| 意味 | 例文 |
Far-Field Patternの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 60件
To provide a semiconductor laser device in which a desired lateral mode is stable and a far-field pattern of light intensity has a solely-high main peak and extremely low side-lobes although a width of a light emitting stripe region is wide and high power is extracted, and to provide an optical wireless communication system employing the same.例文帳に追加
発光ストライプ領域の幅が広くて大出力であるにも拘らず、横モードが安定して、かつ、遠視野像の光強度が、主ピークのみが強くてサイドローブが極めて小さい半導体レーザ装置と、それを用いた光無線通信システムを提供する。 - 特許庁
The beam adjusting means 34 is constituted of an opening 34A for cutting an outer circumferential part of the beam emitted from the collimator lens 32 and is positioned by the solenoid 40 so that it can be inserted and pulled out in the vicinity of a position where a far field pattern by the collimator lens 32 is formed.例文帳に追加
また、ビーム調整手段34は、コリメータレンズ32より射出されるビームの外周部をカットする開口34Aで構成し、コリメータレンズ32によるファーフィールドパターンができる位置近傍に挿抜可能なようにソレノイド40によって位置決めする。 - 特許庁
In the diffractive element 8 formed rectangular, a large identification mark 9a is formed without sacrificing the effective surface area of the diffractive element 8 by forming the identification mark 9a using a nearly trianglular region outside of a far field pattern LL of an optical beam.例文帳に追加
四角に形成された回折素子8の場合、光ビームのファーフィールドパターンLLの外側の略三角形の領域を利用して識別マーク9aを形成することにより、回折素子8の有効面積を犠牲にすることなく、より大きな識別マーク9aを形成することができる。 - 特許庁
To provide an external resonator-type wavelength-variable light source capable of securing excellent wavelength selectivity with a small number of parts and taking out light output efficiently over a wide wavelength band range even when using a semiconductor laser having a far field pattern narrow in a horizontal direction.例文帳に追加
水平方向のファーフィールドパターンが狭い半導体レーザであっても、少ない部品点数で優れた波長選択性を確保し、広い波長帯域に渡って効率よく光出力を取り出すことができる外部共振器型の波長可変光源を実現すること。 - 特許庁
An angle θ between the optical axis (z axis) of the object to be measured and the advancing direction of light (the extending direction of a straight line OP) and a far field pattern which is the distribution of light intensity P (θ, Ψ) of the measuring point P with respect to a rotation angle Ψ around the optical axis are obtained.例文帳に追加
測定結果より、被測定物の光軸(z軸)と光の進行方向(直線OPの延在方向)とのなす角度θ、および測定位置Pの光軸のまわりの回転角ψに対する光強度P(θ,ψ)の分布すなわちファーフィールドパターンが求められる。 - 特許庁
To provide a manufacturing method for semiconductor laser that can correct a horizontal deviation angle of a far field pattern (FFP) of semiconductor laser's emission light and realize a desirable emission light property when the horizontal deviation angle arises in the FFP of the semiconductor laser's emission light by making up semiconductor laser, e.g., with an off substrate in semiconductor laser manufacture.例文帳に追加
半導体レーザの製造において、例えばオフ基板によって半導体レーザを構成したことにより半導体レーザの出射光のファーフィールドパターン(FFP)に水平ズレ角が発生する場合に、このFFPの水平ズレ角を修正し、所望の出射光特性を実現する半導体レーザの製造方法を提供する。 - 特許庁
The coupling efficiency is determined by calculating the intensity of the laser beam emitted from the semiconductor device and an intensity passing through the light-receiving section coupled with the semiconductor laser device in a dot shape, respectively, by using an equipment such as a far field pattern measuring device or the like which can measure the characteristics of the semiconductor laser device with relatively ease.例文帳に追加
遠視野像測定装置などの比較的容易に半導体レーザ素子の特性が測定できる装置を用い、半導体レーザ素子から出されるレーザ光の光強度および、半導体レーザ素子と結合させる受光部における受光部を通過する光強度のそれぞれをドット状に算出し、結合効率を求める。 - 特許庁
There is provided a light emitting device provided with a mount substrate, an electrode 2a provided on the mount substrate, an LED chip 3 provided on a part of the electrode 2a, and a planar shape having a pattern corresponding to a far field image and a near field image of light emitted from the LED chip 3 as at least a part of an outline.例文帳に追加
マウント基板と、マウント基板上に設けられた電極2aと、電極2aの一部の上に設けられたLEDチップ3と、電極2a上に少なくとも設けられた蛍光体層とを具備し、電極2aが、LEDチップ3から発せられる光の遠視野像や近視野像に対応するパターンを輪郭の少なくとも一部として有する平面形状を備えることを特徴とする発光装置。 - 特許庁
To provide a semiconductor light emitting device using nitride based III-V compound semiconductors, which has longer operating life by making the crystallinity of a optical wave guide to be good, and particularly, in a semiconductor laser, has a high symmetry of light intensity distribution in a far field pattern and a reduced aspect ratio of a radiation angle, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加
光導波層の結晶性を良好とすることができることにより長寿命で、しかも特に半導体レーザでは遠視野像における光強度分布の対称性が高く、放射角のアスペクト比の低減を図ることができる、窒化物系III−V族化合物半導体を用いた半導体発光素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
The metal film 8e has excellent visibility and when the diffractive element 8 is formed rectangular, a large identification mark 9a is formed without sacrificing the effective surface area of the diffractive element 8 by forming the identification mark 9a using a nearly triangular region outside of a far field pattern LL of an optical beam.例文帳に追加
金属膜8eは、視認性優れており、しかも四角に形成された回折素子8の場合、光ビームのファーフィールドパターンLLの外側の略三角形の領域を利用して識別マーク9aを形成することにより、回折素子8の有効面積を犠牲にすることなく、より大きな識別マーク9aを形成することができる。 - 特許庁
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