「Far-Field Pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor laser element having high yield, while enlarging the horizontal spread angle of a far-field pattern of exiting light and decreasing the aspect ratio in the far-field pattern.例文帳に追加

出射光の遠視野像の水平広がり角を広げ、遠視野像におけるアスペクト比を小さくし、且つ歩留まりの高い半導体レーザ素子を提供することである。 - 特許庁

To extremely make an influence of dispersion of an illumination strength by a near-field pattern and a far-field pattern which a semiconductor laser light source has less.例文帳に追加

半導体レーザ光源の有する近視野パターン及び遠視野パターンによる照明強度のばらつきの影響を極力少なくする。 - 特許庁

The far field radiation pattern is found by subtracting error electric field pattern calculated theoretically from the measured result in the Fresnel region.例文帳に追加

フレネル領域における測定結果から、理論的に計算される誤差電界パターンを引き算することによって遠方界放射パターンを求める。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor light-emitting device capable of adjusting an aspect ratio of a far-field pattern.例文帳に追加

ファーフィールドパターンのアスペクト比を調整可能なIII族窒化物半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element capable of preventing an occurrence of a ripple in a far-field pattern (FFP).例文帳に追加

遠視野像（ＦＦＰ）にリップルが出現することを抑制することが可能な半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser capable of obtaining a narrow far-field pattern and also sufficiently reducing a threshold current.例文帳に追加

狭い遠視野像を得ることができると共に、閾値電流を十分に小さくできる半導体レーザを提供する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor laser element, with improved far field pattern and single vertical horizontal mode.例文帳に追加

垂直横モードの単一化が可能でファーフィールドパターンが良好な窒化物半導体レーザ素子を提供することである。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser device which is provided with a wide current injection stripe, hardly produces double peaks in a far-field pattern, and has a high optical output.例文帳に追加

ストライプ幅が広く、しかも遠視野像の複峰化が生じない光出力の高い半導体レーザ素子を適用する。 - 特許庁

To prevent occurrence of a loss in the quantity of light and occurrence of disturbance in the far field pattern without causing any vignetting in the laser beam.例文帳に追加

レーザ光にケラレを生じさせず、光量損失の発生とファーフィールドパターンにおける擾乱の発生とを防止できること。 - 特許庁

To provide a ridge waveguide type semiconductor laser device including a local distortion reduced far field pattern (FFP).例文帳に追加

局部的乱れが低減されたＦＦＰを有するリッジ導波路型の半導体レーザ装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor laser device, where the far field pattern of a laser beam is good and a laser beam in single mode can be obtained.例文帳に追加

レーザ光のファーフィールドパターンが良好で、単一モードのレーザ光が得られる窒化物半導体レーザ素子を提供することである。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor laser element where the far-field pattern shape of a laser beam is satisfactory, and the laser beam of single mode can be obtained.例文帳に追加

レーザ光のファーフィールドパターン形状が良好で、単一モードのレーザ光が得られる窒化物半導体レーザ素子を提供することである。 - 特許庁

A white LED of small dispersion in color and uniform light emitting pattern can be obtained because the pattern shape of a fluorescent material layer corresponds to that of the electrode 2a and the far field image and the near field image.例文帳に追加

蛍光体層のパターン形状が電極２ａのパターン形状に対応しており、上記遠視野像や近視野像に対応するため、色ばらつきが小さく、かつ発光パターンも均一な白色ＬＥＤを得ることが可能となる。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor laser device that has stable far-field pattern (FFP) characteristics even when the power of laser light is increased to be wide angled.例文帳に追加

レーザ光のパワーを高出力化してもＦＦＰ（遠視野像）特性が安定して広角化が可能な窒化物半導体レーザ装置を実現できるようにする。 - 特許庁

In this case, the depth Lr and the position of each of the recesses 4 and 4 are decided so that the near field pattern of the laser beam has the same distribution as the light intensity distribution and the phase distribution obtained by inverse Fourier transformation of the far field pattern of the predetermined single lobe.例文帳に追加

この凹面４，４の深さＬｒおよび位置は、レーザ光の近視野像が、予め定めた単一ローブの遠視野像を逆フーリエ変換して求めた光強度分布および位相分布と同じ分布をなすように決められている。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser for emitting a laser beam where the shape is stable and the intensity center of a far field pattern in the horizontal direction does not vary with an optical output variation.例文帳に追加

光出力変化に伴う水平方向の遠視野像の強度中心が変動せず、且つ形状が安定したレーザ光を出射する半導体レーザを提供する。 - 特許庁

A first photodetector having a plurality of light receiving patterns receives light from a light source and detects a shift of an intensity distribution center of a far-field pattern of the light source.例文帳に追加

複数の受光パターンを有する第１の光検出器によって光源からの光を受光し、光源のファーフィールドパターンの強度分布中心シフトを検出する。 - 特許庁

To provide a ridge waveguide type semiconductor laser capable of preventing generation of a kink between an optical output and an operation current characteristic while it can reduce an FFP (far field pattern).例文帳に追加

ＦＦＰを小さくすることができながら、光出力−動作電流特性のキンクの発生を抑制することができる、リッジ導波路型の半導体レーザを提供する。 - 特許庁

A far-field pattern of a laser beam L emitted from a semiconductor laser 18 is refined by an aperture member, and then the aperture image is formed on a photosensitive material F.例文帳に追加

半導体レーザ１８から出力されたレーザビームＬのファーフィールドパターンを開口部２４によって整形した後、その開口像を感光材料Ｆ上に形成する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light-emitting device, which has a high efficiency in light and carrier containment, and which forms a far-field pattern of the Gaussian shape including a single peak, and to provide a method of manufacturing the light-emitting element.例文帳に追加

光やキャリアの閉じ込め効率が高く、遠視野像がガウシアン形状で単峰である窒化物半導体発光素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser outgoing a laser beam in which the strength center of a far field pattern in the horizontal direction accompanied with an optical output variation doesn't fluctuate and a profile is stable.例文帳に追加

光出力変化に伴う水平方向の遠視野像の強度中心が変動せず、且つ形状が安定したレーザ光を出射する半導体レーザを提供する。 - 特許庁

Consequently, the far field pattern of the laser light maintains an elliptic shape and does not cause the interference fringes which have been the problem of the conventional nitride semiconductor laser.例文帳に追加

これにより、レーザ光の遠視野像は楕円形の形状を維持し、従来の窒化物半導体レーザで問題であった縞状の干渉を生じることはない。 - 特許庁

To solve the problem raised by the conventional nitride semiconductor laser that part of laser light is scattered by a substrate and causes interference fringes in the far field pattern of laser light.例文帳に追加

従来の窒化物半導体レーザで問題であった、レーザ光の一部が基板により散乱され、遠視野像に干渉縞が生じてしまうという現象を解決すること。 - 特許庁

To obtain a laser beam having an elliptical far field pattern profile obtained by forming a resonance surface on a nitride semiconductor which is grown on a sapphire substrate that is hard to cleave.例文帳に追加

劈開の難しいサファイア基板の上に成長された窒化物半導体に共振面が形成されて、楕円状のファーフィールドパターン形状を有するレーザビームを得る。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor laser device and a manufacturing method of it which attains a smooth resonance plane, a good far-field pattern shape of a laser beam and furthermore the reduction of a threshold.例文帳に追加

共振面が平滑で、レーザ光のファーフィールドパターン形状の良好な、更にしきい値の低下された窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor laser device that reduces ripple even if it has a pedestal region for protecting a ridge and has a nearly Gaussian-shaped far-field pattern.例文帳に追加

リッジ部を保護する台座領域を有する場合においても、リップルが低減され、遠視野像の形状がガウシアン形状に近い窒化物半導体レーザ装置を実現できるようにする。 - 特許庁

Accordingly, the beam emitted from the end face 3 becomes substantially single lobe of the far field pattern by the recesses 4 and 4 to become the beam suitable for an optical communication equipment or an optical memory device.例文帳に追加

したがって、光出射端面３から出射するレーザ光は、凹面４，４によって遠視野像が略単一ローブになって、光通信機器や光メモリ機器に好適なレーザ光になる。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser device which has a stable lateral mode even when the width of a light emitting stripe region is wide and in which the optical intensity of a far field pattern forms a substantially single lobe.例文帳に追加

発光ストライプ領域の幅が広いにも拘らず、横モードが安定して、かつ、遠視野像の光強度が略単一ローブをなす半導体レーザ装置を提供すること。 - 特許庁

The layout of a P-type electrode and an N-type electrode and the shape of a light emitting surface are newly designed, by which the problem of a center recess in the far field beam pattern of a gallium nitride light emitting diode can be solved.例文帳に追加

本発明は、Ｐ型電極とＮ型電極の配置方式及び発光面の形状を新たに設計することにより、窒化ガリウム系発光ダイオードの遠場光束図案（farfield beam pattern）の中央凹みの問題を改善する。 - 特許庁

To improve reduction of half-width (θ//) in the horizontal direction of a far field pattern by current flow, in an AlGaAs based ion implantation type gain guide laser light emitting device which is formed by using a so-called off substrate.例文帳に追加

いわゆるオフ基板を使用して形成されるＡｌＧａＡｓ系イオン注入型ゲインガイドレーザ発光装置における、通電による遠視野像の水平方向の半値幅(θ//)の減少の改善を図る。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting element having no problem of optical oozing-out to a GaN substrate and the generation of crack or dislocation of an n-type clad layer while being small in the half-value width of an FFP (Far Field Pattern) in the vertical direction.例文帳に追加

ＧａＮ基板への光滲み出し、及びｎ型クラッド層のクラックや転移の発生の問題なく、垂直方向のＦＦＰ（遠視野像）全半値幅の小さな半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

A collimator lens 26 collimates a far field pattern of a laser beam L outputted from a semiconductor laser LD into a parallel luminous flux and the image is formed on an aperture member 20 through a 1st lens 18.例文帳に追加

半導体レーザＬＤから出力されたレーザビームＬのファーフィールドパターンは、コリメータレンズ２６によって平行光束とされた後、第１レンズ１８によってアパーチャ部材２０上に結像される。 - 特許庁

To obtain a far-field pattern (FFP) of which the Gaussian shape is good even in high output power operation of the class exceeding 200 mW, and to obtain long term reliability with good yield ratio.例文帳に追加

２００ｍＷ超級の高出力動作時においてもガウシアン形状が良好な遠視野像（ＦＦＰ）を得ることができ、且つ長期信頼性を歩留まり良く得ることができるようにする。 - 特許庁

To provide a method for eliminating the need for measuring the electric field distribution of the total steric surface surrounding a measured antenna and directly, conveniently and accurately calculating the far-field radiation pattern, from a measured result in a short-distance Fresnel region of one required plane.例文帳に追加

被測定アンテナを取り囲む全立体面の電界分布の測定を必要とせず、また、必要な１つの平面内の近距離フレネル領域での測定結果から直接、遠方界放射パターンを簡便に精度よく計算できる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser device which hardly has aging defects in quality of laser light such as a plurality of spots in a far-field pattern of the laser light and also provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

半導体レーザ素子から発せられるレーザ光の遠視野像において、複数スポットを生ずる如きレーザ光の品質の劣化の少ない半導体レーザ素子及びその製造方法を与えることを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a laser element in which a resonance face is formed in a nitride semiconductor grown on a sapphire substrate difficult to cleave and a laser beam having an elliptical far field pattern is obtained.例文帳に追加

劈開の難しいサファイア基板の上に成長された窒化物半導体に共振面が形成されて、楕円状のファーフィールドパターン形状を有するレーザビームが得られるレーザ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an antenna-measuring device capable of omitting operation processing at near-field to far-field conversion, and accurately measuring the state where an antenna to be measured is fixed, when measuring at a close distance, a radiation pattern in the distance from the antenna to be measured.例文帳に追加

本発明は、近傍界・遠方界変換についての演算処理を省略することができるとともに、被測定アンテナの遠方での放射パターンを近傍距離にて測定する際に、被測定アンテナを固定した状態で精度よく測定することができるアンテナ測定装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a nitride semiconductor laser device, capable of obtaining an excellent far field pattern by definitely forming a terracing horizontal plane between a resonator end face and a device isolation face, using a simple method.例文帳に追加

簡便な方法により、共振器端面と素子分離面との間のテラス状の水平面を確実になくして、良好なファーフィールドパターンを得ることができる窒化物半導体レーザ素子の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The aperture member 20 shapes the formed far field pattern in the main scanning direction and the subscanning direction and the shaped beam is led to a recording film F via a 2nd lens 22 and a 3rd lens 24, where the image is recorded.例文帳に追加

結像されたファーフィールドパターンは、アパーチャ部材２０によって主走査方向および副走査方向にビーム整形された後、第２レンズ２２および第３レンズ２４を介して記録フイルムＦに導かれることで、画像の記録が行われる。 - 特許庁

Therefore, the intensity center of the far field pattern in the horizontal direction does not vary with the optical output variation and the laser beam which is stable in shape can be obtained by absorption of light distributed outside the groove 15 by the semiconductor.例文帳に追加

そのため、溝部１５より外側に分布する光の半導体による吸収により、光出力変化に伴う水平方向の遠視野像の強度中心が変動せず、且つ形状が安定したレーザ光を得ることができる。 - 特許庁

To provide a surface light-emitting laser that, even if a shape of a step structure is changed in manufacturing process, suppresses the influence of the change to a far field pattern (FFP), and an image forming apparatus using the surface light-emitting laser.例文帳に追加

作製プロセスにおいて段差構造の形状が変動したとしても、この変動がＦＦＰに与える影響を抑制することができる面発光レーザ、および、該面発光レーザを用いた画像形成装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor laser element, having a structure wherein a current-constricted layer is formed by ion implantation method, and oscillation threshold current is not high, and a far-field pattern in direction horizontal to an active layer is not three-ridged.例文帳に追加

電流狭窄層をイオン注入法により形成し、しかも、発振閾値電流が高くなく、また、活性層に水平な方向の遠視野像が三峰化しないような構成の半導体レーザ素子の作製方法を提供する。 - 特許庁

A raising mirror 20 is arranged in accordance with this inclination, so that light in an end part in a direction of a major axis L21 of a far-field pattern L2 leaks from an upper side 21 of the raising mirror 20 and reaches a photo detector 40 for monitor.例文帳に追加

このような傾きに合わせて、立ち上げミラー２０を斜めに配置することにより、ファーフィールドパターンＬ２の長軸Ｌ２１の方向の端部の光が立ち上げミラー２０の上辺２１で漏れ、モニター用受光素子４０に届く。 - 特許庁

Identification information (a far field pattern) converted into the electric signal is compared by a determining part 27 with the correct identification information of the key stored in a storage part 28, and only in the case of coincidence, the determining part 27 unlocks a locking part 3 by an electric signal.例文帳に追加

電気信号に変換された識別情報（ファーフィールドパターン）が、判定部２７により、記憶部２８に記憶された正しい鍵の識別情報と比較部され、合致する場合のみ、判定部２７が電気信号により施錠部３が解錠する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element capable of irradiating the laser beam whose configuration shows light intensity peaks at two or more angles as a lateral FFP (Far Field Pattern) in simpler structure, and to provide a manufacturing method.例文帳に追加

より簡素な構造をもって、横方向のＦＦＰ（Ｆａｒ Ｆｉｅｌｄ Ｐａｔｔｅｒｎ）として複数の角度に光強度ピークを示すビーム形態のレーザ光を出射することのできる半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁