Gateを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 43243件
A gate insulation film is provided between the channel region and the gate electrode.例文帳に追加
チャネル領域とゲート電極との間にゲート絶縁膜が配置されている。 - 特許庁
A gate electrode 9 is formed on the upper surface of the gate oxide film 12.例文帳に追加
ゲート酸化膜12上面にはゲート電極9が形成されている。 - 特許庁
The gate electrode GE is formed on the p-type gack gate region BG.例文帳に追加
ゲート電極GEは、p型バックゲート領域BG上に形成されている。 - 特許庁
SLIDE GATE VALVE AND THERMAL DECOMPOSITION GASIFYING DEVICE USING THE SLIDE GATE VALVE例文帳に追加
スライドゲート弁およびそのスライドゲート弁を用いてなる熱分解ガス化装置 - 特許庁
An active cell is formed in the structure of a gate electrode (polysilicon)/gate oxide film.例文帳に追加
能動セル部分はゲート電極(ポリシリコン)/ゲート酸化膜の構造とした。 - 特許庁
A gate electrode 21 is provided on the gate insulating film, and comprises a first part.例文帳に追加
ゲート電極21は、ゲート絶縁膜上に設けられ、第1部分を含む。 - 特許庁
The LCD panel includes gate lines and data lines crossing the gate lines.例文帳に追加
液晶表示パネルは、ゲートライン及びゲートラインと交差するデータラインを含む。 - 特許庁
During programming, electronic tunneling occurs between the floating gate and the program gate.例文帳に追加
プログラミング中、浮遊ゲートとプログラム・ゲートの間で電子トンネリングが発生する。 - 特許庁
The liquid crystal display panel includes gate lines and data lines intersecting with the gate lines.例文帳に追加
液晶表示パネルはゲートライン及びゲートラインと交差するデータラインを含む。 - 特許庁
The screen 10 is integrally mounted on a gate door 2 of a pump gate 1.例文帳に追加
ポンプゲート1のゲート扉体2にスクリーン10を一体的に取り付ける。 - 特許庁
Furthermore, a gate electrode side wall 104 adjacent to the gate electrode is formed.例文帳に追加
さらにゲート電極に隣接するゲート電極側壁104を形成する。 - 特許庁
The memory gate 17 adjoins the selection gate 18 through the stacked film 15.例文帳に追加
メモリゲート17は、積層膜15を介して選択ゲート18に隣接する。 - 特許庁
A polysilicon gate electrode 4 is formed on the gate insulating film 3.例文帳に追加
ゲート絶縁膜3上にはポリシリコンのゲート電極4が形成されている。 - 特許庁
A gate electrode (6) is arranged in the trench (4) via a gate insulating film (5).例文帳に追加
トレンチ(4)内にゲート絶縁膜(5)を介してゲート電極(6)が配設される。 - 特許庁
Control gate electrodes 9 are formed on the inter-gate insulating films 8.例文帳に追加
ゲート間絶縁膜8上にコントロールゲート電極9が形成されている。 - 特許庁
A gate electrode 4 and a gate insulation film 3 are formed at each region.例文帳に追加
夫々の領域にゲート電極4及びゲート絶縁膜3を形成する。 - 特許庁
The gate insulating film 25 of the varactor 20 is thicker than the gate insulating films 15 and 75.例文帳に追加
バラクタ20のゲート絶縁膜25は、ゲート絶縁膜15,75よりも厚い。 - 特許庁
The gate electrodes are provided within the gate insulating films in the trenches.例文帳に追加
ゲート電極は、トレンチ内におけるゲート絶縁膜の内側に設けられた。 - 特許庁
The gate electrode 6 and the gate electrode 10 are formed in separate processes.例文帳に追加
これらゲート電極6とゲート電極10は別工程で形成される。 - 特許庁
A gate electrode is formed over a gate dielectric on a semiconductor substrate.例文帳に追加
ゲート電極を半導体基板表面のゲート誘電体上に形成する。 - 特許庁
The gate structure includes a gate dielectric layer, a conductive layer and an insulation layer.例文帳に追加
ゲート構造は、ゲート誘電体層、導電層、および絶縁層を含む。 - 特許庁
"Kokusenya Kassen" (The Battle of Coxinga), Section 2, "Shishigajo Romon no ba" (Scene of Tower Gate of Shishiga-jo Castle) => "Romon" (Tower Gate) 例文帳に追加
『国性爺合戦』二段目「獅子ヶ城楼門の場」→『楼門』(ろうもん) - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
The INHIBIT-gate, represented by the hexagon, is a special case of the AND-gate. 例文帳に追加
六角形で示されている抑止ゲートは、ANDゲートの特殊例の一つである。 - コンピューター用語辞典
METHOD FOR MANUFACTURING SELF-ALIGNED T SHAPED GATE TO REDUCE GATE RESISTANCE例文帳に追加
ゲート抵抗を減少するための自動整合T形ゲートの製造方法 - 特許庁
METHOD OF FORMING GATE CONTROL ELECTRODE FOR INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR例文帳に追加
絶縁ゲ—ト型バイポ—ラトランジスタのためのゲ—トコントロ—ル電極を作製する方法 - 特許庁
A gate signal from a gate signal generating circuit 14 is prevented thereby from being generated.例文帳に追加
これにより、ゲート生成回路14からゲート信号が発生しなくなる。 - 特許庁
The gate drive circuit includes an on-side circuit that performs on-operation of the gate of a power switching element.例文帳に追加
パワースイッチング素子のゲートのオン動作を行うオン側回路を備える。 - 特許庁
GATE OXIDE FILM, ELEMENT, AND METHOD AND MATERIAL FOR FORMING GATE OXIDE FILM例文帳に追加
ゲート酸化膜、素子、ゲート酸化膜形成方法、ゲート酸化膜形成材料 - 特許庁
One such type of technology is the Field Programmable Gate Array (FPGA). 例文帳に追加
こうしたテクノロジーの一種としては、現場プログラミング可能ゲートアレイ(Field Programmable Gate Array, FPGA) がある。 - Electronic Frontier Foundation『DESのクラック:暗号研究と盗聴政策、チップ設計の秘密』
A first gate aspect ratio defined by a distance dm between the gate structures 5 and a height h of the gate structures 5 is larger than a second gate aspect ratio defined by a distance dr1 between the gate structures 55 and a height h of the gate structures 55.例文帳に追加
ゲート構造5間の距離dmと、ゲート構造5の高さhとで規定される第1のゲートアスペクト比は、ゲート構造55間の距離dr1と、ゲート構造55の高さhとで規定される第2のゲートアスペクト比よりも大きい。 - 特許庁
A first gate electrode 105A having a first gate length (relatively short gate length) is fully silicided, and a second gate electrode 105B having a second gate length (relatively long gate length) is not fully silicided.例文帳に追加
第1のゲート長(相対的に短いゲート長)を持つ第1のゲート電極105Aがフルシリサイド化されているのに対して、第2のゲート長(相対的に長いゲート長)を持つ第2のゲート電極105Bはフルシリサイド化されていない。 - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING TRENCH-GATE-TYPE TRANSISTOR例文帳に追加
トレンチゲート型トランジスタの製造方法 - 特許庁
VOICE COMMUNICATION METHOD AND GATE DEVICE例文帳に追加
音声通信方法およびゲート装置 - 特許庁
UPSTREAM WATER LEVEL ADJUSTING GATE FOR WATER CHANNEL例文帳に追加
水路の上流水位調節ゲート - 特許庁
In ends of the juxtaposed gate patterns 21, 22, and opposite ends of the juxtaposed gate patterns 23, 24, the end of the gate pattern 21 projects toward the gate patterns 23, 24 beyond the end of the gate pattern 22, the opposite end of the gate pattern 24 projects toward the gate patterns 21, 22 beyond the opposite end of the gate pattern 23.例文帳に追加
並列に並ぶゲートパターン21,22の端部と、並列に並ぶゲートパターン23,24の対向端部とにおいて、ゲートパターン21の端部はゲートパターン22の端部よりもゲートパターン23,24の方に突き出ており、ゲートパターン24の対向端部はゲートパターン23の対向端部よりも、ゲートパターン21,22の方に突き出ている。 - 特許庁
SUBSTANTIAL GATE 3 STAGE 00 CUT ADDER例文帳に追加
実質ゲート3段00カット加算器 - 特許庁
GATE STRUCTURE OF INJECTION MOLD例文帳に追加
射出成形用金型のゲート構造 - 特許庁
Subsequently, a gate oxide film is formed.例文帳に追加
その後に、ゲート酸化膜を形成する。 - 特許庁
RECEPTION PROCEDURE SYSTEM FOR CONTAINER TERMINAL GATE例文帳に追加
コンテナターミナルゲートの受付手続システム - 特許庁
SOLAR PANEL INSTALLING APPARATUS FOR MOTORIZED GATE例文帳に追加
電動門扉のソーラーパネル取付装置 - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING TRENCH-GATE TYPE TRANSISTOR例文帳に追加
トレンチゲート型トランジスタの製造方法 - 特許庁
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原題:”Cracking DES: Secrets of Encryption Research, Wiretap Politics, and Chip Design ” 邦題:『DESのクラック:暗号研究と盗聴政策、チップ設計の秘密』 | This work has been released into the public domain by the copyright holder. This applies worldwide. 日本語版の著作権保持者は ©1999 山形浩生<hiyori13@alum.mit.edu>である。この翻訳は、全体、部分を問わず、使用料の支払いなしに複製が認められる。 |
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