「MOSFET」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

The control voltage is impressed to the gate terminal of the power MOSFET to control the power MOSFET.例文帳に追加

この制御電圧をパワーＭＯＳＦＥＴのゲート端子に印加することで、パワーＭＯＳＦＥＴを制御する。 - 特許庁

TRENCH LATERAL MOSFET AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

トレンチ型ラテラルＭＯＳＦＥＴおよびその製造方法 - 特許庁

A MOS capacitor 2 having a lower dielectric strength than the MOSFET 1 is connected to the gate of the MOSFET 1.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴ１のゲートに、ＭＯＳＦＥＴ１よりも絶縁耐圧の低いＭＯＳキャパシタ２を接続する。 - 特許庁

To provide a MOSFET having lower on-resistance by a process similar to an ordinary super junction MOSFET process.例文帳に追加

従来のスーパージャンクションＭＯＳＦＥＴと同様なプロセスで、より低オン抵抗のＭＯＳＦＥＴを提供する。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING SIC VERTICAL MOSFET例文帳に追加

ＳｉＣを用いた縦型ＭＯＳＦＥＴの製造方法 - 特許庁

To prevent the channel leak of a trench-gate type MOSFET.例文帳に追加

トレンチゲート型ＭＯＳＦＥＴのチャネルリークを防止する。 - 特許庁

DEPLETED POLYSILICON EDGE MOSFET STRUCTURE AND FABRICATION THEREOF例文帳に追加

空乏ポリシリコン・エッジ型ＭＯＳＦＥＴ構造及び方法 - 特許庁

MOSFET AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ＭＯＳ型電界効果トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

CONTROL METHOD OF VERTICAL MOSFET IN BRIDGE CIRCUIT例文帳に追加

ブリッジ回路における縦型ＭＯＳＦＥＴ制御方法 - 特許庁

The control circuit 106 turns off MOSFET 103 after a prescribed time elapses, and then turns on MOSFET 101.例文帳に追加

所定時間経過後、制御回路１０６は、ＭＯＳＦＥＴ１０３をオフし、その後、ＭＯＳＦＥＴ１０１をオンする。 - 特許庁

MOUNTING STRUCTURE OF MOSFET AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴの実装構造およびその製造方法 - 特許庁

To obtain a semiconductor device of a lateral MOSFET structure which is capable of operating at a high speed as it is realizing a stable threshold.例文帳に追加

安定したしきい値を実現しながら、高速動作が可能な横型MOSFET構造の半導体装置を得る。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD FOR MOSFET ELEMENT IN PERIPHERAL REGION例文帳に追加

周辺領域のＭＯＳＦＥＴ素子の製造方法 - 特許庁

MOSFET SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴ型半導体装置及びその製造方法 - 特許庁

The output stage further has an n type MOSFET N7 connected in series with the n type MOSFET N4.例文帳に追加

出力段は、更に、ｎ型ＭＯＳＦＥＴ：Ｎ４に直列に接続されたｎ型ＭＯＳＦＥＴ：Ｎ７を有する。 - 特許庁

HYBRID PACKAGE INCLUDING POWER MOSFET DIE AND CONTROL AND PROTECTION CIRCUIT DIE WITH SMALLER SENSE MOSFET例文帳に追加

パワーＭＯＳＦＥＴダイと、小型感知ＭＯＳＦＥＴを備えた制御および保護回路ダイとを有するハイブリッドパッケージ - 特許庁

A gate electrode G2 of the sub MOSFET 15 is connected to a source electrode S1 of the main MOSFET 14.例文帳に追加

副ＭＯＳＦＥＴ１５のゲート電極Ｇ２は主ＭＯＳＦＥＴ１４のソース電極Ｓ１に接続されている。 - 特許庁

A series circuit of a sense MOSFET 7 and a sense resistor 8 is connected in parallel with the low-side MOSFET 5.例文帳に追加

センスＭＯＳＦＥＴ７とセンス抵抗８との直列回路が、ローサイドＭＯＳＦＥＴ５と並列に接続される。 - 特許庁

To provide a method capable of manufacturing a trench type metal oxide film semiconductor field effect transistor (MOSFET) upward.例文帳に追加

トレンチ型金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)が上方向に作製され得る方法を提供すること。 - 特許庁

Sources of an MOSFET Q1 for reverse connection protection and an MOSFET Q2 for overvoltage protection are connected in common.例文帳に追加

逆接続保護用ＭＯＳＦＥＴＱ１と過電圧保護用ＭＯＳＦＥＴＱ２とのソースを共通接続する。 - 特許庁

To provide a lateral MOSFET and a manufacturing method of the MOSFET and a power converter and a manufacturing method of the power converter.例文帳に追加

横型ＭＯＳＦＥＴとその製造方法およびパワーコンバータとその製造方法を提供すること。 - 特許庁

A drain of the MOSFET M8A is connected to an output terminal 12 and connected with a drain of an MOSFET M6 via an N-channel type MOSFET M6A.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴＭ８Ａのドレインは、出力端子１２に接続されるとともに、Ｎチャネル型のＭＯＳＦＥＴＭ６Ａを介してＭＯＳＦＥＴＭ６のドレインと接続されている。 - 特許庁

SOI MOSFET DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ＳＯＩＭＯＳＦＥＴデバイスおよびその製造方法 - 特許庁

MOSFET DEVICE AND ELECTRONIC SYSTEM HAVING THE SAME例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴデバイス及び該デバイスを備える電子システム - 特許庁

VERTICAL MOSFET TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加

縦型ＭＯＳ電界効果トランジスタおよびその製造方法 - 特許庁

To selectively form a silicon-germanium layer by a p-type MOSFET region and an n-type MOSFET region.例文帳に追加

ｐ型ＭＯＳＦＥＴ領域とｎ型ＭＯＳＦＥＴ領域とで、選択的にシリコン・ゲルマニウム層を形成する。 - 特許庁

MOSFET, SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS FABRICATING METHOD例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴ、半導体装置及びその製造方法 - 特許庁

PRODUCTION METHOD FOR MOSFET ELEMENT HAVING METAL GATE例文帳に追加

金属ゲートを有するＭＯＳＦＥＴ素子の製造方法 - 特許庁

NITRIDE SEMICONDUCTOR MOSFET AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

窒化物半導体ＭＯＳＦＥＴ及びその製造方法 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a hybrid MOSFET device that includes a first MOSFET and a second MOSFET having a first channel material and a second channel material, respectively.例文帳に追加

第１および第２のチャネル材料をそれぞれ有する第１ＭＯＳＦＥＴと第２ＭＯＳＦＥＴを含むハイブリッドＭＯＳＦＥＴデバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a first MOSFET transistor.例文帳に追加

半導体デバイスは、第１ＭＯＳＦＥＴトランジスタを含む。 - 特許庁

CONTROL CIRCUIT HAVING MOSFET PARALLEL CONNECTION CIRCUIT例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴ並列接続回路を有する制御回路 - 特許庁

A N-channel power MOSFET 38 is mounted on the second heat sink 40, the first heat sink 39 has the drain potential of the power MOSFET 37, and the second heat sink 40 has the drain potential of the power MOSFET 38.例文帳に追加

また、第１放熱板３９がパワーＭＯＳＦＥＴ３７のドレイン電位を有し、第２放熱板４０がパワーＭＯＳＦＥＴ３８のドレイン電位を有している。 - 特許庁

To easily and arbitrarily control the overlap between the gate electrode and the source and the drain in a MOSFET and, in addition, to make the drivability of the MOSFET improved.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴにおいて、ゲート電極とソース・ドレインとのオーバーラップを容易、且つ任意に制御する。 - 特許庁

For example, the threshold of the MOSFET for commutation is set to be 0.5 V higher than the threshold of the MOSFET for rectification, the threshold of the MOSFET for rectification is set to be 1.5 V or less, and the threshold of the MOSFET for commutation is set to be 2.0 V or more.例文帳に追加

例えば転流用ＭＯＳＦＥＴのしきい値を整流用ＭＯＳＦＥＴより、０．５Ｖ 以上高くし、整流用ＭＯＳＦＥＴのしきい値を１．５Ｖ 以下、転流用ＭＯＳＦＥＴのしきい値は２．０Ｖ 以上とする。 - 特許庁

The control voltage VDRV to a P channel MOSFET driving circuit 12 is provided with an amplitude of almost equal to potential width |VDD-VSS| of an external power supply voltage by the operation of the cross coupling type amplifier circuit 14 and the P channel MOSFET driving circuit 12 has the high load current ability.例文帳に追加

ＰチャネルMOSFET駆動回路１２への制御電圧（VDRV）は、前記交差結合型アンプ回路１４の動作により、ほぼ外部電源電圧の電位幅｜VDD—VSS｜の振幅を得て、ＰチャネルMOSFET駆動回路１２は大負荷電流能力を持つ。 - 特許庁

A third MOSFET (MnL1) having a threshold voltage smaller than the threshold voltage of the first MOSFET is connected in series to the second MOSFET, and a voltage corresponding to the threshold voltage difference between the first MOSFET and the third MOSFET is taken out from the connecting point of the second MOSFET with the third MOSFET.例文帳に追加

そして、該第２のＭＯＳＦＥＴと直列に第１のＭＯＳＦＥＴのしきい値電圧よりも小さなしきい値電圧を有する第３のＭＯＳＦＥＴ（ＭｎL1）を接続して、第２のＭＯＳＦＥＴと第３のＭＯＳＦＥＴとの結合点から、上記第１のＭＯＳＦＥＴと第３のＭＯＳＦＥＴのしきい値電圧差に相当する電圧を取り出すように基準電圧発生回路を構成した。 - 特許庁

LOW ON-STATE RESISTANCE TRENCH TYPE MOSFET WITH DELTA LAYER例文帳に追加

デルタ層を有する低オン抵抗のトレンチ型ＭＯＳＦＥＴ - 特許庁

SEMICONDUCTOR COMPOSITION AND MOSFET USING IT例文帳に追加

半導体性組成物及びそれを用いる電界効果トランジスタ - 特許庁

DRIVE CIRCUIT FOR VOLTAGE DRIVE TRANSISTOR SUCH AS MOSFET例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴ等の電圧駆動型トランジスタの駆動回路 - 特許庁

To utilize an N-channel MOSFET as a switch transistor.例文帳に追加

スイッチトランジスタとしてＮチャンネルＭＯＳＦＥＴを利用する。 - 特許庁

DRIVER FOR MOS GATE TRANSISTOR AND HIGH-VOLTAGE MOSFET例文帳に追加

ＭＯＳゲートトランジスタ用ドライバおよび高電圧ＭＯＳＦＥＴ - 特許庁

SIDEWALL MOSFET HAVING EMBEDDED STRAIN SOURCE/DRAIN例文帳に追加

埋め込み型ひずみソース／ドレインを有する側壁ＭＯＳＦＥＴ - 特許庁

To easily form a gate electrode of a fin MOSFET.例文帳に追加

フィン型ＭＯＳＦＥＴの、ゲート電極を容易に形成する。 - 特許庁

GATE DRIVE CIRCUIT USING P-CHANNEL POWER MOSFET例文帳に追加

Ｐチャンネル・パワーＭＯＳＦＥＴを使用したゲート駆動回路 - 特許庁