「IMPurity」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

METHOD AND APPARATUS FOR DETECTING IMPURITY例文帳に追加

不純物検出のための方法および装置 - 特許庁

METHOD OF REMOVING IMPURITY IN PLASMA DISPLAY DEVICE例文帳に追加

プラズマディスプレイ装置の不純物除去方法 - 特許庁

IMPURITY QUANTITY MEASURING METHOD AND DEVICE THEREFOR例文帳に追加

不純物量測定方法およびその装置 - 特許庁

METHOD FOR REMOVING IMPURITY IN ETHYL LACTATE例文帳に追加

乳酸エチル中の不純物の除去方法 - 特許庁

To form a shallower impurity diffusion layer.例文帳に追加

より浅い不純物拡散層を形成する。 - 特許庁

APPARATUS FOR ANALYZING TRACE AMOUNT OF IMPURITY IN GAS例文帳に追加

ガス中の微量不純物の分析装置 - 特許庁

METHOD OF ANALYZING IMPURITY IN SILICON MATERIAL例文帳に追加

珪素材料中の不純物分析方法 - 特許庁

The second impurity layer 52 is provided in an area between the photoelectric conversion part 10 and the amplifying part, and second impurity concentration P2 of the second impurity layer 52 is made higher than first impurity concentration P1 of the first impurity layer 51.例文帳に追加

そして、第２不純物層５２を、光電変換部１０及び増幅部間の領域に設け、第２不純物層５２の第２不純物濃度Ｐ２を第１不純物層５１の第１不純物濃度Ｐ１より高くする。 - 特許庁

The opening for the anode is masked, a p-type impurity element is added to the n-type impurity region, and a second n-type impurity region containing an n-type impurity element and the p-type impurity element is formed.例文帳に追加

アノード用開口部をマスクして、カソード用開口部を通して、ｎ型不純物領域にｐ型不純物元素を添加し、ｎ型不純物元素およびｐ型不純物元素を含む第２のｎ型不純物領域を形成する。 - 特許庁

The impurity concentration of the fourth impurity layer PW is higher than that of the third and fifth impurity layers OFB and OFB2, and the impurity concentration of the fifth impurity layer OFB2 is higher than that of the third impurity layer OFB.例文帳に追加

第４の不純物層ＰＷにおける不純物濃度は、第３および第５の不純物層ＯＦＢ，ＯＦＢ２における不純物濃度よりも高く、第５の不純物層ＯＦＢ２における不純物濃度は、第３の不純物層ＯＦＢにおける不純物濃度よりも高い。 - 特許庁

Each of the pair of impurity regions of the fist semiconductor element shows a conductive type which is opposite to the second impurity section of the impurity region, while comprising a third impurity section which suppresses the second impurity section of the impurity region.例文帳に追加

さらに、第１の半導体素子の前記一対の不純物領域のそれぞれは、該不純物領域の前記第２の不純物区域の導電型と逆の導電型を示しかつ当該不純物領域の前記第２の不純物区域を抑制する第３の不純物区域を有する。 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR ANALYZING IMPURITY IN GAS例文帳に追加

ガス中の不純物分析方法及び装置 - 特許庁

The impurity concentration of the low-concentration impurity region 36 is lower than that of the P well 2.例文帳に追加

低濃度不純物領域３６の不純物濃度はＰウェル２の不純物濃度よりも低い。 - 特許庁

A first impurity region 15 and a second impurity region 16 are disposed at both sides of the channel region 14.例文帳に追加

第１、第２不純物領域１５、１６が、チャネル領域１４の両側に配設されている。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF SAMPLE FOR MEASURING IMPURITY DISTRIBUTION OF SEMICONDUCTOR AND MEASURING METHOD OF IMPURITY DISTRIBUTION例文帳に追加

半導体の不純物分布測定用試料の製造方法および不純物分布測定方法 - 特許庁

IMPURITY GAS REMOVING METHOD FOR FUEL CELL POWER GENERATION FACILITY AND IMPURITY GAS REMOVING DEVICE THEREOF例文帳に追加

燃料電池発電設備の不純物ガス除去方法及びその不純物ガス除去装置 - 特許庁

The n^+-embedding layer 31 has a second impurity concentration higher than the first impurity concentration of the n-type impurity region 121.例文帳に追加

ｎ^+埋め込み層３１は、ｎ型不純物領域１２１が有する第１の不純物濃度よりも高い第２の不純物濃度を有する。 - 特許庁

METHOD OF INJECTING IMPURITY INTO SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加

半導体基板への不純物注入方法 - 特許庁

METHOD FOR REMOVING IMPURITY FROM FUEL OIL例文帳に追加

燃料油から不純物を除去する方法 - 特許庁

IMPURITY GAS REMOVING APPARATUS AND CLEAN ROOM APPARATUS例文帳に追加

不純物ガス除去装置及びクリーンルーム装置 - 特許庁

Izanagi despised the impurity of the underworld and cleansed himself. 例文帳に追加

イザナギは黄泉のケガレを嫌って禊をした。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The regions 21, 22 include a p-type impurity.例文帳に追加

領域２１，２２は、Ｐ型の不純物を含む。 - 特許庁

A hole 350 is formed in the impurity region.例文帳に追加

不純物領域に穴３５０を形成する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR SUBSTRATE SURFACE IMPURITY RECOVERING DEVICE例文帳に追加

半導体基板表面不純物回収装置 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR REMOVING IMPURITY IN PIPE例文帳に追加

管内夾雑物の除去方法及び装置 - 特許庁

IMPURITY CONCENTRATION ANALYSIS METHOD OF SILICEOUS POWDER例文帳に追加

シリカ質粉末の不純物濃度分析方法 - 特許庁

free from moral blemish or impurity 例文帳に追加

道徳的な汚点または不純を含まないさま - 日本語WordNet

Impurity gas is introduced to an ion source 2 from an impurity gas source 1 and is ionized.例文帳に追加

不純物ガス源１から不純物ガスをイオン源２に導入し、不純物ガスをイオン化させる。 - 特許庁

Directly under the solid impurity diffusing sources 2A and 2B, impurity diffusing layers 3A and 3B are formed.例文帳に追加

不純物固体拡散源２Ａ，２Ｂの直下に不純物拡散層３Ａ，３Ｂが形成される。 - 特許庁

To effectively remove peritectic impurity and eutectic impurity in a refining of aluminum.例文帳に追加

アルミニウムの精製において、包晶不純物および共晶不純物を効率良く除去する。 - 特許庁

MEASURING METHOD OF IMPURITY IN SEMICONDUCTOR WAFER AND MEASURING PROGRAM OF IMPURITY IN SEMICONDUCTOR WAFER例文帳に追加

半導体ウエハの不純物の測定方法及び半導体ウエハの不純物の測定プログラム - 特許庁

IMPURITY REMOVAL DEVICE AND FUEL CELL SYSTEM例文帳に追加

不純物除去装置及び燃料電池システム - 特許庁

The channel region 27 includes a pair of low-concentration impurity regions 25 with relatively smaller impurity concentration, and a high-concentration impurity region 26 that is located while being held between the low-concentration impurity regions 25 and has relatively large impurity concentration.例文帳に追加

チャネル領域２７は、相対的に不純物濃度が小さい１対の低濃度不純物領域２５と、低濃度不純物領域２５に挟まれて位置し、相対的に不純物濃度が大きい高濃度不純物領域２６とを含む。 - 特許庁

CALCULATION PROGRAM OF IMPURITY CONCENTRATION IN PLATING COAT例文帳に追加

めっき被膜中の不純物濃度計算プログラム - 特許庁

FUEL CELL SYSTEM AND IMPURITY REMOVING METHOD例文帳に追加

燃料電池システム、および不純物除去方法 - 特許庁

SAMPLING METHOD OF IMPURITY IN WATER-SOLUBLE GAS例文帳に追加

水溶性ガス中の不純物のサンプリング方法 - 特許庁

To suppress mixing of an impurity with which an impurity layer formed firstly is doped into an impurity layer formed secondly when the impurity layers of different conductivity types are formed in order.例文帳に追加

導電型が異なる不純物層を順に形成する場合に、先に形成した不純物層へのドーピング用の不純物が後に形成する不純物層に混入されることを抑制する。 - 特許庁

IMPURITY GAS ELIMINATING DEVICE FOR GAS DISCHARGE DISPLAY DEVICE例文帳に追加

ガス放電表示装置の不純ガス除去装置 - 特許庁

IMPURITY ACTIVATING METHOD AND LASER IRRADIATION APPARATUS例文帳に追加

不純物活性化方法及びレーザ照射装置 - 特許庁

MICRO IMPURITY ANALYTICAL METHOD IN SILICON SUBSTRATE例文帳に追加

シリコン基板中の微量不純物分析方法 - 特許庁

For a range of impurity concentration in the impurity region, impurity addition is made within a concentration range so that the source and drain regions and the impurity region can form a pn junction diode.例文帳に追加

そして、不純物領域の不純物濃度の範囲は、ソース領域及びドレイン領域と、不純物領域と、がＰＮ接合ダイオードを形成できる濃度範囲で添加されているものとする。 - 特許庁

The impurity region Ap for the function element is electrically connected to the impurity region An for the power supply potential through the conductive layer PCL for contact formed straddling the impurity region Ap for the function element and the impurity region An for the power supply potential.例文帳に追加

上記機能素子用不純物領域Ａｐと電源電位用不純物領域Ａｎとをまたぐように形成されるコンタクト用導電層ＰＣＬを通じて電気的に接続される。 - 特許庁

METHOD FOR MEASURING IMPURITY CONCENTRATION IN SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

半導体素子の不純物濃度の測定方法 - 特許庁

The concentration of the p- impurity region 3a is higher than that of the p- impurity region 4a, and the concentration of the n+ impurity region 3b is higher than that of the n+ impurity region 4b.例文帳に追加

そして、ｐ^-不純物領域３ａの濃度をｐ^-不純物領域４ａの濃度よりも高くし、ｎ^+不純物領域３ｂの濃度をｎ^+不純物領域４ｂの濃度よりも高くする。 - 特許庁

The impurity concentration of the p+-type impurity region 33 is higher than the impurity concentration of the p-type well 29, and the p+-type impurity region 33 is formed shallower than that in the p-type well 29.例文帳に追加

ｐ^+型不純物領域３３の不純物濃度はｐ型ウェル２９の不純物濃度よりも高く、また、ｐ^+型不純物領域３３はｐ型ウェル２９よりも浅く形成されている。 - 特許庁