「FET」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To decode the length of a long base in a DNA sequencer using an FET sensor.例文帳に追加

FETセンサを用いたDNAシーケンサにおいて、長塩基長解読を可能とする。 - 特許庁

An FET device is also provided.例文帳に追加

また、ＦＥＴデバイスが提供される。 - 特許庁

FET-TYPE FERROELECTRIC MEMORY CELL AND FET-TYPE FERROELECTRIC MEMORY例文帳に追加

ＦＥＴ型強誘電体メモリセルおよびＦＥＴ型強誘電体メモリ - 特許庁

FET AMPLIFIER AND BIAS CIRCUIT THEREOF例文帳に追加

ＦＥＴアンプおよびそのバイアス回路 - 特許庁

The FET 1 and the depletion-type FET 2 have a relation Wg2<Wg1 where Wg1 is the gate width of the FET 1 and Wg2 is that of the depletion-type FET 2.例文帳に追加

ＦＥＴ１のゲート幅をＷｇ１、デプリーション型のＦＥＴ２のゲート幅をＷｇ２と表記すると、Ｗｇ２＜Ｗｇ１の関係がある。 - 特許庁

FERROELECTRIC FET SIMULATION DEVICE例文帳に追加

強誘電体ＦＥＴシミュレーション装置 - 特許庁

SWITCHING MOS-FET DRIVE CIRCUIT例文帳に追加

スイッチングＭＯＳ−ＦＥＴドライブ回路 - 特許庁

ELECTRONIC DEVICE AND HETEROJUNCTION FET例文帳に追加

電子デバイスおよびヘテロ接合ＦＥＴ - 特許庁

FET (FIELD EFFECT TRANSISTOR) CIRCUIT AND LOAD DRIVING CIRCUIT例文帳に追加

ＦＥＴ回路及び負荷駆動回路 - 特許庁

GATE INSULATING LAYER OF MIS TYPE FET例文帳に追加

ＭＩＳ型ＦＥＴのゲート絶縁層 - 特許庁

ORGANIC FET AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

有機ＦＥＴおよびその製造方法 - 特許庁

FET AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

ＦＥＴおよびＦＥＴの製造方法 - 特許庁

FET AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

ＦＥＴの製造方法およびＦＥＴ - 特許庁

POWER-COMBINED HIGH-POWER FET例文帳に追加

電力合成形高出力ＦＥＴ - 特許庁

INTEGRATED FET AND SCHOTTKY DEVICE例文帳に追加

集積型ＦＥＴ及びショットキー装置 - 特許庁

SEMICONDUCTOR SPIN DEVICE AND SPIN FET例文帳に追加

半導体スピンデバイス及びスピンＦＥＴ - 特許庁

To easily integrate an enhancement-mode FET and a depletion-mode FET.例文帳に追加

エンハンスメントモードＦＥＴおよびデプリーションモードＦＥＴを容易に集積化すること。 - 特許庁

In the apparatus, varying levels of source voltages between a main field effect transistor(FET) of a multi-source FET and a reference FET are compared.例文帳に追加

マルチソースＦＥＴのメイン電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）とリファレンスＦＥＴのソース電位の大小関係を比較する。 - 特許庁

The 1st FET Q110 and the 2nd FET Q20 exist in the package 1.例文帳に追加

第１のＦＥＴＱ１０及び第２のＦＥＴＱ２０は、パッケージ１内にある。 - 特許庁

A current mirror circuit is formed by an FET 64 and an FET 61 to drive a cathode electrode 101 on a display panel 20; another current mirror circuit is formed by an FET 62 and an FET 42, and the FET 61 and the FET 62 are connected in series.例文帳に追加

表示パネル２０のカソード電極１０１を駆動するために、ＦＥＴ６４とＦＥＴ６１とでカレントミラー回路を形成し、ＦＥＴ６２とＦＥＴ４２とで別のカレントミラー回路を形成し、ＦＥＴ６１とＦＥＴ６２とを直列に接続する。 - 特許庁

A power MOS FET Q1, as the high side of a composite power MOS-FET PM which constitutes a DC-DC converter, is composed of a lateral MOS-FET, and a power MOS-FET Q2 as the low side of the composite power MOS-FET PM is composed of a vertical MOS-FET.例文帳に追加

ＤＣ−ＤＣコンバータを構成する複合パワーＭＯＳ・ＦＥＴ ＰＭのハイ側のパワーＭＯＳ・ＦＥＴＱ１を横型のＭＯＳ・ＦＥＴで構成し、ロウ側のパワーＭＯＳ・ＦＥＴＱ２を縦型のＭＯＳ・ＦＥＴで構成した。 - 特許庁

SPIN FET AND MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT例文帳に追加

スピンＦＥＴ及び磁気抵抗効果素子 - 特許庁

GATE ETCHING METHOD FOR HIGH VOLTAGE FET例文帳に追加

高電圧ＦＥＴ用ゲートエッチング方法 - 特許庁

The FET (first FET) of the comb-like pattern gate electrode is excellent in linearity, and the FET (second FET) of the bent pattern gate electrode is in harmonic distortion characteristics.例文帳に追加

櫛状パターンのゲート電極のＦＥＴ（第１ＦＥＴ）は線形性に優れ、曲折パターンのゲート電極のＦＥＴ（第２ＦＥＴ）は高調波歪み特性に優れている。 - 特許庁

TEMPERATURE COMPENSATING CIRCUIT AND FET AMPLIFIER例文帳に追加

温度補償回路及びＦＥＴ増幅器 - 特許庁

FET SWITCH AND AUTOMATIC ZERO CORRECTION CIRCUIT例文帳に追加

ＦＥＴスイッチおよびオートゼロ補正回路 - 特許庁

GATE BIAS CIRCUIT OF MULTISTAGE FET AMPLIFIER例文帳に追加

多段ＦＥＴ増幅器のゲートバイアス回路 - 特許庁

The FET 10, the FET 20, the FET 30 and the FET 40 have a gate electrode 12, a gate electrode 22, a gate electrode 32 and a gate electrode 42, respectively.例文帳に追加

ＦＥＴ１０、ＦＥＴ２０、ＦＥＴ３０およびＦＥＴ４０は、それぞれ、ゲート電極１２、ゲート電極２２、ゲート電極３２およびゲート電極４２を有している。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a carbon nanotube structure which clears the fluctuation of current-voltage characteristics of a carbon nanotube FET (field-effect transistor) and the carbon nanotube FET consisting of the structure.例文帳に追加

カーボンナノチューブFETの電流—電圧特性の変動を解消するカーボンナノチューブ構造体の製造方法及びその構造体からなるカーボンナノチューブFETを提供すること。 - 特許庁

ORGANIC FET, AND METHOD OF MANUFACTURING SAME例文帳に追加

有機ＦＥＴおよびその製造方法 - 特許庁

The method and device for controlling current flow in a current source has a drive circuit including a current source FET 18, a control FET 20 and a complementary logic 310.例文帳に追加

電流源における電流の流れを制御する方法および装置は、電流源FET（１８）、制御FET（２０）および相補型ロジック（３１０）を有する駆動回路を含む。 - 特許庁

To actualize a deep trench MOS FET which is high in breakdown voltage and is reducible in ON resistance.例文帳に追加

耐圧が高く、オン抵抗のより低減化が可能なディープトレンチMOS FETを実現する。 - 特許庁

The operational amplifier, U2, supplies the voltage, Vgs, in accordance with the voltage, Vf, to the interval between the drain-sources of FET Q1.例文帳に追加

オペアンプU2は、電圧Vfに応じた電圧VgsをFET Q1のゲート・ソース間に供給する。 - 特許庁

To satisfy the characteristics required for E-FET and D-FET, respectively.例文帳に追加

Ｅ—ＦＥＴおよびＤ−ＦＥＴのそれぞれに求められる特性を両立する。 - 特許庁

A half bridge type inverter composed of third and fourth FET switches S3, S4 is provided.例文帳に追加

第３及び第４のFETスイッチＳ３，Ｓ４から成るハーフブリッジ型インバータを設ける。 - 特許庁

A post is provided around an FET, and a shield metal supported by the post is provided on the FET.例文帳に追加

ＦＥＴの周りにポストを設け、ポストに支えられたシールドメタルをＦＥＴ上に設ける。 - 特許庁

FET DRIVING CIRCUIT AND SWITCHING DEVICE例文帳に追加

ＦＥＴの駆動回路およびスイッチング装置 - 特許庁

FET AND PRODUCTION METHOD THEREOF例文帳に追加

電界効果トランジスタ、及びその製造方法 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a reduced leakage current and an enhanced input FET capacitance.例文帳に追加

リーク電流を減らし、入力FETキャパシタンスを増加させた半導体デバイスを提供する。 - 特許庁

This causes a FET 1 to be turned on, causing a current I_BYPASS to flow in the FET 1.例文帳に追加

これにより、ＦＥＴ１がオンとなり、電流Ｉ_ＢＹＰＡＳＳがＦＥＴ１を流れる。 - 特許庁

A vertical FET structure, having a nanowire which constitutes a FET channel, is disclosed.例文帳に追加

ＦＥＴチャネルを形成するナノワイヤを有する垂直型ＦＥＴ構造を開示する。 - 特許庁

To improve gas sensitivity in a diode-type gas sensor or a FET-type gas sensor.例文帳に追加

ダイオード型ガスセンサまたはFET型ガスセンサにおいて、ガス感度を増加させることを目的とする。 - 特許庁

To improve carrier injection efficiency from an electrode to an active layer in an organic FET.例文帳に追加

有機FETにおいて、電極から活性層へのキャリア注入効率を向上させること。 - 特許庁

A resistor 2 is disposed in the vicinity of the FET 1 and detects a temperature of the FET 1.例文帳に追加

抵抗２は、ＦＥＴ１の近傍に配置され、ＦＥＴ１の温度を検出する。 - 特許庁

FET AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

電界効果トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁