「III-V semiconductor」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

III-V GROUP COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

３−５族化合物半導体 - 特許庁

III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

３−５族化合物半導体 - 特許庁

The semiconductor laser 1 is also provided with a group III-V compound semiconductor layer 11 provided on the group III-V compound semiconductor layer 9 and containing a phosphorous element, and a group III-V compound semiconductor layer 13 provided on the group III-V compound semiconductor layer 11 and containing an arsenic element.例文帳に追加

また、半導体レーザ１は、III−V族化合物半導体層９上に設けられリン元素を含むIII−V族化合物半導体層１１と、III−V族化合物半導体層１１上に設けられヒ素元素を含むIII−V族化合物半導体層１３とを備える。 - 特許庁

The semiconductor laser 1 is provided with a group III-V compound semiconductor layer 5, an active layer 7 provided on the group III-V compound semiconductor layer 5, and a group III-V compound semiconductor layer 9 provided on the active layer 7 and containing a phosphorous element.例文帳に追加

半導体レーザ１は、III−V族化合物半導体層５と、III−V族化合物半導体層５上に設けられた活性層７と、活性層７上に設けられリン元素を含むIII−V族化合物半導体層９とを備える。 - 特許庁

At this time, the second group III-V compound semiconductor layer may be laminated on the first group III-V compound semiconductor layer.例文帳に追加

このとき、第２のIII−V族化合物半導体層は、第１のIII−V族化合物半導体層上に積層されていても良い。 - 特許庁

A current constriction layer 12 is configured by the group III-V compound semiconductor layer 11 and the group III-V compound semiconductor layer 13.例文帳に追加

III−V族化合物半導体層１１とIII−V族化合物半導体層１３とによって電流狭窄層１２が構成される。 - 特許庁

To improve the characteristics of a semiconductor device using III-V compound mixed crystal semiconductor materials containing In and III group elements other than In and N, and V group elements other than N.例文帳に追加

InとIn以外のIII族元素、NとN以外のV族元素を含むIII−V族化合物混晶半導体材料を用いた半導体装置の特性を向上させる。 - 特許庁

A III-V compound semiconductor layer 106 is formed on the surface part 105.例文帳に追加

表面部１０５上にIII-V族の化合物半導体層１０６を成膜する。 - 特許庁

The EA modulator device 37b has an n-type III-V compound semiconductor clad layer 17b, a III-V compound semiconductor SCH layer 19b, a III-V compound semiconductor active layer 21b, a III-V compound semiconductor SCH layer 23b, and a p-type III-V compound semiconductor clad layer 25b.例文帳に追加

ＥＡ型変調器デバイス部４７ｂは、ｎ型III-Ｖ族化合物半導体クラッド層１７ｂ、III-Ｖ族化合物半導体ＳＣＨ層１９ｂ、III-Ｖ族化合物半導体活性層層２１ｂ、III-Ｖ族化合物半導体ＳＣＨ層２３ｂ、ｐ型III-Ｖ族化合物半導体クラッド層２５ｂを有する。 - 特許庁

The DC device 47a has an n-type III-V compound semiconductor clad layer 3b, a III-V compound semiconductor SCH layer 5b, a III-V compound semiconductor active layer 7b, a III-V compound semiconductor SCH layer 9b, and a p-type III-V compound semiconductor clad layer 11b.例文帳に追加

ＬＤデバイス部４７ａは、ｎ型III-Ｖ族化合物半導体クラッド層３ｂ、III-Ｖ族化合物半導体ＳＣＨ層５ｂ、III-Ｖ族化合物半導体活性層層７ｂ、III-Ｖ族化合物半導体ＳＣＨ層９ｂ、およびｐ型III-Ｖ族化合物半導体クラッド層１１ｂを有する。 - 特許庁

Further, the group III-V nitride-based light-emitting element comprises the group III-V nitride-based semiconductor substrate and at least an active layer composed of a group III-V nitride-based semiconductor, which layer is formed on the group III-V nitride-based semiconductor substrate.例文帳に追加

また、このIII−Ｖ族窒化物系半導体基板上に、少なくともIII−Ｖ族窒化物系半導体からなる活性層を形成してIII−Ｖ族窒化物系発光素子とする。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE USING GROUP III-V NITRIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体を用いた半導体装置 - 特許庁

The III-V compound semiconductor layer 7 is provided between the active region 5 and the group III nitride substrate 3.例文帳に追加

III−Ｖ化合物半導体層７は、活性領域５とIII族窒化物基板３との間に設けられている。 - 特許庁

The active region 5 is provided on the group III nitride substrate 3, and is made of a III-V compound semiconductor.例文帳に追加

活性領域５は、III族窒化物基板３上に設けられており、III−Ｖ化合物半導体から成る。 - 特許庁

To obtain a III-V nitride based semiconductor light emitting device having a high luminous efficiency by suppressing re-evaporation of a group III-V element.例文帳に追加

III族元素の再蒸発を抑制して、発光効率が高いIII-V族窒化物系半導体発光素子を得る。 - 特許庁

A light emitting layer 12 made of a group III-V nitride semiconductor is formed between a first semiconductor layer 11 made of an n-type group III-V nitride semiconductor and a second semiconductor layer 13 made of a p-type group III-V nitride semiconductor.例文帳に追加

ｎ型のIII-Ｖ族窒化物半導体からなる第１半導体層１１と、ｐ型のIII-Ｖ族窒化物半導体からなる第２半導体層１３との間に、III-Ｖ族窒化物半導体からなる発光層１２が形成されている。 - 特許庁

GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR EPITAXIAL WAFER例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体素子及びＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体エピタキシャルウェハ - 特許庁

GROUP III-V NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND METHOD FOR MANUFACTURING GROUP III-V NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体基板及びＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体基板の製造方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING III-V NITRIDE SEMICONDUCTOR AND III-V NITRIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体の製造方法およびＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR, AND GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造方法およびＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体 - 特許庁

APPARATUS FOR MANUFACTURING III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR AND III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体製造装置及びＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造方法 - 特許庁

To prevent degradation of output caused by heat in a semiconductor device having a group III-V nitride semiconductor.例文帳に追加

III-V族窒化物半導体を有する半導体装置において、熱による出力低下を低減する。 - 特許庁

The nitride based III-V compound semiconductor device is manufactured by using a nitride based III-V compound semiconductor containing gadolinium(Gd).例文帳に追加

ガドリニウム（Ｇｄ）を含む窒化物系III−Ｖ族化合物半導体を用いて窒化物系III−Ｖ族化合物半導体装置を作製する。 - 特許庁

First, a group III-V compound semiconductor layer 16a is formed on a group III-V compound semiconductor substrate 12.例文帳に追加

まず、III−Ｖ族化合物半導体基板１２上にIII−Ｖ族化合物半導体層１６ａを形成する。 - 特許庁

A window layer 23 is composed of a second III-V compound semiconductor with a larger band gap than the first III-V compound semiconductor.例文帳に追加

窓層２３は、第１のIII−Ｖ化合物半導体より大きなバンドギャップを有する第２のIII−Ｖ化合物半導体からなる。 - 特許庁

The junction region 19 comprises an n-type III-V compound semiconductor layer 25 and a p-type III-V compound semiconductor layer 27.例文帳に追加

接合領域１９は、ｎ型III−Ｖ化合物半導体層２５およびｐ型III−Ｖ化合物半導体層２７からなる。 - 特許庁

A tunnel junction TJ is formed with the p-type III-V group compound semiconductor layer 18 and the n-type III-V group compound semiconductor 20.例文帳に追加

ｐ型III−Ｖ族化合物半導体層１８とｎ型III−Ｖ族化合物半導体層２０とによってトンネル接合ＴＪが形成されている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a group III-V compound semiconductor substrate, capable of improving the PL strength of the group III-V compound semiconductor substrate.例文帳に追加

III−Ｖ族化合物半導体基板のＰＬ強度を向上できるIII−Ｖ族化合物半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The second group III-V compound semiconductor layer is functioned as a light absorption layer, an energy gap of the second group III-V compound semiconductor layer is smaller than that of the first group III-V compound semiconductor layer, and Be or C is used as a p-type dopant in the respective semiconductor layers.例文帳に追加

第２のIII−V族化合物半導体層が光吸収層として機能し、第２のIII−V族化合物半導体層のエネルギーギャップは、第１のIII−V族化合物半導体層のそれより小さく、各半導体層におけるｐ型のドーパントとしては、Ｂｅ又はＣが用いられる。 - 特許庁

The mesa portion 9 is made of a group III-V compound semiconductor.例文帳に追加

メサ部９はIII−Ｖ族化合物半導体から構成されている。 - 特許庁

To provide a III-V dilute magnetic semiconductor exhibiting ferromagnetism at normal temperature.例文帳に追加

常温で強磁性を示すIII−Ｖ族希薄磁性半導体を提供する。 - 特許庁

To enhance an electrostatic withstand voltage of a group III-V nitride semiconductor element.例文帳に追加

III−Ｖ族窒化物化合物半導体素子の静電耐圧を向上させる。 - 特許庁

In a second embodiment, the P-transition layer is an arbitrary Group III-V semiconductor.例文帳に追加

第２実施形態では、Ｐ型遷移層は、任意のIII-Ｖ族半導体である。 - 特許庁

The current block area 21 is composed of an undoped group III-V semiconductor.例文帳に追加

電流ブロック領域２１はアンドープIII−Ｖ族半導体からなる。 - 特許庁

The undoped group III-V semiconductor is grown at the temperature of ≤600°C.例文帳に追加

このアンドープIII−Ｖ族半導体は６００度以下で成長される。 - 特許庁

The first III-V compound semiconductor layer 33 is GaAs, the second III-V compound semiconductor layer 35 is GaInNAs, and the third III-V compound semiconductor layer 37 is GaAs.例文帳に追加

第１のIII−Ｖ化合物半導体層３３はＧａＡｓであり、第２のIII−Ｖ化合物半導体層３５はＧａＩｎＮＡｓであり、第３のIII−Ｖ化合物半導体層３７はＧａＡｓである。 - 特許庁

To provide a III-V-family compound semiconductor epitaxial wafer with excellent electric characteristics.例文帳に追加

電気的特性に優れたIII-V 族化合物半導体エピタキシャルウェハを提供する。 - 特許庁

GROUP III-V NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND GROUP III-V NITRIDE-BASED LIGHT-EMITTING ELEMENT例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族窒化物系半導体基板及びＩＩＩ−Ｖ族窒化物系発光素子 - 特許庁

III-V SEMICONDUCTOR LASER DIODE例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ半導体レーザダイオード - 特許庁

GROUP III-V NITRIDE SEMICONDUCTOR EPITAXIAL WAFER例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体エピタキシャルウェハ - 特許庁

GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR EPITAXIAL WAFER例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体エピタキシャルウェハ - 特許庁

GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR EPITAXIAL WAFER例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体エピタキシャルウエハ - 特許庁

III-V SEMICONDUCTOR MULTILAYER FILM AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族半導体多層膜及びその製造方法 - 特許庁

GAN BASED III-V NITRIDE SEMICONDUCTOR DIODE例文帳に追加

ＧａＮ系ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体ダイオード - 特許庁

III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DIODE例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体発光ダイオード - 特許庁