「MOSFET」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH VERTICAL MOSFET STRUCTURE例文帳に追加

縦型ＭＯＳＦＥＴ構造の半導体装置 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH LONGITUDINAL MOSFET例文帳に追加

縦型ＭＯＳＦＥＴを備えた半導体装置 - 特許庁

The control circuit 106 turns on MOSFET 103 while MOSFET 101 is turned off.例文帳に追加

制御回路１０６は、ＭＯＳＦＥＴ１０１をオフした状態で、ＭＯＳＦＥＴ１０３をオンする。 - 特許庁

LATERAL MOSFET AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

横型ＭＯＳＦＥＴおよびその製造方法 - 特許庁

DMOSFET AND PLANAR MOSFET例文帳に追加

ＤＭＯＳＦＥＴおよびプレーナ型ＭＯＳＦＥＴ - 特許庁

The switching elements (31) each consist of an SiC-MOSFET as a unipolar element employing a wideband gap semiconductor.例文帳に追加

スイッチング素子（31）は、ワイドバンドギャップ半導体が用いられたユニポーラ素子であるSiC-MOSFETからなっている。 - 特許庁

To provide a thin body MOSFET with conducting surface channel extension portions and gate-controlled channel sidewalls.例文帳に追加

導電表面チャネル伸長部分とゲート制御チャネル側壁を有する薄体MOSFETを提供する。 - 特許庁

MULTI-MESA MOSFET OF DAMASCENE METHOD GATE例文帳に追加

ダマシン法ゲートによるマルチ・メサ型ＭＯＳＦＥＴ - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING HYBRID MOSFET DEVICE AND HYBRID MOSFET OBTAINED BY THE METHOD例文帳に追加

ハイブリッドＭＯＳＦＥＴデバイスの製造方法およびそれにより得られるハイブリッドＭＯＳＦＥＴ - 特許庁

A control circuit 3 controls on/off of the high-side MOSFET and the low-side MOSFET.例文帳に追加

制御回路３は、ハイサイドＭＯＳＦＥＴ及びローサイドＭＯＳＦＥＴのオンオフを制御する。 - 特許庁

The signal, inputted to the source of the MOSFET 117 from the terminal 111, is amplified by the MOSFET 117.例文帳に追加

端子１１１からMOSFET１１７のソースに入力された信号は、MOSFET１１７により増幅される。 - 特許庁

CONTROL CIRCUIT OF MOSFET FOR SYNCHRONOUS RECTIFICATION例文帳に追加

同期整流用ＭＯＳＦＥＴの制御回路 - 特許庁

The MOSFET sensor 3 and the current source MOSFET 5 are the same conductivity type MOSFET, which operates in a subthreshold region.例文帳に追加

センサーＭＯＳＦＥＴ３及び電流源ＭＯＳＦＥＴ５は同じ導電型のＭＯＳＦＥＴからなり、かつサブスレッショルド領域で動作される。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING VERTICAL MOSFET例文帳に追加

縦型ＭＯＳＦＥＴを有する半導体装置 - 特許庁

The semiconductor device 1a is a MOSFET.例文帳に追加

半導体装置１ａはＭＯＳＦＥＴである。 - 特許庁

A transistor(TR) 4 is inserted between the drain electrode of the MOSFET 3 and the gate electrode of the MOSFET 1.例文帳に追加

MOSFET３のドレイン電極とMOSFET１のゲート電極との間には、トランジスタ４が介挿されている。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THIN-LINE MOSFET例文帳に追加

細線状ＭＯＳＦＥＴを含む半導体装置 - 特許庁

SPIN MOSFET AND RECONFIGURABLE LOGIC CIRCUIT例文帳に追加

スピンＭＯＳＦＥＴおよびリコンフィギャラブルロジック回路 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING MOSFET SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴ型半導体装置の製造方法 - 特許庁

TRENCH POWER MOSFET AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

トレンチパワーＭＯＳＦＥＴおよびその製造方法 - 特許庁

TRENCH TYPE MOSFET AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

トレンチ型ＭＯＳＦＥＴ及びその製造方法 - 特許庁

To demonstrate the performance of a p-type MOSFET to the maximum extent while controlling the leakage current of an n-type MOSFET in a semiconductor device provided with the n-type MOSFET and the p-type MOSFET.例文帳に追加

Ｎ型ＭＯＳＦＥＴおよびＰ型ＭＯＳＦＥＴを備える半導体装置において、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴのリーク電流を抑制しつつ、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴの性能を最大限に発揮させる。 - 特許庁

HIGH-FREQUENCY MOSFET AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

高周波ＭＯＳＦＥＴ及びその製造方法 - 特許庁

TRENCH TYPE MOSFET AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

トレンチ型ＭＯＳＦＥＴ及びその製造方法 - 特許庁

ORGANIC MOSFET AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

有機電界効果トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

To provide a lateral trench power MOSFET with a constitution of the insulation characteristics between electrodes being high, the on resistance of the MOSFET is low, and moreover the switching characteristics of the MOSFET are displayed at a high speed.例文帳に追加

横型トレンチパワーＭＯＳＦＥＴにおいて、電極間の絶縁性が高く、かつオン抵抗が低く、さらにスイッチング特性が高速であること。 - 特許庁

The source bias circuit part 402 has a MOSFET for bias and source potential of the MOSFET for bias is provided to source potential of the MOSFET for attenuation.例文帳に追加

ソースバイアス回路部４０２はバイアス用ＭＯＳＦＥＴを有し、バイアス用ＭＯＳＦＥＴのソース電位が減衰用ＭＯＳＦＥＴのソース電位に与えられる。 - 特許庁

DOUBLY DIFFUSED MOSFET AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加

二重拡散ＭＯＳＦＥＴ及びその製造方法 - 特許庁

MOSFET GATE DRIVER WITH NEGATIVE GATE BIAS VOLTAGE例文帳に追加

負ゲートバイアス電圧をもつＭＯＳＦＥＴゲートドライバ - 特許庁

VERTICAL TRENCH GATE TYPE MOSFET WITH HIGH CELL DENSITY例文帳に追加

高セル密度のバ—チカルトレンチゲ—ト型ＭＯＳＦＥＴ - 特許庁

MOSFET AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴおよびＭＯＳＦＥＴの製造方法 - 特許庁

VERTICAL POWER MOSFET AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加

縦型パワーＭＯＳＦＥＴおよびその製造方法 - 特許庁

The sub MOSFET 15 turns on when a reverse voltage is applied to the main MOSFET 14.例文帳に追加

副ＭＯＳＦＥＴ１５は主ＭＯＳＦＥＴ１４に逆方向電圧が印加された時にオンになる。 - 特許庁

The signal amplified by the MOSFET 117 is outputted from a terminal 113, connected to the drain of MOSFET 117.例文帳に追加

MOSFET１１７により増幅された信号が、MOSFET１１７のドレインに接続された端子１１３から出力される。 - 特許庁

The switching elements 130 each consist of an SiC-MOSFET as a unipolar element employing a wideband gap semiconductor.例文帳に追加

スイッチング素子（130）は、ワイドバンドギャップ半導体を用いたユニポーラ素子であるSiC-MOSFETによって構成されている。 - 特許庁

Furthermore, a threshold of the MOSFET for commutation is made higher than a threshold of the MOSFET for rectification.例文帳に追加

更に、転流用ＭＯＳＦＥＴのしきい値が整流用ＭＯＳＦＥＴのしきい値より高くする。 - 特許庁

The electrostatic protection device is provided with a MOSFET for a trigger and a MOSFET for high drive performance protection.例文帳に追加

静電保護装置はトリガー用ＭＯＳＦＥＴと駆動能力高い保護用ＭＯＳＦＥＴとを備える。 - 特許庁

HETERO INTEGRATION TYPE STRAINED SILICON N-TYPE MOSFET, P-TYPE MOSFET, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ヘテロ集積型歪みシリコンｎ型ＭＯＳＦＥＴ及びｐ型ＭＯＳＦＥＴ及びその製造方法 - 特許庁

The gate terminal of the second MOSFET is applied with the same voltage as that of the gate terminal of the third MOSFET.例文帳に追加

第２ＭＯＳＦＥＴのゲート端子には、第３ＭＯＳＦＥＴのゲート端子と同じ電位が印加される。 - 特許庁

The memory cell comprises a spin-torque magnetization reversal layer and a tunnel magnetoresistance effect film on a C-MOSFET.例文帳に追加

C-MOSFET上にスピントルク磁化反転層とトンネル型磁気抵抗効果膜を備えることを特徴とする。 - 特許庁

POWER MOSFET HAVING VOLTAGE-CLAMPED GATE例文帳に追加

電圧クランプされたゲートを備えるパワーＭＯＳＦＥＴ - 特許庁

MOSFET AND PROTECTIVE CIRCUIT DEVICE USING THAT例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴおよびそれを用いた保護回路装置 - 特許庁

LATERAL POWER MOSFET, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME例文帳に追加

横型パワーＭＯＳＦＥＴおよびその製造方法 - 特許庁

Moreover, the gate electrodes of a P-channel MOSFET and an N-channel MOSFET are formed, by using the source/drain forming mask of the P-channel MOSFET and the source/drain forming mask of the N-channel MOSFET respectively.例文帳に追加

さらに、Ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴとＮチャネル型ＭＯＳＦＥＴのゲート電極を、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴのソースドレイン形成マスク、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴのソースドレイン形成マスクを用いて形成している。 - 特許庁

TRENCH POWER MOSFET AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

トレンチ型パワーＭＯＳＦＥＴ及びその製造方法 - 特許庁