「障壁」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

この物質はＩｎＧａＰ等の従来の障壁層物質よりもバンドギャップエネルギーが大きい。例文帳に追加

This substance has a band gap energy larger than those of conventional barrier layer substances, such as InGaP. - 特許庁

塩基性物質拡散障壁膜を使用する微細電子素子のデュアルダマシン配線の製造方法例文帳に追加

MANUFACTURE OF DUAL-DAMASCENE WIRING OF FINE ELECTRONIC ELEMENT USING BASIC MATERIAL DIFFUSION BARRIER FILM - 特許庁

障壁パターン27a，27bによって端子部24上に形成されるシール23の幅を一様に保つことができる。例文帳に追加

The width of the seal 23 formed on the terminal part 24 can be maintained uniform by the barrier patterns 27a and 27b. - 特許庁

障壁金属スペーサを備える半導体素子及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor element provided with a barrier metal spacer, and its manufacturing method. - 特許庁

その結果、電子障壁を越えてオーバーフローする電子を低減することができる。例文帳に追加

As a result, electrons that overflow the electronic barrier can be reduced. - 特許庁

ＺｎＯ系半導体活性層３は、井戸層と障壁層を備える量子井戸構造である。例文帳に追加

The ZnO-based semiconductor active layer 3 is a quantum well structure having a well layer and a barrier layer. - 特許庁

厚さの計測値を使用した適応型の電解研磨と障壁及び犠牲層の除去例文帳に追加

ADAPTIVE ELECTROLYTIC POLISHING USING MEASUREMENT VALUE OF THICKNESS AND REMOVAL OF BARRIER AND SACRIFICE LAYER - 特許庁

自己整合されたアルミニウム障壁（１２４）を有する銅相互接続を提供する。例文帳に追加

To provide a copper mutual connection having a self-aligned aluminum barrier (124). - 特許庁

第１の量子障壁領域１にデルタ型量子井戸３を設け、疑似共鳴準位を形成する。例文帳に追加

A delta quantum well 3 is provided in a first quantum barrier region 1 to form a pseudo resonance level. - 特許庁

非対称な複数のトンネル障壁を有する電荷トラップ浮遊ゲートメモリ素子を提供する。例文帳に追加

To provide a charge trap floating gate memory element comprising a plurality of asymmetric tunnel barriers. - 特許庁

ｎ型ショットキー障壁貫通トランジスタ素子及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an n-type schottky barrier tunnel transistor and a method of fabricating the same. - 特許庁

活性層１４と第１ｐ型クラッド層１７との間に電子障壁層１６を設ける。例文帳に追加

An electron barrier layer 16 is formed between an active layer 14 and a first p-type clad layer 17. - 特許庁

酸素障壁膜で覆われた相変化記憶素子を有する半導体素子を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device comprising a phase change memory element covered with an oxygen barrier film. - 特許庁

抵抗器２の内部に障壁板を設け、その下部に半月形状のオリフィスを形成する。例文帳に追加

A barrier plate is provided inside the resistor 2 and a crescentic orifice is formed in the lower part thereof. - 特許庁

障壁層(33)(34)は量子井戸層(32)よりも高いバンドギャップエネルギーを有する。例文帳に追加

The barrier layers (33) and (34) have a band gap energy higher than that of the quantum well layer (32). - 特許庁

ある実施例では、ＭＯＭコンデンサの第１の障壁層が窒化タンタルである。例文帳に追加

In an embodiment, the first barrier layer of the MOM capacitor is formed of tantalum nitride. - 特許庁

固定磁性層４と絶縁障壁層５との間にＰｔ層１０が形成されている。例文帳に追加

A Pt layer 10 is formed between a fixed magnetic layer 4 and the insulation barrier layer 5. - 特許庁

第２の構成要素は、ＩＴ技術革新拡散に対する知識障壁に指向されている。例文帳に追加

A second component directs a knowledge barrier to diffusion of IT technology innovations. - 特許庁

前記第１軟磁性層１３と絶縁障壁層５との間にはエンハンス層１２が形成されている。例文帳に追加

An enhancement layer 12 is formed between the first soft magnetic layer 13 and an insulation barrier layer 5. - 特許庁

銅を覆う障壁物質を形成するための半導体処理方法及び組成物例文帳に追加

SEMICONDUCTOR PROCESS AND COMPOSITION FOR FORMING BARRIER MATERIAL FOR COVERING COPPER - 特許庁

GaInNAs、或いはGaInAs井戸層と、上側障壁層との界面に、Ga(N)AsSbからなる中間層を導入する。例文帳に追加

An intermediate layer made of Ga(N)AsSb is introduced into an interface between a GaInNAs or GaInAs well layer and an upper barrier layer. - 特許庁

量子井戸薄膜５は、量子井戸層の両面を障壁層で挟んだ量子井戸構造を有する。例文帳に追加

The quantum well thin film 5 has a quantum well structure, in which the blocking layers sandwitches the quantum well layer. - 特許庁

障壁部材１０は、電磁波及び磁気を遮蔽又は減衰させる機能を備えている。例文帳に追加

The barrier member 10 is provided with a function for shielding or attenuating an electromagnetic wave and magnetism. - 特許庁

そのコレクタは、単一のポテンシャル障壁を形成する受動デバイスである。例文帳に追加

The collector is a passive device for forming a single potential barrier. - 特許庁

スパッタリング方法により障壁金属層を積層する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for laminating a barrier metal layer by a sputtering method. - 特許庁

良好な障壁性を有する長さ方向に延伸された多層フィルムが記述される。例文帳に追加

The longitudinally drawn and vacuum-vapor coated package film is a multilayer film having good barrier properties and oriented in a longitudinal direction. - 特許庁

アルミニド層２６と熱障壁層２２との間にＰｔＡｌ_2層２４がある。例文帳に追加

A PtAl_2 layer 24 is between the aluminide layer 26 and the thermal barrier layer 22. - 特許庁

ｎ側障壁層は、多層積層体とｐ形半導体層との間に設けられる。例文帳に追加

The n-side barrier layer is provided between the multilayered laminate and the p-type semiconductor layer. - 特許庁

障壁層４の各ステップの側面に沿って延びる量子細線５が形成されている。例文帳に追加

A quantum wire 5 is formed so as to be extended along the side face of each step of the barrier layer 4. - 特許庁

スピントランジスタは、電流変動率を増大するために単一のポテンシャル障壁構造を使用する。例文帳に追加

The spin transistor uses a single potential barrier structure to increase the current change rate. - 特許庁

特に、調整層には、障壁層よりもエッチングレートの大きいものを使用する。例文帳に追加

Especially, the control layer is formed of material whose etching rate is higher than that of the barrier layer. - 特許庁

障壁材およびメンブレン型液化天然ガスタンク用断熱性複合パネル例文帳に追加

BARRIER MATERIAL AND HEAT INSULATING COMPOSITE PANEL FOR MEMBRANE TYPE LIQUEFIED NATURAL GAS TANK - 特許庁

導電性ライン２０の部分の上にバイア拡散障壁３０が存在する。例文帳に追加

A via diffusion barrier 30 exists on a portion of a conductive line 20. - 特許庁

凹部の側壁面と底面とを連続的に覆う導電性拡散障壁膜４８を形成する。例文帳に追加

A conductive diffusion barrier film 48 coating the side wall face and the base of the recess part consecutively is formed. - 特許庁

一つの集積回路製造プロセスにおいて、多層炭化ケイ素スタックは、障壁層として使用される。例文帳に追加

In one manufacturing process of the integrated circuit, multi-layer silicon carbide stack is used as a barrier layer. - 特許庁

パッケージは、キャップの表面上に位置する障壁材料の層をさらに含むことができる。例文帳に追加

The package can also include a layer composed of barrier material which is positioned on a surface of the cap. - 特許庁

注入障壁５がコンタクト部４と活性領域２３の間に形成される。例文帳に追加

An injection barrier 5 is formed between the contact 4 and the active region 23. - 特許庁

また、表面負電極７を障壁層６とはショットキー接合されている。例文帳に追加

The surface negative electrode 7 and the barrier layer 6 are subjected to Schottky junction. - 特許庁

障壁層２及び量子井戸層３は、タイプＩＩ型の超格子を構成している。例文帳に追加

The barrier layers 2 and the quantum well layers 3 constitute a type II superlattice. - 特許庁

上記ショットキー障壁φＢｎ_２は、１．０６ｅＶ＜φＢｎ_２という関係を満足する。例文帳に追加

A Schottky barrier ϕBn_2 satisfies a relation of 1.06 eV<ϕBn_2. - 特許庁

また、上記窒化物半導体層２０は、障壁層２３ｂを有する活性層２３を含んでいる。例文帳に追加

Furthermore, the nitride semiconductor layer 20 includes an active layer 23 having a barrier layer 23b. - 特許庁

キャリア供給層１０５は、障壁層１０４上に選択的に再成長させて形成した層である。例文帳に追加

The carrier supply layer 105 is selectively regrown on the barrier layer 104. - 特許庁

光導波路層は、井戸層２８と障壁層３０を含む量子井戸活性層１６を有する。例文帳に追加

The optical waveguide layer has a quantum well active layer 16 including a well layer 28 and a barrier layer 30. - 特許庁

良好な破壊強度および酸化障壁性を有するマイクロカプセルの製造法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for preparing a microcapsule having good rupture strength and oxidative barrier properties. - 特許庁

ツール１０は、主に、アセンブリプロセス処理区域１１と、障壁構造の配給区域５００と、を含む。例文帳に追加

A tool 10 generally comprises: assemblies processing section 11; and barrier dispense section 500. - 特許庁