「電気的ポテンシャル」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

第１および２のシールド部材が、プリント回路の接地導体トラックに接続された導体トラックを介して電気的に接続され、ポテンシャルの檻を形成し、コネクタ（３）を電磁妨害から保護する。例文帳に追加

The first and the second shield members are electrically connected through a conductive track connected to the ground conductor track of the printed circuit, to form a hutch of potential and protect the connector (3) from electromagnetic interference. - 特許庁

選択性が高い光誘導性のエッチングを達成するために、電解質に対する半導体構造の局部的電気化学的ポテンシャルを戦略的に改変することを含む、ＩＩＩ−窒化物半導体構造を製造するための方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a III-nitride semiconductor structure and including the strategic modification of the local electrochemical potential of the semiconductor structure relative to the electrolyte so that highly-selective photo-induced etching is performed. - 特許庁

遷移を刺激するエネルギーホールを備えたレドックスエネルギー共振の電気化学的反応体によって、基底状態の下の量子化されたポテンシャルエネルギーレベルに解放するように、電子を刺激することによって、水素原子から熱を解放する方法及び構造。例文帳に追加

The method and structure are adapted for releasing heat from hydrogen atoms by stimulating electrons by means of an electrochemical reactor of redox energy resonance having energy holes which stimulate transition, in such a way that the electrons are released to quantized energy levels below a ground state. - 特許庁

溝を含む第１の層３１と、領域を含む第２の層３２と、セクションと、前記セクションを囲う溝状透明構造を含んでおり、前記第１の層３１と第２の層３２とが、第２の層３２において生じる電気的ポテンシャルの差を減少させるように形成されているリソグラフィマスク。例文帳に追加

This lithography mask includes a first layer 31 including a groove, a second layer 32 including regions, sections, and groove shaped transparent structure surrounding the sections, wherein the first layer 31 and the second layer 32 are formed so as to decrease difference of electric potentials generated in the second layer 32. - 特許庁

第１電荷障壁部４０は、電気的に独立な第１及び第２水平転送電極２８，２９の境界部に配置されており、第１及び第２水平転送電極２８，２９に印加される水平転送パスルφＨ１，φＨ２の電圧差によりナローチャネル効果が生じ、信号電荷に対するポテンシャルが上昇する。例文帳に追加

The first charge barrier part 40 is disposed in a boundary part of first and second horizontal transfer electrodes 28, 29 which are electrically independent, narrow channel effects are generated by a voltage difference between horizontal transfer pulses ϕH1, ϕH2 applied to the first and second horizontal transfer electrodes 28 and 29, and the potential with respect to signal charges are increased. - 特許庁

上記方法は、電気的抵抗層または半導体構造の中の電子のフローを妨げる層の適切な配置によって、および／またはＰＥＣエッチングの間に、半導体構造の特定の層と接触するカソードを配置することによって、半導体構造または半導体デバイスの電気的ポテンシャルを局部的に制御し、水平方向および／または垂直方向の光電気化学（ＰＥＣ）的エッチング速度を局部的に制御する。例文帳に追加

The method locally controls the electrical potential of a semiconductor structure or a device, and thereby locally controls lateral and/or vertical photoelectrochemical (PEC) etching rates by the appropriate placement of electrically resistive layers or layers that impede electron flows in the semiconductor structure, and/or by disposing a cathode in contact with a specific layer of the semiconductor structure during PEC etching. - 特許庁