタメモリセルを有する不揮発性メモリ素子及びその製造方法例文帳に追加

NONVOLATILE MEMORY ELEMENT HAVING 3-TRANSISTOR MEMORY CELL, AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

データ反転を有するメモリシステム及びメモリシステムにおけるデータ反転方法例文帳に追加

MEMORY SYSTEM HAVING DATA INVERSION, AND DATA INVERSION METHOD FOR MEMORY SYSTEM - 特許庁

隣接メモリセル間でセルプレートを共有する強誘電体メモリ素子及びその駆動方法例文帳に追加

FERROELECTRIC MEMORY ELEMENT SHARING CELL PLATE BETWEEN ADJACENT MEMORY CELLS, AND ITS DRIVING METHOD - 特許庁

半導体メモリ装置及びこれを具備するメモリシステム、並びにそのスイング幅制御方法例文帳に追加

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, MEMORY SYSTEM HAVING THE SAME, AND SWING WIDTH CONTROL METHOD THEREOF - 特許庁

メモリ割り当て情報記憶部１３は、選択結果をメモリ割り当て情報として記憶する。例文帳に追加

A memory allocation information storage part 13 memorizes the selection result as memory allocation information. - 特許庁

複数の相互接続メモリ・ノードを有するデータ記憶システム内の使用のためのメモリ・ノード例文帳に追加

MEMORY NODE FOR USE WITHIN DATA STORAGE SYSTEM HAVING A PLURALITY OF INTERCONNECTED MEMORY NODES - 特許庁

レジスタ(301)、伝達回路(303)及びマッチ回路(302)を有する連想メモリのメモリセルが提供される。例文帳に追加

A memory cell of an associative memory having a register (301), a transmission circuit (303), and a match circuit (302) is provided. - 特許庁

個別的なメモリ要素は磁気ランダムアクセスメモリ要素を包含することが可能である。例文帳に追加

The individual memory elements may comprise magnetic random access memory elements. - 特許庁

内蔵メモリのための自己復旧回路を具備する集積回路半導体装置及びメモリ復旧方法例文帳に追加

INTEGRATED CIRCUIT SEMICONDUCTOR DEVICE PROVIDED WITH SELF-RESTORATION CIRCUIT FOR BUILT IN MEMORY, AND MEMORY RESTORING METHOD - 特許庁

強誘電体メモリ装置は、単純マトリクス型のメモリセルアレイを有する。例文帳に追加

The ferroelectric memory device comprises a simple matrix type memory cell array. - 特許庁

メモリ手段は、所定個数のメモリ値によって構成される擬似雑音波形を記憶する。例文帳に追加

A memory means stores a false noise waveform constituted of a predetermined number of memory values. - 特許庁

書き込み速度の速い半導体メモリコントローラ２、および半導体メモリシステム１を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor memory controller 2 and a semiconductor memory system 1 having an improved write speed. - 特許庁

メモリＭ０の画像８０ａをメモリＭ１にコピーして画像８１ａとする。例文帳に追加

An image 80a stored in a memory M0 is copied to a memory M1 to obtain an image 81a. - 特許庁

メモリカードが安定してスライダーに保持されるようにしたメモリカード用ソケットを提供すること。例文帳に追加

To provide a socket for memory card capable of holding the memory card stably on a slider. - 特許庁

メモリブロックを有するデジタルシステムおよびメモリのブロックのエミュレーティング方法例文帳に追加

DIGITAL SYSTEM HAVING MEMORY BLOCK AND EMULATING METHOD OF BLOCK OF MEMORY - 特許庁

負電圧発生器、負電圧を利用するデコーダー、不揮発性メモリ装置及びメモリシステム例文帳に追加

NEGATIVE VOLTAGE GENERATOR, DECODER USING NEGATIVE VOLTAGE, NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND MEMORY SYSTEM - 特許庁

キャッシュメモリ１は、第１ステージで、タグメモリ１１からのタグアドレスの読み出しを実行する。例文帳に追加

This cache memory 1 reads a tag address from a tag memory 11 in a first stage. - 特許庁

列方向に並ぶメモリセル１６１ａ，メモリセル１６１ｂをワード線ＷＬ１で活性化する。例文帳に追加

The memory cell 161a and the memory cell 161b arranged in the direction of column are activated by a word line WL1. - 特許庁

デバッグ装置、そのメモリアクセス方法およびメモリアクセス方法を実現するプログラム例文帳に追加

DEBUGGING APPARATUS, ITS MEMORY ACCESS METHOD AND PROGRAM FOR REALIZING MEMORY ACCESS METHOD - 特許庁

メモリセルアレイは、強誘電体キャパシタを有する複数のメモリセルが配列されている。例文帳に追加

In a memory cell array, a plurality of memory cells having ferroelectric capacitors are arranged. - 特許庁

メモリースティックインターフェース６６は、メモリースティック１０の装着を検出する。例文帳に追加

A memory stick interface 66 detects the mounting of a memory stick 10. - 特許庁

そして、メモリ管理部１２は、受け取ったアドレスとサイズをメモリ電源管理部１３に通知する。例文帳に追加

The part 12 notifies a memory power supply managing part 13 of the received address and size. - 特許庁

算出されたドライブメモ登録地点に対応付けて、発話内容をドライブメモとして記録する。例文帳に追加

By matching the calculated drive memo registered points, dialogue contents are recorded as drive memo. - 特許庁

ヒータ素子（２）及びカルコゲニック材料のメモリ領域（３）を有する相変化メモリデバイス（１０）。例文帳に追加

A phase change memory device 10 includes a heater element (2) and a memory region (3) of a chalcogenic material. - 特許庁

メモリシステムの制御方法は、未使用記憶領域のアドレスをメモリシステムへ通知する。例文帳に追加

In the control method of the memory system, notification of the address of the unused memory area is delivered to the memory system. - 特許庁

不揮発性メモリを備える半導体装置及び不揮発性メモリに対するアクセス制御方法例文帳に追加

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH NONVOLATILE MEMORY AND ACCESS CONTROL METHOD TO NONVOLATILE MEMORY - 特許庁

メモリカード３０を画像表示装置２０のテレビ２１のメモリカード挿入口に挿入する。例文帳に追加

The memory card 30 is inserted into a memory card slot of a TV 21 in an image display unit 20. - 特許庁

情報処理機器のメモリが二つの主プログラムを、それぞれ別々のメモリ領域に記憶する。例文帳に追加

Two main programs are severally stored in separate memory areas of a memory in the information processing apparatus. - 特許庁

周辺スペースの狭いメモリカードスロットからメモリカードを容易に取り出せるようにする。例文帳に追加

To easily take out a memory card from a memory card slot whose peripheral space is narrow. - 特許庁

フラッシュアドレスがキャッシュメモリにヒットした場合にキャッシュメモリを無効化する。例文帳に追加

The cache memory is invalidated when a flash address hits the cache memory. - 特許庁

デュアルポートメモリセルのアレイを動作する方法および集積回路メモリ例文帳に追加

METHOD FOR OPERATING ARRAY OF DUAL-PORT MEMORY CELL AND INTEGRATED CIRCUIT MEMORY - 特許庁

相変化メモリのＦＥＯＬプロセスフローにおいて回路及びメモリアレイの相対的高さを制御する。例文帳に追加

To control circuitry and memory array relative height in a phase change memory FEOL process flow. - 特許庁

電気的書き換え可能な不揮発性メモリセルが配列されたメモリセルアレイ１を有する。例文帳に追加

This device has a memory cell array 1 in which non-volatile memory cells being electrically rewritable. - 特許庁

異なるプレートラインに連結された行のメモリセルを有する強誘電体メモリ装置例文帳に追加

FERROELECTRIC MEMORY DEVICE HAVING MEMORY CELL WHOSE ROWS ARE CONNECTED TO DIFFERENT PLATE LINES - 特許庁

このメモリオブジェクトは、メモリのアドレス数と同数の要素を具備する。例文帳に追加

The memory object is provided with elements whose number is the same as the number of the addresses of the memory. - 特許庁

メモリカード１３は、データとアドレス変換テーブルを不揮発性メモリ３０に保持する。例文帳に追加

The memory card 13 retains data and an address conversion table in a nonvolatile memory 30. - 特許庁