「Generation Z」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

An output sound signal generation part 15 generates an output directional signal Z (t) of the input directional pattern, from the plurality of processing sound collection signals Y1 (t), Y2 (t), Y3 (t), and adjusts audio characteristics and frequency characteristics in accordance with additional information related to the input purpose of use, to the output directional signal Z (t) to generate an output sound signal ZZ (t).例文帳に追加

出力音信号生成部１５は、複数の加工用収音信号Ｙ１（ｔ），Ｙ２（ｔ），Ｙ３（ｔ）から、操作入力された指向性パターンの出力用指向性信号Ｚ（ｔ）を生成し、当該出力用指向性信号Ｚ（ｔ）に対して、操作入力された使用用途に関する付加情報に応じた音響特性や周波数特性の調整を行って出力音信号ＺＺ（ｔ）を生成する。 - 特許庁

An image data generation part 304 attains the field depth by superimposing a two-dimensional object image generated based on the set depth value z with a translucent two-dimensional object image, based on the two-dimensional object image while mutually shifting them by a predetermined quantity in a predetermined direction.例文帳に追加

画像データ生成部３０４は、設定される深度値ｚに基づき、生成される二次元オブジェクト画像と、二次元オブジェクト画像を元画像とする半透明二次元オブジェクト画像とを所定方向に所定量だけずらして重畳することで、被写界深度を実現する。 - 特許庁

When the X coarse movement stage 23X moves, the cable 56 is guided in a Z axis direction associating with deformation of the link mechanism 60, and thereby, a release amount of the cable 56 viewed from the fixed member 66 side is adjusted, suppressing sliding of the cable 56 on another member and simultaneously suppressing generation of vibration.例文帳に追加

Ｘ粗動ステージ２３Ｘが移動すると、リンク機構６０の変形に伴って、ケーブル５６がＺ軸方向に案内され、これにより固定部材６６側から見たケーブル５６の繰り出し量が調整されるので、ケーブル５６と他の部材との摺動が抑制され、同時に振動の発生も抑制される。 - 特許庁

In a high voltage generation means provided with a discharge voltage detection circuit 41 for detecting the discharge voltage and generating the high voltage for applying to the discharge electrode at the high voltage power source part, a detection output of the discharge voltage detection circuit is fed-back through an element Z having a constant voltage characteristic.例文帳に追加

放電電圧を検出する放電電圧検出回路４１を備えるとともに、高圧電源部における放電電極への印加用の高電圧を発生する高圧発生手段は、上記放電電圧検出回路の検出出力が定電圧特性を有する素子Ｚを介してフィードバックされる。 - 特許庁

The method for processing a silicon-based insulating film 2 formed on a silicon substrate 1 and having a hole k comprises a step for deforming the hole k by sputter etching using inert gas to which CxHyFz-based reactive gas (x>0, y≥0, z>0) is added, and suppressing generation of a space (Void) in the silicon-based insulating film 2.例文帳に追加

シリコン基板１上に形成された、孔部ｋを有するシリコン系絶縁膜２の加工方法であって、不活性ガスにＣｘＨｙＦｚ系の反応性ガス（ｘ＞０，ｙ≧０，ｚ＞０）を添加したガスを用いたスパッタエッチングにより孔部ｋを変形させて、シリコン系絶縁膜２内に空間部（Ｖｏｉｄ）が発生するのを抑制する工程を含む。 - 特許庁