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障壁を含む例文一覧と使い方

該当件数 : 2394



例文

ディスプレイは、バックライトと変調器との間に後方視差障壁を含む。例文帳に追加

The display includes a rear parallax barrier between backlight and the modulator. - 特許庁

電子障壁層16は、第3の窒化ガリウム系半導体からなる。例文帳に追加

The electron barrier layer 16 is made from a third gallium nitride-based semiconductor. - 特許庁

低いショットキー障壁貫通トランジスタ及びその製造方法例文帳に追加

LOW SCHOTTKY BARRIER PENETRATING TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

ショットキー障壁貫通単電子トランジスタ及びその製造方法例文帳に追加

SCHOTTKY BARRIER PENETRATION SINGLE ELECTRONIC TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

例文

イリジウム導電電極/障壁構造およびその形成方法例文帳に追加

IRIDIUM CONDUCTIVE ELECTRODE/BARRIER STRUCTURE AND FORMATION THEREOF - 特許庁


例文

強誘電体キャパシタ水素障壁及びその製造方法例文帳に追加

FERROELECTRIC CAPACITOR HYDROGEN BARRIER AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME - 特許庁

障壁層の構成原子として少なくともアルミニウム(Al)が含まれる。例文帳に追加

At least aluminum (Al) is included as a constitution atom of the barrier layer. - 特許庁

エネルギー障壁を有するヘテロ接合トランジスタおよび関連する方法例文帳に追加

HETEROJUNCTION TRANSISTOR HAVING ENERGY BARRIER AND METHOD RELATED THERETO - 特許庁

ショットキー障壁トンネルトランジスタ及びその製造方法例文帳に追加

SCHOTTKY BARRIER TUNNEL TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME - 特許庁

例文

また、各障壁層(33)(34)はGa_x(AlIn)_1-xP(x=0)を含む。例文帳に追加

Further, each of the barrier layers (33) and (34) includes Ga_x(AlIn)_1-xP(x=0). - 特許庁

例文

障壁金属スペーサを備える半導体素子及びその製造方法例文帳に追加

SEMICONDUCTOR ELEMENT PROVIDED WITH BARRIER METAL SPACER AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

拡散障壁層を含む半導体デバイスを提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which includes a diffused barrier layer. - 特許庁

ノンシリコン技術および方法に用いる窒化チタン拡散障壁例文帳に追加

TITANIUM NITRIDE DIFFUSION BARRIER USED IN NON-SILICON TECHNOLOGY AND METHOD - 特許庁

任意に、RRAMスタック120とダイオード118との間には障壁層119が形成される。例文帳に追加

A barrier layer 119 is arbitrarily formed between the RRAM stack 120 and the diode 118. - 特許庁

ショットキ障壁を有する半導体素子及びその製造方法例文帳に追加

SEMICONDUCTOR ELEMENT HAVING SCHOTTKY BARRIER AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

永久磁石(14a,14b)は磁気障壁(19)と離れて配置される。例文帳に追加

Permanent magnets (14a and 14b) are arranged away from a magnetic barrier (19). - 特許庁

III−V族半導体構造に対する拡散障壁スパイク例文帳に追加

DIFFUSION BARRIER SPIKES FOR III-V SEMICONDUCTOR STRUCTURE - 特許庁

n型ショットキー障壁貫通トランジスタ素子及びその製造方法例文帳に追加

N-TYPE SCHOTTKY BARRIER TUNNEL TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING THE SAME - 特許庁

障壁層を非晶質のリン化硼素(BP)系半導体層から構成する。例文帳に追加

The barrier layer is formed from the amorphous boron phosphide (BP) semiconductor layer. - 特許庁

本発明のゴルフボールは良好な湿度障壁特性を示す。例文帳に追加

The above golf ball exhibits a good moisture barrier characteristic. - 特許庁

その表皮層は、臭気障壁層の両側に設けるのが好ましい。例文帳に追加

The skin layer is provided preferably at both sides of the odor barrier layer. - 特許庁

接合障壁ショットキー(JBS)一体構造が提供される。例文帳に追加

An integral structure of a junction barrier Schottky (JBS) is provided. - 特許庁

半導体と金属との接合時に自然に形成されるショットキートンネル障壁をトンネル障壁として用いたショットキー障壁トンネルトランジスタのゲート側壁の損傷によるリーク電流を最小化するショットキー障壁トンネルトランジスタ及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a schottky tunnel barrier transistor, capable of minimizing leakage current due to the damage of the gate sidewall of a Schottky tunnel barrier transistor that uses a Schottky tunnel barrier formed naturally in joining of a semiconductor and a metal, as a tunnel barrier. - 特許庁

多層熱障壁を利用する熱アシスト式磁気書込みヘッド・システム例文帳に追加

THERMALLY ASSISTED MAGNETIC WRITE HEAD SYSTEM UTILIZING MULTILAYER THERMAL BARRIER - 特許庁

半導体装置における拡散障壁層の形成方法、半導体装置例文帳に追加

METHOD FOR FORMING DIFFUSE BARRIER LAYER IN SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

前記発光部は、n側障壁層と第1発光層と、を含む。例文帳に追加

The light-emitting part includes an n-side barrier layer and a first light-emitting layer. - 特許庁

脂質障壁合成を強化するための局所組成物および方法例文帳に追加

TOPICAL COMPOSITION AND METHOD FOR ENHANCING LIPID BARRIER SYNTHESIS - 特許庁

金属、合金、または導電性の酸化物が、障壁層(4)に使用される。例文帳に追加

A metal, an alloy or a conductive oxide is used as a barrier layer. - 特許庁

拡散障壁層および白金族保護層によって保護された物品例文帳に追加

ARTICLE PROTECTED BY DIFFUSION BARRIER LAYER AND PLATINUM GROUP PROTECTIVE LAYER - 特許庁

Ni/Cu障壁層は、金バンプとハンダとの相互作用を妨げる。例文帳に追加

The Ni/Cu barrier layer obstructs interaction between the gold bump and a solder. - 特許庁

磁気障壁により形成された液体通路を有するマイクロリアクタ例文帳に追加

MICROREACTOR HAVING LIQUID PASSAGE FORMED OF MAGNETIC BARRIER - 特許庁

発光層上には多重量子井戸障壁層5が形成されている。例文帳に追加

A multi quantum well barrier layer 5 is formed on the light emitting layer. - 特許庁

(f)正孔の障壁ポテンシャルV_hは、0.1≦V_h≦0.5eVの範囲。例文帳に追加

(f) The barrier potential V_h of holes is in the range of 0.1≤V_h≤0.5 eV. - 特許庁

トンネル障壁の上に電界分布層を有する電荷捕獲装置例文帳に追加

CHARGE TRAPPING DEVICES WITH FIELD DISTRIBUTION LAYER OVER TUNNELING BARRIER - 特許庁

電子障壁層16は、ナノコラム領域12上に設けられている。例文帳に追加

An electron barrier layer 16 is provided on the nano column region 12. - 特許庁

発光部は交互に積層された障壁層と井戸層とを含む。例文帳に追加

The light-emitting portion includes barrier layers and well layers that are alternately stacked. - 特許庁

拡散障壁を有する複合材物品及び該物品を組み込んだ素子例文帳に追加

COMPOSITE MATERIAL ARTICLE HAVING DIFFUSION BARRIER AND ELEMENT INCORPORATING IT - 特許庁

エネルギー障壁を有するへテロ接合トランジスタおよび関連する方法例文帳に追加

HETEROJUNCTION TRANSISTOR HAVING ENERGY BARRIER, AND RELATED METHOD - 特許庁

第1及び第2金属層34、36は、その障壁の高さが異なるものである。例文帳に追加

The metal layers 34 and 36 are different from each other in barrier height. - 特許庁

障壁素子はその外側の電流の流れを減少させる形態を有する。例文帳に追加

The barrier element has a shape for reducing the flow of the outside current. - 特許庁

パチンコ機のガラス扉枠における不正防止用障壁例文帳に追加

BARRIER FOR PREVENTION OF UNFAIR ACT ON GLASS DOOR OF PACHINKO MACHINE - 特許庁

相互接続電極にもなりうる光検出器アレイ用金属光障壁例文帳に追加

METALLIC LIGHT BARRIER FOR PHOTODETECTOR ALSO SERVING AS INTERCONNECTION ELECTRODE - 特許庁

水銀障壁を有する水銀蒸気放電蛍光灯(10)が提供される。例文帳に追加

To provide a mercury vapor discharge fluorescent lamp with a mercury barrier. - 特許庁

クロック式障壁を備えたバーチャル・フェーズCCDイメージ・センサー例文帳に追加

CLOCKED BARRIER VIRTUAL PHASE CCD IMAGE SENSOR - 特許庁

続いて、冷却された障壁金属膜上に金属膜を形成する。例文帳に追加

Then, a metal film is formed on the cooled barrier metal film. - 特許庁

皮膚の障壁機能を向上させるための炭水化物の使用例文帳に追加

USE OF CARBOHYDRATE FOR ENHANCING SKIN BARRIER FUNCTION - 特許庁

第1ケース部材11は、障壁部11jを含め一体形成されている。例文帳に追加

The first case member 11 is integrally formed including the barrier part 11j. - 特許庁

障害のある障壁機能を有する皮膚の洗浄方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for cleansing skin having an impaired barrier function. - 特許庁

または、発光管1を縮径することにより障壁4を形成する。例文帳に追加

Alternatively, the arc tube 1 is contracted in diameter for forming the barrier 4. - 特許庁

例文

トンネル障壁層14は、非晶質SiO_2で構成される。例文帳に追加

The tunnel barrier layer 14 is formed out of amorphous SiO2. - 特許庁

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