IMPurityを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 7276件
IMPURITY MONITORING DEVICE AND METHOD FOR BOILER WATER SYSTEM例文帳に追加
ボイラ水系の不純物監視装置及び方法 - 特許庁
IMPURITY SCATTER EVALUATING METHOD, AND DEVICE SIMULATOR例文帳に追加
不純物散乱評価方法及びデバイスシミュレータ - 特許庁
METHOD FOR MEASURING IMPURITY DISTRIBUTION OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
半導体装置の不純物分布測定方法 - 特許庁
IMPURITY TEST METHOD OF PAPER FOR LAMINATED PLATE例文帳に追加
積層板用原紙のきょう雑物試験方法 - 特許庁
The first source/drain region includes a first n-type impurity layer and a second n-type impurity layer having an impurity concentration higher and a depth shallower than those of the first n-type impurity layer.例文帳に追加
そして、第1のソース・ドレイン領域が、第1のn型不純物層と、第1のn型不純物層よりも不純物濃度が高く深さの浅い第2のn型不純物層を備えている。 - 特許庁
ANALYTICAL METHOD OF IMPURITY IN SEMICONDUCTOR SILICON例文帳に追加
半導体シリコン中の不純物の分析方法 - 特許庁
Her soul gem has accumulated too much impurity.例文帳に追加
彼女のソウルジェムは 穢れを溜め込み過ぎたのよ - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
The impurity concentration of the p^+-type impurity region 33 is higher than the impurity concentration of the p-type well 29, and the depth of the p^+-type impurity region 33 is shallower than the depth of the p-type well 29.例文帳に追加
p^+型不純物領域33の不純物濃度はp型ウェル29の不純物濃度よりも高く、また、p^+型不純物領域33はp型ウェル29よりも浅く形成されている。 - 特許庁
A potential applied to the p^- semiconductor substrate 1 and the p^+ impurity region 4 is lower than that of the p^+ impurity region 6 and the n^+ impurity region 45.例文帳に追加
p^-半導体基板1及びp^+不純物領域4は、p^+不純物領域6及びn^+不純物領域45よりも低い電位が与えられる。 - 特許庁
The impurity treating equipment is constituted of an impurity crusher 1 for crushing the impurities and a dehydrator 2 for dehydrating treatment matter obtained by crushing by the impurity crusher 1.例文帳に追加
夾雑物を破砕する夾雑物破砕機1と、この夾雑物破砕機1で破砕された被処理物を脱水する脱水機2とからなるものである。 - 特許庁
An n-type impurity is injected in high concentration with a first impurity injection mask consisting of a resist, and after that, the first impurity injection mask is exfoliated.例文帳に追加
レジストからなる第1の不純物注入マスクをマスクとしてn型不純物を高濃度に注入し、この後、第1の不純物注入マスクを剥離する。 - 特許庁
To provide an impurity concentration measuring method for quantitatively measuring an impurity concentration and measuring an impurity concentration distribution in a minute area.例文帳に追加
不純物濃度の定量的な測定や、微小領域の不純物濃度分布を測定することができる不純物濃度測定方法を提供する。 - 特許庁
At this time, the p-type impurity contained in the p^+-type impurity layer 22 is diffused into the p-type epitaxial layer 10 and, as a result, a p^+-type impurity layer 11 is formed.例文帳に追加
このとき、p^+ 型不純物層22中のp型不純物がp型エピタキシャル層10に拡散して、p^+ 型不純物層11が形成される。 - 特許庁
METHOD FOR ACTIVATING IMPURITY, AND LASER IRRADIATION EQUIPMENT例文帳に追加
不純物活性化方法及びレーザ照射装置 - 特許庁
VACUUM TREATMENT DEVICE AND ITS IMPURITY MONITORING METHOD例文帳に追加
真空処理装置及びその不純物監視方法 - 特許庁
IMPURITY REMOVING METHOD FOR FILTER FOR CLEAN ROOM例文帳に追加
クリーンルームにおけるフィルタの不純物除去方法 - 特許庁
(4) The impurity removal body is ion exchange resin.例文帳に追加
(4)不純物除去体がイオン交換樹脂である。 - 特許庁
METHOD FOR REFINING MOLTEN IRON HAVING LITTLE IMPURITY UNDER REDUCED PRESSURE例文帳に追加
不純物の少ない溶鉄の減圧精錬方法 - 特許庁
TRACE AMOUNT IMPURITY QUANTIFYING METHOD IN INORGANIC MATERIAL例文帳に追加
無機材料中の微量不純物定量方法 - 特許庁
METHOD OF QUANTIFYING IMPURITY IN SEMICONDUCTOR SUBSTRATE SURFACE例文帳に追加
半導体基板表面の不純物定量方法 - 特許庁
METHOD OF ELIMINATING CARBONACEOUS IMPURITY IN CARBON NANOTUBE例文帳に追加
炭素ナノチューブの炭素質不純物の除去方法 - 特許庁
METHOD FOR QUANTITATIVELY DETERMINING IMPURITY IN RUTHENIUM HYDROXIDE例文帳に追加
水酸化ルテニウム中の不純物の定量方法 - 特許庁
METHOD FOR REMOVING IMPURITY FROM HYDROCARBON OIL例文帳に追加
炭化水素油から不純物を除去する方法 - 特許庁
The lower-part diode impurity layer 41 is formed to be brought into contact with the lower part of the upper-part diode impurity layer 51.例文帳に追加
下部ダイオード不純物層41は、上部ダイオード不純物層51の下部に接して形成される。 - 特許庁
METHOD FOR LEADING IMPURITY, IMPURITY LEADING APPARATUS AND SEMICONDUCTOR DEVICE FORMED BY USING THE METHOD例文帳に追加
不純物導入方法、不純物導入装置およびこの方法を用いて形成された半導体装置 - 特許庁
In the separation chamber 26, an impurity rich gas having higher impurity concentration is separated from the anode exhaust gas.例文帳に追加
分離室26では、不純物濃度がより高い不純物リッチガスがアノード排ガスから分離される。 - 特許庁
Before carbonizing the silicon film of a portion being the impurity region, an impurity is doped into the portion.例文帳に追加
不純物領域になる部分のシリコン膜を炭化処理する前に、この部分に不純物を注入する。 - 特許庁
The impurity introduction portion 10 is constituted by introducing an n-type impurity into the nickel silicide film.例文帳に追加
不純物導入部10は、ニッケルシリサイド膜にn型不純物が導入されて構成されている。 - 特許庁
The impurity concentration of the n^- type buffer layer is made lower than the impurity concentration of the n type buffer layer 3.例文帳に追加
n^−型バッファー層の不純物濃度はn型バッファー層3の不純物濃度よりも低くする。 - 特許庁
The impurity ion adsorbing member 40 formes a complex with the impurity ion to perform adsorption.例文帳に追加
不純物イオン吸着部材40は、不純物イオンと錯体を形成することによって吸着を行う。 - 特許庁
(6) An inclined wall 5 to inhibit outflowing of impurity is formed in the installation porion of the impurity removing device.例文帳に追加
(6)不純物除去装置の設置部位に異物の流出を抑制する傾斜壁5を設けた。 - 特許庁
Then, impurity ions are implanted, and the embedded type impurity diffused region is formed in the cell array region.例文帳に追加
そして、不純物イオンを打ち込み、セルアレイ領域に埋込型不純物拡散領域を形成する。 - 特許庁
An impurity density of the first semiconductor region is higher than an impurity density of the second semiconductor region.例文帳に追加
第1半導体領域の不純物濃度が、第2半導体領域の不純物濃度よりも高い。 - 特許庁
To provide an impurity analysis method and an impurity analysis jig of a semiconductor substrate having a sufficient accuracy.例文帳に追加
十分な精度を有する半導体基板の不純物分析方法および分析用冶具を提供する。 - 特許庁
The resistance change portion 22 is second conductivity-type, and has an impurity concentration lower than that in the impurity diffusion region.例文帳に追加
抵抗変化部は、第2導電型であり、不純物拡散領域よりも不純物濃度が低い。 - 特許庁
DEVICE FOR COLLECTING IMPURITY IN AIR, COLLECTION METHOD USING THE SAME, AND METHOD FOR EVALUATING IMPURITY IN AIR例文帳に追加
空気中不純物の捕集装置、それを用いた捕集方法及び空気中不純物の評価方法 - 特許庁
In annealing, the thermal diffusion of impurity is inhibited by the impurity diffusion inhibition layer, electrical junction depth becomes shallower, and at the same time impurity concentration becomes higher at a region being shallower than the impurity diffusion layer, thus reducing resistance in the impurity diffusion layer.例文帳に追加
アニール時における不純物の熱拡散がこの不純物拡散抑制層により抑制され、電気的接合深さが浅くなるとともに、不純物拡散層より浅い領域では不純物濃度が高濃度となり、不純物拡散層の抵抗を下げる。 - 特許庁
Within an n-type drain region 14 in a semiconductor device, the impurity concentration of an impurity layer which is a region located by a 2 μm or smaller distance from the main surface of a semiconductor layer is set lower than a prescribed impurity concentration which is lower than the impurity concentration of the region 14, which is other than the impurity layer.例文帳に追加
n型ドレイン領域14内で、半導体主表面から2μm以下の領域である不純物層の不純物濃度が、不純物層以外のn型ドレイン領域14の不純物濃度より低い、所定の不純物濃度以下にする。 - 特許庁
Further, when a p-type impurity region 4 is formed on the n-type impurity region 3, only the n-type impurity region 3 is formed, in advance, or that both the n-type impurity region 3 and the p type impurity region 4 can be formed in advance.例文帳に追加
また、n型不純物領域3の上にp型不純物領域4を形成する場合、n型不純物領域3だけを先に形成したり、あるいは、n型不純物領域3とp型不純物領域4の両方を先に形成することが可能である。 - 特許庁
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