「反強磁」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

改良された反強磁性結合膜を有する磁気装置例文帳に追加

MAGNETIC DEVICE HAVING IMPROVED ANTIFERROMAGNETIC COUPLING FILM - 特許庁

磁気記録ディスクにおいて、２層の強磁性層間における反強磁性交換結合を強くする反強磁性結合（ＡＦＣ）材料が望まれている。例文帳に追加

To provide an antiferromagnetically coupling (AFC) material strengthening antiferromagnetic exchange coupling between two ferromagnetic layers, in a magnetic recording disk. - 特許庁

スペーサ層は周囲の強磁性層間に反強磁性結合を誘導する。例文帳に追加

The spacer layer introduces antiferromagnetic coupling between ferromagnetic layers around. - 特許庁

スペーサ層は周囲の強磁性層間に反強磁性結合を誘導する。例文帳に追加

The spacer layers induce anti-ferromagnetic coupling between the surrounding ferromagnetic layers. - 特許庁

反強磁性膜１ａは第２強磁性膜１ｂ上に設けられている。例文帳に追加

An antiferromagnetic film 1a is formed on the second ferromagnetic film 1b. - 特許庁

磁性導電層の磁化は反強磁性導電層６によって固定する。例文帳に追加

Magnetization of the magnetic conductive layer 5 is fixed by an antiferromagnetic conductive layer 6. - 特許庁

反強磁性体膜とそれを用いた磁気抵抗効果素子および磁気装置例文帳に追加

ANTIFERROMAGNETIC MATERIAL FILM, MAGNETORESISTIANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC DEVICE USING THE SAME - 特許庁

第一の強磁性安定層の磁化と磁化自由層は非磁性結合層２１を介して、反強磁性的あるいは強磁性的に結合している。例文帳に追加

The magnetization of the first ferromagnetic stable layer and the magnetic free layer are coupled in an antiferromagnetic or a ferromagnetic alignment through the non-magnetic coupling layer 21. - 特許庁

磁区制御層５は、第一の反強磁性体層５１あるいは強磁性体層５２と第一の反強磁性体層５１との積層構造を有する。例文帳に追加

The magnetic domain controlling layer 5 consists of a first antiferromagnetic layer 51 or a laminated structure of a ferromagnetic layer 52 and the first antiferromagnetic layer 51. - 特許庁

強磁性体膜２７と反強磁性体膜２６と強磁性体膜２５とはコンタクト３ａの径方向に積層されており、かつ反強磁性体膜２６は強磁性体膜２７と強磁性体膜２５との間に配置されている。例文帳に追加

The ferromagnetic film 27, the diamagnetic body film 26, and the ferromagnetic body film 25 are laminated in the radius direction of the contact 3a and the diamgnatic body film 26 is arranged between the ferromagnetic body film 27 and the ferromagnetic body film 25. - 特許庁

また、第１の反強磁性層と第２の反強磁性層を設ける段階を含む。例文帳に追加

The method also includes a step for forming a first and a second anti-ferromagnetic layers. - 特許庁

反強磁性層１９０は、Ｍｎ合金あるいは絶縁性反強磁性材料で形成される。例文帳に追加

The antiferromagnetic layer 190 is formed by an Mn alloy or an insulating antiferromagnetic material. - 特許庁

ULは、反強磁性結合層127を越えて下層構造121に反強磁性結合されている。例文帳に追加

The UL is antiferromagnetically coupled to the lower layer structure 121 across an antiferromagnetically coupling layer 127. - 特許庁

第１の磁気結合が反強磁性結合であり、かつ第２の磁気結合が強磁性結合である場合、又は、第１の磁気結合が強磁性結合であり、かつ第２の磁気結合が反強磁性結合である場合のどちらかである。例文帳に追加

First magnetic coupling is antiferromagnetic coupling and second magnetic coupling is ferromagnetic coupling or first magnetic coupling is ferromagnetic coupling and second magnetic coupling is antiferromagnetic coupling. - 特許庁

磁性層２０は、非磁性層２２を強磁性層２１および強磁性層２３で挟んだ積層膜であり、人工反強磁性体として機能する。例文帳に追加

The magnetic layer 20 is a laminated film holding a non-magnetic layer 22 between a ferromagnetic layer 21 and a ferromagnetic layer 23 and functions as an artificial anti-ferromagnetic substance. - 特許庁

垂直磁化からなる２層の強磁性膜が、非強磁性スペーサ膜を介して反強磁性的に交換結合している磁性記録媒体。例文帳に追加

In the magnetic recording medium, two layers of ferromagnetic films each of which consists of perpendicular magnetization are brought into exchange coupling with each other in an anti-ferromagnetic manner through a non-ferromagnetic spacer film. - 特許庁

第１の強磁性膜２３の磁化は、第２の強磁性体膜２４の磁化と反強磁性的に結合している。例文帳に追加

The magnetization of the first ferromagnetic film 23 is antifereromagnetically bonded to the magnetization of the second ferromagnetic films 24. - 特許庁

この反強磁性体層により、第１強磁性体層の磁化が１つの方向に固定される。例文帳に追加

The antiferromagnetic layer fixes magnetization of the first ferromagnetic layer to a single direction. - 特許庁

反強磁性的に結合したＣｏＣｒＦｅ合金第１強磁性体薄膜を用いた磁気記録媒体例文帳に追加

MAGNETIC RECORDING MEDIUM USING ANTIFERROMAGNETICALLY COMBINED CoCrFe ALLOY FIRST FERROMAGNETIC MATERIAL THIN FILM - 特許庁

第１の反強磁性層４２０は、第１の強磁性バイアス層４１０の磁化４１６の方向を設定する。例文帳に追加

The layer 420 sets the direction of the magnetization 416 in the layer 410. - 特許庁

固定側強磁性層５３の磁化方向は反強磁性層５２の働きで固定される。例文帳に追加

The direction of magnetization of the stationary-side ferromagnetic layer 53 is fixed by the function of an antiferromagnetic layer 52. - 特許庁

固定強磁性層２０は、反強磁性層５に接合され、固定される固定自発磁化を有する。例文帳に追加

The fixed ferromagnetic layer 20 is bonded to the antiferromagnetic layer 5 and has fixed spontaneous magnetization. - 特許庁

強磁性領域及び反強磁性領域の境界が狭くかつ強磁性から反強磁性への変化あるいは反強磁性から強磁性への変化が急峻であり、高密度化及び磁気ビット間の磁気分離が可能であり、表面性の劣化を抑制することができるパターンド媒体を提供すること。例文帳に追加

To provide a patterned medium which has narrow boundaries between the ferromagnetic domains and the antiferromagnetic domains and a steep transition from the ferromagnetism to the antiferromagnetism and vice versa, can make high density recording and magnetic separation between magnetic bits and also reduce the surface property degradation. - 特許庁

磁気記録ディスクは、３つの下部強磁性層（ＬＬ１、ＬＬ２、ＬＬ３）と１つの上部強磁性層（ＵＬ）とを有し、４つの強磁性層が反強磁性結合層を横切って互いに反強磁性結合（ＡＦＣ）している。例文帳に追加

This magnetic recording disk has three lower ferromagnetic layers (LL1, LL2, LL3) and one upper ferromagnetic layer (UL), and the four ferromagnetic layers mutually constitute antiferromagnetically coupled (AFC) across corresponding antiferromagnetically coupling layer. - 特許庁

磁区制御膜５００ａ，５００ｂは、強磁性材料からなる磁区制御用強磁性膜５５ａ，５５ｂと、反強磁性材料からなる磁区制御用反強磁性膜５６ａ，５６ｂとを積層してなるものである。例文帳に追加

The magnetic domain control films 500a and 500b are formed by laminating ferromagnetic films 55a and 55b for magnetic domain control consisting of ferromagnetic materials and antiferromagnetic films 55a and 55b for magnetic domain control consisting of antiferromagnetic materials. - 特許庁

強磁性体はその保磁力を越える磁界が印加された際に急峻な磁化反転を生じる。例文帳に追加

In the ferromagnetic body, sharp reversal of magnetization takes place when a magnetic field exceeding its coercive force is impressed thereon. - 特許庁

反強磁性的層間結合磁性膜を用いた磁気記録媒体及び磁気記憶装置例文帳に追加

MAGNETIC RECORDING MEDIUM USING ANTIFERROMAGNETIC INTER-LAYER COUPLING MAGNETIC FILM, AND MAGNETIC STORAGE DEVICE - 特許庁

また、磁気抵抗効果素子は、強磁性層間にトンネルバリア層を挟み、一方の強磁性層の外側に反強磁性層を配置した強磁性トンネル接合素子において、反強磁性層側に位置する強磁性層（固定層）が少なくとも二層以上の強磁性体の多層膜より構成されることを特徴とする。例文帳に追加

As to a ferromagnetic tunnel junction element provided with a tunnel barrier layer pinched between ferromagnetic layers, the ferromagnetic layer (stationary layer) located on an anti-ferromagnetic layer side is formed of, at least, a two or more-layered ferromagnetic film. - 特許庁

その後、第２の反強磁性層１９を積層した後、第２の磁場中アニールにおいて第２の反強磁性層の磁化方向を固定する。例文帳に追加

After that, the second antiferromagnetic layer 19 is stack, and the magnetization direction of the second antiferromagnetic layer is fixed in annealing in a second magnetic field. - 特許庁

多層の反強磁性層を有する交換結合膜および磁気抵抗効果素子例文帳に追加

EXCHANGE-COUPLING FILM HAVING MULTILAYER ANTIFERROMAGNETIC LAYER AND MAGNETO-RESISTANCE EFFECT DEVICE - 特許庁

改良された反強磁性結合膜を有する磁気記録ディスク例文帳に追加

MAGNETIC RECORDING DISK HAVING IMPROVED ANTIFERROMAGNETICALLY COUPLING FILM - 特許庁

反強磁性物質層と弱い交換結合を有する磁気装置例文帳に追加

MAGNETIC DEVICE WITH WEAKLY EXCHANGE COUPLED ANTIFERROMAGNETIC MATERIAL LAYER - 特許庁

磁気センサー１０は、複合反強磁性（ＳＡＦ）層を備える。例文帳に追加

A magnetic sensor 10 includes a synthetic anti ferromagnetic (SAF) layer. - 特許庁

スピンバルブ素子の反強磁性層と第１強磁性層の結合エネルギー及び、Ru反強磁性結合層を通した第１強磁性層と第２強磁性層の反強磁性的結合エネルギーを大きくし、スピンバルブ膜の抵抗変化率を大きくし、自由層の保磁力を小さくする。例文帳に追加

To increase a resistance changing rate of a spin valve film and to reduce a coercive force of a free layer by increasing a combination energy for an antiferromagnetic layer and a 1st ferromagnetic layer of a spin valve element and increasing an antiferromagnetic combination energy for the 1st ferromagnetic layer and a 2nd ferromagnetic layer through an Ru antiferromagnetic combination layer. - 特許庁

反強磁性ハーフメタリック半導体例文帳に追加

ANTI-FERROMAGNETIC HALF METALLIC SEMICONDUCTOR - 特許庁

反強磁性微小粒子およびその製造方法例文帳に追加

ANTIFERROMAGNETIC FINE PARTICLE AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

反強磁性層の改質方法及び交換結合素子例文帳に追加

REFORMING METHOD FOR ANTIFERROMAGNETIC LAYER AND EXCHANGE COUPLED ELEMENT - 特許庁

非磁性層１５を介して形成された強磁性層１４と強磁性層１６との間には反強磁性結合が形成されている。例文帳に追加

The antiferromagnetic coupling is formed between the ferromagnetic layer 14 and ferromagnetic layer 16 formed with the nonmagnetic layer 15 interposed. - 特許庁

自由磁性体膜３０は強磁性体膜２７と反強磁性体膜２６と強磁性体膜２５とを有している。例文帳に追加

The free magnetic body film 30 has a ferromagnetic body film 27, a diamagnetic body film 26, and a ferromagnetic body film 25. - 特許庁

ここで、第２の強磁性層１４と第３の強磁性層１２が非磁性スペーサ層１３を介して反強磁性的に結合している。例文帳に追加

In this case, the second ferromagnetic layer 14 is anti-ferromagnetically connected through the non-magnetic spacer layer 13 with a third ferromagnetic layer 12. - 特許庁

反強磁性相と強磁性相との交換結合を有する磁性材料において、交換結合をより強固にし、保磁力を向上させること。例文帳に追加

To strengthen exchange connection and to improve coercive force in a magnetic material having exchange connection of an antiferromagnetic phase and a ferromagnetic phase. - 特許庁

反強磁性層５と固定強磁性層２０とトンネル絶縁層９と自由強磁性層２１とを具備する磁気抵抗素子を用いる。例文帳に追加

The magnetoresistive element is provided with an antiferromagnetic layer 5, a fixed ferromagnetic layer 20, a tunnel insulating layer 9 and a free ferromagnetic layer 21. - 特許庁

磁気抵抗効果再生ヘッドおよび磁気トンネル接合装置に組み込まれる積層構造は、改良された反強磁性結合(ＡＦＣ)膜に対して反強磁性的に結合された２層の強磁性層の強磁性構造を有する。例文帳に追加

A layer structure incorporated in the magnetoresistance effect reproducing head and the magnetic tunnel junction device has a ferromagnetic structure of two ferromagnetic layers which are antiferromagnetically coupled against an improved antiferromagnetic coupled (AFC) film. - 特許庁

固着層（９Ａ）は、反強磁性層（８）と交換結合してその磁化方向が固定される第１の強磁性層（９ａ）と、非磁性層（１０）を介して第１の強磁性層と反平行結合する第２の強磁性層（９ｂ）を含む。例文帳に追加

The fixed layer (9A) includes a first antiferromagnetic layer (9a) that performs switched connection with the antiferromagnetic layer (8) to fix the magnetization direction, and a second ferromagnetic layer (9b) that is connected in antiparallel with the first ferromagnetic layer through a non-ferromagnetic layer (10). - 特許庁

反強磁性マトリックス中に強磁性粒子を分散させる、又は所定の基板上に反強磁性層及び島状の強磁性粒子をこの順に形成する、さらには所定の基板上に島状の強磁性粒子及び反強磁性層をこの順に形成するなどにより、反強磁性体と強磁性粒子とが直接接触してなる磁気記録媒体を製造する。例文帳に追加

This magnetic recording medium is manufactured, so that antiferromagnetic bodies and ferromagnetic particles are brought into direct contact with one another, by dispersing ferromagnetic particles in an antiferromagnetic matrix, by forming an antiferromagnetic layer and an island- shaped ferromagnetic particle layer in this order on a prescribed substrate, by forming an island-shaped ferromagnetic particle layer and an antiferromagnetic layer in this order on a prescribed substrate or by other methods. - 特許庁