「IMPurity」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

METHOD FOR REMOVING IONIC IMPURITY IN ORGANIC POLYMER例文帳に追加

有機ポリマー中のイオン性不純物の除去方法 - 特許庁

ESTIMATION SYSTEM AND ESTIMATION METHOD OF IMPURITY PROFILE例文帳に追加

不純物プロファイルの推定システム及び推定方法 - 特許庁

DETECTOR FOR DETECTING CONCENTRATION OF IMPURITY METAL IN LEADLESS SOLDER例文帳に追加

無鉛半田の不純物金属濃度検出装置 - 特許庁

Further, an ion plantation of a different second impurity having the same type of conductivity as the first impurity is carried out by a dose amount selected between the dose amount of the first impurity and that of the second impurity.例文帳に追加

さらに、第１不純物領域内に、第１不純物と同じ導電型を有する別の第２不純物を、第１不純物のドーズ量と第２のドーズ量の間で選択されたドーズ量でイオン注入する。 - 特許庁

A P-type impurity is doped on the polysilicon film.例文帳に追加

前記ポリシリコン膜にＰ型不純物をドーピングする。 - 特許庁

TRAP DEVICE, TREATMENT SYSTEM AND IMPURITY REMOVAL METHOD例文帳に追加

トラップ装置、処理システム及び不純物除去方法 - 特許庁

METHOD FOR ANALYZING IMPURITY IN DEPTH DIRECTION OF SILICON WAFER例文帳に追加

シリコンウェーハの深さ方向の不純物分析方法 - 特許庁

TOOL FOR TAKING OUT HIDDEN WORM AND IMPURITY IN HERRING ROE例文帳に追加

カズの子の中の潜虫及び夾雑物の取り具 - 特許庁

METHOD FOR DETERMINING AND DETECTING IMPURITY POLLUTION例文帳に追加

不純物汚染の判定方法および検出方法 - 特許庁

The emitter region 15 has a low impurity concentration.例文帳に追加

エミッタ領域15の不純物濃度は低濃度である。 - 特許庁

IMPURITY CONCENTRATION CONTROL DEVICE OF FUEL CELL SYSTEM例文帳に追加

燃料電池システムの不純物濃縮制御装置 - 特許庁

METHOD OF GETTERING Cu IMPURITY IN SILICON CRYSTAL例文帳に追加

シリコン結晶中のＣｕ不純物のゲッタリング方法 - 特許庁

She is tainted with the impurity of the demi-monde―steeped in the vices of the frivolous community. 例文帳に追加

あの女は花柳界の悪風に染まっている - 斎藤和英大辞典

METHOD OF REMOVING IMPURITY IN LIQUEFIED PETROLEUM GAS例文帳に追加

液化石油ガス中の不純物を除去する方法 - 特許庁

The pattern of a second impurity area 62, formed for adding the impurity has a line width which, is narrower than that of the first impurity area 60 by one rank.例文帳に追加

この不純物を追加するための第２不純物領域６２のパターンが、第１不純物領域６０のライン幅より一回り狭いライン幅を有している。 - 特許庁

The junction gate field effect transistor comprises n-type source impurity region 3 and drain impurity region 4 connected with the opposite sides of an n-type channel forming impurity region 2, and p-type gate impurity region 6 and gate electrode 9 formed in the surface side region in the channel forming impurity region 2.例文帳に追加

たとえばｎ型のチャネル形成不純物領域２の一方と他方に接続したｎ型のソース不純物領域３とドレイン不純物領域４、チャネル形成不純物領域２内の表面側領域に形成されたｐ型のゲート不純物領域６およびゲート電極９を有する。 - 特許庁

To provide a method and a device for determining quantitatively an impurity in gas, capable of measuring accurately an impurity gas concentration even when the impurity gas concentration is extremely low.例文帳に追加

不純物ガス濃度がきわめて微量であっても、不純物ガス濃度を正確に測定することのできるガス中の不純物定量方法及び装置を提供する。 - 特許庁

This prevents an impurity from diffusing unnecessarily toward the transistor Tr when the third conductive layer 11 is doped with the impurity in a highly concentrated manner and the impurity is allowed to diffuse outward.例文帳に追加

したがって第３の導電層１１に高濃度に不純物をドープし不純物を外方拡散しても、セルトランジスタＴｒ側に不必要に拡散されることがない。 - 特許庁

The active layer of NTFT is formed of a channel forming region 102, first impurity region 103, second impurity region 104, and third impurity region 105.例文帳に追加

ＮＴＦＴの活性層をチャネル形成領域１０２、第１不純物領域１０３、第２不純物領域１０４及び第３不純物領域１０５で形成する。 - 特許庁

A p-type impurity region 5 is formed in the upper face of the semiconductor layer 2 above the embedded impurity regions 3 and 4 by detaching it from the impurity region 6.例文帳に追加

また、埋め込み不純物領域３，４の上方では、半導体層２の上面内に不純物領域６と離れてｐ型の不純物領域５が形成されている。 - 特許庁

This semiconductor ultraviolet sensor comprises: a P-type silicon substrate 1; a P-type impurity layer 2; an N-type impurity layer 3; a P-type impurity layer 4; and a metal wiring layer 5.例文帳に追加

半導体紫外線センサは、Ｐ型シリコン基板１と、Ｐ型不純物層２と、Ｎ型不純物層３と、Ｐ型不純物層４と、金属配線層５とを備えている。 - 特許庁

In between the p+-type impurity region 33 and the PMOS15, in the upper surface of the n-type impurity region 28, an n+-type impurity region 32 is formed.例文帳に追加

ｐ^+型不純物領域３３とＰＭＯＳ１５との間において、ｎ型不純物領域２８の上面内には、ｎ^+型不純物領域３２が形成されている。 - 特許庁

At a position located on the outer side of the second sidewall 23A and deeper than the second high-concentration impurity region 32A, a low-concentration impurity region 33A having impurity concentration lower than that of the first high-concentration impurity region 31A and the second high-concentration impurity region 32A is formed.例文帳に追加

第２サイドウォール２３Ａよりも外側で且つ第２高濃度不純物領域３２Ａよりも深い位置には、第１高濃度不純物領域３１Ａ及び第２高濃度不純物領域３２Ａよりも不純物濃度が低い、低濃度不純物領域３３Ａが形成されている。 - 特許庁

This method provides the conditions with which the first impurity region 104 and the second impurity region 105 can be formed at the same time, in the step of impurity doping.例文帳に追加

不純物添加一工程において、第一の不純物領域１０４および第二の不純物領域１０５を同時に形成できる条件を提供する。 - 特許庁

Between the p+ type impurity region 33 and the PMOS 15, an n+ type impurity region 32 is formed in the upper surface of the n-type impurity region 28.例文帳に追加

ｐ^+型不純物領域３３とＰＭＯＳ１５との間において、ｎ型不純物領域２８の上面内には、ｎ^+型不純物領域３２が形成されている。 - 特許庁

An n^+-type impurity region 32 is formed in between the p^+-type impurity region 33 and the PMOS 15 in the upper surface of the n-type impurity region 28.例文帳に追加

ｐ^＋型不純物領域３３とＰＭＯＳ１５との間において、ｎ型不純物領域２８の上面内には、ｎ^＋型不純物領域３２が形成されている。 - 特許庁

The rectifier has a first semiconductor region of a first conductive type to which an impurity of a first impurity density is injected and a second semiconductor region of a second conductive type to which an impurity of a second impurity density that is lower than the first impurity density is injected.例文帳に追加

整流素子は、第１の不純物濃度で不純物が導入された第１導電型の第１半導体領域と、第１の不純物濃度よりも低い第２の不純物濃度で不純物が導入された第２導電型の第２半導体領域とを有する。 - 特許庁

Thus, the impurity 46 stuck with the micro-bubble 45 sinks, and the impurity 46 deposits on the impurity deposit part 30 positioned in this sinking direction.例文帳に追加

このため、マイクロバブル４５が付着していた不純物４６は沈下し、この沈下する方向に位置している不純物堆積部３０に不純物４６は堆積する。 - 特許庁

As an impurity element, aluminum is used for example.例文帳に追加

不純物元素としてはたとえばアルミニウムを使用する。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR MEASURING IMPURITY DIFFUSION DEPTH例文帳に追加

不純物拡散深さの測定方法および測定装置 - 特許庁

IMPURITY ACTIVATING THERMAL PROCESSING METHOD AND THERMAL PROCESSING APPARATUS例文帳に追加

不純物活性化熱処理方法及び熱処理装置 - 特許庁

IMPURITY SEPARATION-TYPE MELT RECEIVING DEVICE FOR FORK LIFT例文帳に追加

フオークリフト用不純物分離式溶融物受け入れ装置 - 特許庁

QUARTZ GLASS HAVING ABILITY TO INHIBIT DIFFUSION OF METAL IMPURITY例文帳に追加

金属不純物拡散阻止能を有する石英ガラス - 特許庁

METHOD FOR ANALYZING IMPURITY IN SEMICONDUCTOR SUBSTRATE OR CHEMICALS例文帳に追加

半導体基板又は薬品の不純物分析方法 - 特許庁

ANALYZING METHOD AND ITS DEVICE FOR IMPURITY IN MIXED GAS例文帳に追加

混合ガス中の不純物の分析方法及び装置 - 特許庁

DISCHARGE TOOL OF IMPURITY IN TUBE AND INSERTION METHOD THEREOF例文帳に追加

管内夾雑物の排出具及びその挿入方法 - 特許庁

To suppress penetration of impurity to a gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極に対する不純物の突き抜けを抑止する。 - 特許庁

METHOD FOR EVALUATING CONCENTRATION OF METAL IMPURITY IN SILICON WAFER例文帳に追加

シリコンウエーハ中の金属不純物濃度評価方法 - 特許庁

PRE-TREATMENT METHOD OF MIXING IMPURITY ELEMENT FOR PLATING例文帳に追加

鍍金加工のための不純物元素混入前処理法 - 特許庁

To provide a rainwater storage-infiltration system provided with an impurity receiving frame in a position where an impurity cannot float easily.例文帳に追加

夾雑物が浮遊しにくい位置に夾雑物受枠を設ける雨水貯留浸透システムを提供する。 - 特許庁

IMPURITY CRUSHING DEVICE RELATIVE TO VERTICAL SHAFT TYPE CENTRIFUGAL PUMP例文帳に追加

竪軸形遠心ポンプに係る夾雑物破砕装置 - 特許庁

The impurity concentration of the semiconductor region 25 is so formed as to be denser than the impurity concentration of the drift region 28.例文帳に追加

半導体領域２５の不純物濃度は、ドリフト領域２８の不純物濃度よりも濃く形成されている。 - 特許庁

An n-type impurity layer 50 and a p-type impurity layer 60 are formed in the surface of substrate 20S.例文帳に追加

基板表面２０Ｓ内にはｎ型不純物層５０及びｐ型不純物層６０が形成されている。 - 特許庁

A P^---type impurity layer 12 is provided under N^--type impurity layers 2 and 3 which become a drain of the MOSFET.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴのドレインとなるＮ^−型不純物層２、３の下に、Ｐ^−−型不純物層１２を設ける。 - 特許庁

A photodiode 51 is provided with an N-type impurity introduction region 7 and a P^+-type impurity introduction region 6.例文帳に追加

フォトダイオード５１は、Ｎ型不純物導入領域７とＰ^+型不純物導入領域６とを備えている。 - 特許庁