「障壁」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

船の支持構造に組み込まれる、断熱障壁を改良した防水性で断熱性のタンク例文帳に追加

WATERPROOF AND HEAT-INSULATED TANK INCORPORATED IN SHIP SUPPORTING STRUCTURE AND IMPROVED IN HEAT INSULATING BARRIER - 特許庁

まず、物理的障壁とは、財や人が国境を通過する際に実施される各種の規制を指す。例文帳に追加

First, “physical barriers” refer to the variety of regulations that are implemented when goods or persons cross national borders. - 経済産業省

具体的には、外資規制など国境を越えた自由な投資を阻む障壁を規律しようとするものである。例文帳に追加

Specifically, efforts were made to lift restrictions on free cross-border investment such as foreign capital restrictions. - 経済産業省

一つは、医薬品等の一部の分野を除き、流通業の参入障壁が比較的低いことである。例文帳に追加

For one thing, the entry barriers of the distribution industry are relatively low except for certain fields such as medicines.  - 経済産業省

【ＡＰＥＣ域内における中小企業貿易の主要な障壁除去のための諸行動】例文帳に追加

Taking Actions to Address Top Barriers to SMEs Trading in the Region  - 経済産業省

域内の貿易において中小企業が直面する障壁に取り組むための行動例文帳に追加

Actions to Address Barriers Facing SMEs in Trading in the Region  - 経済産業省

その主な障壁として、自社の企業価値、価格を算定することが難しいということが挙げられる。例文帳に追加

One of the main obstacles is determining a company’s corporate value and price. - 経済産業省

第二に、参入障壁の存在が我が国への対内直接投資が少ない要因として考えられる。例文帳に追加

Secondly, barriers to market access may cause low direct inward investment in Japan. - 経済産業省

近年、企業が海外で直面する貿易・投資障壁は多様化しつつある。例文帳に追加

In recent years, obstacles associated with trading/investment a company will face in overseas countries are getting diversified. - 経済産業省

参入障壁の低いオープンなプロセスは、分離させるより、むしろ参加をうながす。例文帳に追加

An open process with low entry barriers encourages participation rather than secession,  - Eric S. Raymond『ノウアスフィアの開墾』

チップ設計に必要なコストは、小者の攻撃者やホビイストにとっては、大きな障壁となる。例文帳に追加

The costs associated with chip design can present a significant barrier to smalltime attackers and hobbyists.  - Electronic Frontier Foundation『DESのクラック：暗号研究と盗聴政策、チップ設計の秘密』

電界放出では、フェルミエネルギー近くの電子波はポテンシャル障壁で反射されるが、電子波の振幅ψの指数関数的な減少を伴いながら障壁の中に浸透する。例文帳に追加

In field emission, electron waves near the Fermi energy are reflected at the potential barrier but penetrate with an exponential decrease of their amplitude ψ into the barrier.  - 科学技術論文動詞集

記録によれば、正信は障壁画、仏画を含め、多様な形式・題材の作品を手掛けたことが知られるが、障壁画はことごとく失われ、現存する確実な作品は掛軸などの小画面に限られている。例文帳に追加

According to records, it is known that Masanobu created works in various styles and subjects, including screen paintings and Buddhist paintings; however, all his screen paintings have been lost and the existing works are limited to small paintings such as a hanging scroll.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

織田信長、豊臣秀吉といった乱世を生き抜いた権力者の意向に敏感に応え、多くの障壁画を描いたが、これら障壁画は建物とともに消滅し、現存する永徳の作品は比較的少ない。例文帳に追加

Although he created numbers of screen paintings in strict compliance with the plans of the men in power who had survived wild times--including Nobunaga ODA and Hideyoshi TOYOTOMI--these paintings were lost with the buildings, so relatively few of Eitoku's works remain in existence.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

二条城二の丸御殿障壁画は25歳の若描きで、永徳風の豪壮な画風を示すが、後年の大徳寺の障壁画は水墨を主体とし、余白をたっぷりと取った穏やかな画風のものである。例文帳に追加

He created the screen paintings in Ninomaru Palace of Nijo Castle when he was young (25 years of age), and they showed dynamism in Eitoku's style; however, the screen paintings in Daitoku-ji Temple, which he created later in his life (mainly with ink and water), display a calm approach with abundant use of blank space.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

金碧障壁画は、金箔地に群青・緑青・白緑そして朱や濃墨などを用いた、濃彩色の障壁画（襖や貼り付け壁、屏風などに描かれた絵）で、狩野永徳によって新しい画法が創造された。例文帳に追加

Kinpeki-shohekiga are deep colored pictures on partitions (paintings on fusuma, haritsuke kabe or folding screens) painted using ultramarine (sea blue), copper rust (verdigris), byakuroku (whitish green), cinnabar (vermilion) and kozumi (deep Sumi Japanese ink) over a gold foil background, a new style of painting written by Eitoku KANO.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

妙法院障壁画　58面（附14面、1基）－玄関、大書院一之間・二之間の障壁画で、近世初期の狩野派の作と思われる。例文帳に追加

Myoho-in Temple wall and sliding door paintings, 58 pieces (including 14 walls and one screen): Consist of the wall and sliding screen paintings in the entry hall, Ichi no ma (room one) and Ni no ma (room two), and are thought to be the works of early modern Kano School artists.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

ショットキー電極５とｎ^-半導体層２との間のショットキー障壁の高さはショットキー電極３とｎ^-半導体層２との間のショットキー障壁の高さよりも低い。例文帳に追加

The height of the Schottky barrier between the Schottky electrode 5 and the n^- semiconductor layer 2 is higher than the height of a Schottky barrier between the Schottky electrode 3 and the n^- semiconductor layer 2. - 特許庁

逆方向バイアスにおけるショットキー障壁が高く、順方向バイアスにおけるショットキー障壁が低くできるショットキーダイオードを提供する。例文帳に追加

To provide a Schottky diode in which a Schottky barrier in a reverse directional bias is high and the Schottky barrier in a forward directional bias is low. - 特許庁

本発明による半導体発光素子は活性層を含み、該活性層はドーパントがドーピングされない井戸層と、第一の障壁層と、第二の障壁層とを含む。例文帳に追加

The semiconductor light-emitting element comprises an active layer which includes a well layer not doped with a dopant, and first and second barrier layers. - 特許庁

方法は、第１の多孔性を有する第１のセラミック熱障壁材料を含む、少なくとも１つの一次熱障壁層（１０５）を形成することをさらに含む。例文帳に追加

The method further includes forming at least one primary thermal barrier layer (105) including a first ceramic thermal barrier material having a first porosity. - 特許庁

アルミニウムボンディングパッドは、ワイヤボンディング相互接続配線のための障壁層上に形成され、銅ボンディングパッドは、ハンダバンプ相互接続配線のための障壁層上に形成される。例文帳に追加

An aluminum bonding pad is formed on the barrier layer for the wire bonding interconnection wiring, and a copper bonding pad is formed on the barrier layer for the solder bump interconnecting wiring. - 特許庁

対の棒状電極２，３は、水位検知部分ＬＤがボス部分６内から障壁１３の外面側に露出し、対の障壁１３，１３によって互いに隔離される。例文帳に追加

Water level detecting parts LD of a pair of rod electrodes 2, 3 are exposed from the boss part 6 to the outsides of the barriers 13 and separated each other with a pair of barriers 13, 13. - 特許庁

そして、第１の一対の電極１６、１７を複数の障壁層１４に対して垂直に設け、第２の一対の電極１８、１９を複数の障壁層１４に対して平行に設ける。例文帳に追加

A pair of first electrodes 16, 17 are provided perpendicularly to a plurality of barrier layers 14, and a pair of second electrodes 18, 19 are provided horizontally to a plurality of barrier layers 14. - 特許庁

複数の量子ウェルと障壁とが反復的に積層されてなされる活性層を備えたレーザー素子であって、量子ウェルの間の障壁内にトンネル接合が挿入されていることを特徴とするレーザー素子である。例文帳に追加

In the laser element having an active layer where a plurality of quantum wells and barriers are laminated repeatedly, a tunnel junction is inserted into the barrier between the quantum wells. - 特許庁

より具体的には、ｐ−クラッド層に近い位置の障壁層のｐ型変調ドープ量が、ｎ−クラッド層に近い位置の障壁層のｐ型変調ドープ量よりも少ない、半導体レーザを提供する。例文帳に追加

In the semiconductor laser, the barrier layer close to the p-clad layer is subjected to lighter p-type modulation doping than the barrier layer close to the n-clad layer. - 特許庁

デジタル的勾配半導体層は、交互するＧａＮ量子井戸及びＡｌＧａＮ障壁層の超格子を有し、ＡｌＧａＮ障壁の厚さが増加するにつれて、ＧａＮ量子井戸の厚さが減少する。例文帳に追加

A digital graded semiconductor layer will have a super lattice of alternating GaN quantum wells and AlGaN barrier layers, with the GaN quantum wells decreasing in thickness as the AlGaN barriers increase in thickness. - 特許庁

プラズマディスプレイパネル用背面板は、誘電体層上に障壁層が形成されており、硬化状態の誘電体層と、該誘電体層上に形成された障壁層が同時焼成されている。例文帳に追加

This rear plate for the plasma display panel is formed with the barrier layer on the dielectric layer, and the hardened-state dielectric layer and the barrier layer formed on the dielectric layer are simultaneously baked together. - 特許庁

イットリアを分散させたアルミナ障壁層（１４）、又は障壁層を伴わないイットリアを分散させた蛍光体層（１６）のいずれかを有する水銀蒸気放電ランプ（１０）を提供する。例文帳に追加

To provide a mercury vapor discharge lamp (10) having either an yttria-dispersed alumina barrier layer (14), or an ytteria-dispersed phosphor layer (16) without the barrier layer. - 特許庁

以前の処理ステップからトンネル障壁層に残される（disposed）、酸素あるいは窒素などの別の反応物質が紫外線放射によって活性化され、トンネル障壁層内の欠陥を修復する。例文帳に追加

Another reactive substance, such as oxygen, nitrogen, etc., disposed in the tunnel barrier layer after a previous treatment step is activated by the irradiated ultraviolet rays and restores defects in the barrier layer. - 特許庁

発光部はｎ形半導体層とｐ形半導体層との間に設けられ、複数の障壁層と複数の障壁層の間に設けられた井戸層とを含む。例文帳に追加

The light-emitting part is provided between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer and includes a plurality of barrier layers and well layers provided between the plurality of barrier layers. - 特許庁

従来の拡散障壁に替わる、安価で、かつ交流損失の増大の原因とならない拡散障壁を有する化合物超電導線材、およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a compound superconducting wire having a low cost and a diffusion barrier not causing increase in AC loss replacing the existing diffusion barrier and provide the manufacturing method thereof. - 特許庁

方法は、複数の一次熱障壁層の少なくとも一部を覆って形成される、少なくとも１つの二次熱障壁層（１０７）を形成することも含む。例文帳に追加

The method also includes forming at least one secondary thermal barrier layer (107) formed over at least a portion of the plurality of primary thermal barrier layers. - 特許庁

発光部は、第１半導体層の上に設けられ、複数の障壁層と、複数の障壁層どうしの間に設けられＧａＩｎＮを含む井戸層と、を含む。例文帳に追加

The light-emitting part is provided above the first semiconductor layer and includes a plurality of barrier layers and well layers that are provided between the adjacent plurality of barrier layers and contain GaInN. - 特許庁

トンネル接合(10)は、データ層(11)、データ層上に形成された障壁層(13)、障壁層上に形成されたキャップ層(15)、及びキャップ層上に形成された軟らかいリファレンス層(17)を含む。例文帳に追加

The tunnel junction (10) includes a data layer (11), a barrier layer (13) formed on the data layer, a cap layer (15) formed on the barrier layer, and a soft reference layer (17) formed on the cap layer. - 特許庁

第１障壁領域の熱伝導度は、第１半導体ナノワイヤの熱伝導度よりも大きく、第２障壁領域の熱伝導度は、第２半導体ナノワイヤの熱伝導度よりも大きい。例文帳に追加

The thermal conductivity of the first barrier area is larger than the thermal conductivity of the first semiconductor nanowire, and the thermal conductivity of the second barrier area is larger than the thermal conductivity of the second semiconductor nanowire. - 特許庁

障壁層３３と、障壁層３３よりもバンドギャップの小さな井戸層３４とを複数層交互に積層して多重量子井戸層２８を構成する。例文帳に追加

The multiple quantum well layer 28 is constituted by laminating a plurality of barrier layers 33, and well layers 34 having a band gap smaller than that of the barrier layer 33 alternately. - 特許庁

上記半導体層１１と酸化物障壁層１２との間に電圧を印加することによって、酸化物障壁層１２に接する半導体層１１の界面に高移動度のキャリアガスを生ぜしめる。例文帳に追加

By applying a voltage between the semiconductor layer 11 and the oxide barrier layer 12, a carrier gas of a high mobility is generated on the interface of the semiconductor layer 11, which is in contact with the oxide barrier layer 12. - 特許庁

アンダー・バンプ金属は、少なくとも１つの付着層と、少なくとも１つのめっき障壁層と、付着層とめっき障壁層の間に設けられた少なくとも１つのめっき導電金属層とを含む。例文帳に追加

The under bump metallurgy includes at least: one adhesion layer; one plated barrier layer; and one plated conductive metal layer provided between the adhesion layer and the plated barrier layer. - 特許庁

このパイプは、必要に応じて、酸素障壁層（例えば、ポリエチレン−コ−ビニルアルコール（「ＥＶＯＨ」））を有し得、この酸素障壁層は、ＰＥＸ層から半径方向に外側に連続して配置され得る。例文帳に追加

The pipe may have an oxygen barrier layer (for example, polyethylene-co-vinyl alcohol ("EVOH")), when required, and the oxygen barrier layer may arranged continuously ranging over radially outwards from the PEX layer. - 特許庁

障壁層には、第１導電型のドープ剤をドープすることができ、該障壁層は、１％から１５％までの間のインジウム組成を有することができる。例文帳に追加

The barrier layer may be doped with a dopant of 1st conductivity type and may have an indium composition between 1 to 15%. - 特許庁

コンタクトホールに導電物質が充填されて形成されたプラグを含んで絶縁膜上に障壁膜が厚く形成され、障壁膜上にストレージ電極用導電膜が形成される。例文帳に追加

A first conductive film 110 for storage electrodes is formed on a first barrier film 108 formed for preventing oxidation of polysilicon which is the substance for a plug 107. - 特許庁

ゲート電極に対しては高い障壁機能を有しつつも、ソース及びドレイン電極に対しては直列抵抗の低い障壁層を有するヘテロ接合ＦＥＴを提供する。例文帳に追加

To provide a hetero-junction FET which is equipped with a barrier layer that is low in series resistance to a source and a drain electrode while possessing a high barrier function to a gate electrode. - 特許庁

基板テーブルＷＴは基板Ｗの外周縁を取り囲む排液溝すなわち障壁４０と、基板Ｗの上面と実質的に同じ平面に存在するセンサーのような別の対象２０を取り囲む障壁１００を備える。例文帳に追加

The substrate table WT is provided with a drainage ditch or barrier 40 surrounding an outer circumferential edge of the substrate W and a barrier 100 surrounding other objects 20 like sensors positioned in the same plane substantially the upper surface of the substrate W. - 特許庁

発光部は、第１半導体層の上に設けられ、複数の障壁層と、複数の障壁層どうしの間に設けられＧａ_１−ｚ１Ｉｎ_ｚ１Ｎを含む井戸層と、を含む。例文帳に追加

The light-emitting part is provided above the first semiconductor layer and includes a plurality of barrier layers and well layers that are provided between the adjacent plurality of barrier layers and contain Ga_1-z1In_z1 N. - 特許庁