「IMPurity」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

Furthermore, A low impurity concentration region 32 in which the impurity concentration is lower than that of the high impurity concentration region 31 is provided in a part intersected with an X direction out of the side 14T.例文帳に追加

更に、側面１４ＴのうちでＸ方向と交差する部分内に、高不純物濃度領域３１よりも不純物濃度が低い低不純物濃度領域３２が設けられている。 - 特許庁

A second impurity peak at the location deeper than a first impurity peak as the impurity peak of impurity implanted region for adjusting the threshold voltage, exists in the region held by the source regions and drain regions of the FET's 20, 30.例文帳に追加

各ＦＥＴ２０，３０のソース領域とドレイン領域とで挟まれた領域には、閾値電圧調整用の不純物注入領域の不純物ピークである第１の不純物ピークよりも深い位置に現れる第２の不純物ピークが存在している。 - 特許庁

Further a second impurity diffusion region 22 (22A and 22B) of the conductive type reverse to the first impurity diffusion region 20 is made to adjoin the first impurity diffusion region 20, and further formed shallower than the first impurity diffusion region 20.例文帳に追加

さらに第１不純物拡散領域２０と逆の導電型である第２不純物拡散領域２２を、第１不純物拡散領域２０と隣接させるとともに、これを第１不純物拡散領域２０より浅く形成する。 - 特許庁

The second conductive type low concentration impurity layer 160 expands the second conductive type high concentration impurity layer 170 in depth direction and channel length direction so that it has an impurity concentration lower than the second conductive type high concentration impurity layer 170.例文帳に追加

第２導電型低濃度不純物層１６０は、第２導電型高濃度不純物層１７０を深さ方向及びチャネル長方向に拡張し、第２導電型高濃度不純物層１７０より不純物濃度が低濃度である。 - 特許庁

Further, the gate electrode 12d is formed to such a thickness that impurity ions are stopped from being transmitted when the impurity ions are injected in a high-density impurity layer forming stage, a high-density impurity layer 22 can be formed by injecting the impurity ions into the semiconductor substrate 10 while using the same gate electrode 12d as a mask.例文帳に追加

また、ゲート電極１２ｄが高濃度不純物層形成工程で不純物イオンを注入するときに不純物イオンの透過を妨げる厚さに形成されるため、同じゲート電極１２ｄをマスクにして半導体基板１０に不純物イオンを注入し、高濃度不純物層２２を形成することができる。 - 特許庁

A second MOS transistor has a second source/drain region having a second impurity region arranged in the semiconductor substrate, a third impurity region projecting to the upper side of the semiconductor substrate while contacting the second impurity region, and a fourth impurity region on the third impurity region.例文帳に追加

第２のＭＯＳトランジスタは、半導体基板内に設けられた第２の不純物領域と、第２の不純物領域に接触して半導体基板の上方に突出する第３の不純物領域と、第３の不純物領域上に第４の不純物領域とを有する第２のソース／ドレイン領域を有する。 - 特許庁

DIFFUSION AGENT COMPOSITION AND METHOD FOR FORMING IMPURITY DIFFUSION LAYER例文帳に追加

拡散剤組成物および不純物拡散層の形成方法 - 特許庁

APPARATUS FOR PROCESSING SUBSTRATE AND METHOD FOR ANALYSING IMPURITY OF SILICON SUBSTRATE例文帳に追加

基板処理装置及びシリコン基板の不純物分析方法 - 特許庁

The channel doped layer 103 contains carbon as an impurity.例文帳に追加

チャネル拡散層１０３は不純物として炭素を含んでいる。 - 特許庁

To form a high dielectric constant film that has little impurity content.例文帳に追加

不純物含有量の少ない高誘電率膜を形成する。 - 特許庁

To suppress the contamination of a magnet formed body caused by impurity gas.例文帳に追加

不純物ガスによる磁石成形体の汚染を抑制する。 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR REMOVING IMPURITY IN FLOW SOLDERING EQUIPMENT例文帳に追加

フロー式はんだ付け装置の不純物除去方法および装置 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR REMOVING IMPURITY IN FLOW SOLDERING EQUIPMENT例文帳に追加

フロー式ハンダ付け装置の不純物除去方法および装置 - 特許庁

EARTH AND SAND IMPURITY SEPARATING BUCKET AND SEPARATING METHOD例文帳に追加

土砂夾雑物分離バケット及び土砂夾雑物分離方法 - 特許庁

METHOD FOR REMOVING IMPURITY IN SEMICONDUCTOR WAFER AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

半導体ウェーハの不純物除去方法及び半導体装置 - 特許庁

Concentration of this p-type impurity is 1×10^15cm^-3.例文帳に追加

このｐ型不純物の濃度は、１×１０^15ｃｍ^-3である。 - 特許庁

IMPURITY PROCESSING DEVICE AND CLEANING METHOD THEREOF例文帳に追加

不純物処理装置及び不純物処理装置のクリーニング方法 - 特許庁

METHOD AND SYSTEM FOR REMOVING IMPURITY FROM HEAVY FUEL例文帳に追加

重質燃料から不純物を除去する方法及びシステム - 特許庁

METHOD FOR ANALYZING RHODIUM AND/OR INDIUM-CONTAINING MATERIAL FOR IMPURITY ELEMENT例文帳に追加

ロジウムやイリジウム含有物中の不純物元素分析方法 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR ANALYZING A VERY SMALL QUANTITY OF IMPURITY IN GAS例文帳に追加

ガス中の微量不純物の分析方法及び分析装置 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR SEPARATING CHARGED IMPURITY IN FLUID例文帳に追加

流体中の帯電性不純物の分離方法および装置 - 特許庁

To obtain impurity diffusion of high mass productivity at a low cost.例文帳に追加

低コストで量産性の高い不純物拡散を実現する。 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR MEASURING CONCENTRATION OF IMPURITY IN CVD MEMBRANE例文帳に追加

ＣＶＤ膜の不純物濃度測定方法及び測定装置 - 特許庁

ALUMINUM MATERIAL OF HARDLY ELUTING IMPURITY AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

低不純物溶出アルミニウム材料およびその製造方法 - 特許庁

APPARATUS FOR REMOVING IMPURITY CONTAINED IN ELECTROLESS TIN-PLATING SOLUTION, AND METHOD THEREFOR例文帳に追加

無電解錫めっき液の不純物除去装置及び方法 - 特許庁

REMOVAL OF IMPURITY FROM PASSAGE IN HYDROGEN SEPARATION FILM TYPE FUEL CELL例文帳に追加

水素分離膜型燃料電池流路からの不純物除去 - 特許庁

The impurity diffusion suppression region 22 is formed of In_x1Al_1-x1N (where 0<X1<1).例文帳に追加

不純物拡散抑制領域２２は、In_x1Al_1-x1N（但し、0＜X1＜1）である。 - 特許庁

The first impurity diffusion layer 206-10 separates between the photodiodes 1-1.例文帳に追加

第１不純物拡散層206-10は、フォトダイオード1-1間を分離する。 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR ANALYZING TRACE IMPURITY IN HYDRIDE GAS例文帳に追加

水素化物ガス中の微量不純物分析方法及び装置 - 特許庁

A witch may hatch if it absorbs any impurity beyond this.例文帳に追加

これ以上の穢れを吸ったら 魔女が孵化するかもしれない - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

METHOD FOR ANALYZING METAL IMPURITY IN SURFACE LAYER OF SILICON MATERIAL例文帳に追加

シリコン材料表層における金属不純物分析方法 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR SEPARATING AND RECOVERING IMPURITY IN MOLTEN SALT例文帳に追加

溶融塩中不純物の分離回収方法および装置 - 特許庁

After the temperature of a hydrogen separation membrane 46 is raised enough, the removal of the impurity is started by the high temperature impurity removing part 44.例文帳に追加

水素分離膜４６が充分に昇温した後は、高温不純物除去部４４による不純物除去が開始される。 - 特許庁

To carry out device simulation on the basis of a changed impurity- concentration distribution after impurity simulation data is changed by a simple operation.例文帳に追加

不純物シミュレーションデータを簡単な操作で変更して、変更後の不純物濃度分布に基づきデバイスシミュレーションを行うこと。 - 特許庁

A first film 203 is formed on a region where a lightly-doped n-type impurity region of an n-type impurity region is formed.例文帳に追加

ｎ型不純物領域の低濃度ｎ型不純物領域を形成する領域上に第１膜２０３を形成する。 - 特許庁

To provide an impurity amount prediction method, capable of predicting a metal impurity amount in a transistor size of a product wafer.例文帳に追加

製品ウェハにおけるトランジスタ寸法での、金属不純物量を予測可能とする不純物量予測方法を提供する。 - 特許庁

The p-type impurity concentration in a surface portion 17 of the guard ring 13 is set to be smaller than the n-type impurity concentration.例文帳に追加

そして、このガードリング１３の表層部１７におけるｐ型不純物濃度を、ｎ型不純物濃度よりも小さくする。 - 特許庁

To provide a pretreatment device for analyzing the surface impurity of a plate specimen, having superior determination accuracy and detection sensitivity of the impurity.例文帳に追加

不純物の定量精度と検出感度の優れた平板状試料の表面不純物分析の前処理装置を得る。 - 特許庁

Channel impurity concentration in a lower part of the auxiliary gate 223a is lower than the channel impurity concentration in a lower part of the floating gate 221b.例文帳に追加

また、補助ゲート２２３ａの下部のチャネル不純物濃度は、浮遊ゲート２２１ｂの下部のチャネル不純物濃度よりも低い。 - 特許庁

In predetermined regions of the N^- semiconductor layers 2, N-type impurity regions 5 and P-type impurity regions 4 are formed.例文帳に追加

Ｎ^-半導体層２の所定の領域では、Ｎ型不純物領域５とＰ型不純物領域４が形成されている。 - 特許庁

Owing to the presence of the impurity layer (8), the impurity concentration diffused from the p-type cladding layer (18) to the waveguide layer (6) is reduced.例文帳に追加

この不純物層（４）により、ｐ型クラッド層（１８）から導波層（６）へ拡散される不純物の濃度が低減される。 - 特許庁

The impurity concentration of the first impurity areas 5b and 5c is the same as that of one electrode 8a of the capacitor 60.例文帳に追加

第１不純物領域５ｂ，５ｃの不純物濃度とキャパシタ６０の一方電極８ａの不純物濃度とが同じである。 - 特許庁

The surface local semiconductor region 26 is formed so as to have an impurity concentration larger than the impurity concentration of the resurf layer 25.例文帳に追加

表面局所半導体領域２６の不純物濃度は、リサーフ層２５の不純物濃度よりも濃く形成されている。 - 特許庁

A channel layer 3 has a drift layer 21 of high impurity concentration and an intrinsic channel layer 23 with low impurity concentration.例文帳に追加

チャネル層３は、不純物濃度が高濃度のドリフト層２１と、不純物濃度が低濃度の真性チャネル層２３とを備えている。 - 特許庁

A concentration of a p-type impurity of the second partial region 44 is higher than a concentration of a p-type impurity of the first partial region 42.例文帳に追加

第２部分領域４２のｐ型不純物の濃度は、第１部分領域４４のｐ型不純物濃度よりも濃い。 - 特許庁