「Main component」に関連した英語例文の一覧と使い方(112ページ目) - Weblio英語例文検索

This element 10 comprises a first electrode 1 containing silicon as a main component, an aluminum compound film 3 covering the first electrode 1, an oxide dielectric film 4 having a higher dielectric constant than the aluminum compound film 3 and covering this film 3, a second conductor-made electrode 5 covering the oxide dielectric film 4, etc.例文帳に追加

容量素子（１０）は、シリコンを主成分として形成された第１電極（１）と、アルミニウム化合物により、第１電極（１）を被覆するように形成されたアルミニウム化合物膜（３）と、酸化物であり、且つ、アルミニウム化合物膜（３）よりも誘電率が大きい絶縁体により、前記アルミニウム化合物膜（３）を被覆するように形成された酸化物誘電体膜（４）と、導電体により、前記酸化物誘電体膜（４）を被覆するように形成された第２電極（５）とを含む。 - 特許庁

The resist pattern formed on a board comprises a first resist layer made of an organic material having high solubility in water or a solvent containing water as a main component, a second resist layer made of an organic material having high light absorbability to an exposure wavelength, and a third resist layer formed on the second resist layer and made of an organic material having high resistance to dry etching of at least three layers.例文帳に追加

基板上に形成されたレジストパターンであって、前記レジストパターンは、有機溶剤、水または水を主成分とする溶剤に対する溶解度の高い有機材料からなる第１のレジスト層と、前記第１のレジスト層上に形成され、露光波長に対する吸光性の高い有機材料からなる第２のレジスト層と、前記第２のレジスト層上に形成され、ドライエッチングに対する耐性の高い有機材料からなる第３のレジスト層と、の少なくとも３層を有してなる。 - 特許庁

The laminate has the buffer layer formed of at least one kind or more selected from a group composed of a gallium oxide thin film, an oxide thin film formed of gallium, indium and oxygen, and a transparent conductive film layer formed of an oxide thin film including at least one kind or more of elements selected from a titanium oxide as a main component and from niobium, tantalum, molybdenum, arsenic, antimony, and tungsten are formed on its buffer layer.例文帳に追加

基体上に、酸化ガリウム薄膜、ガリウム、インジウムおよび酸素からなる酸化物薄膜、ならびにガリウム、インジウム、アルミニウムおよび酸素からなる酸化物薄膜の中から選択される少なくとも１種以上からなるバッファー層が形成され、そのバッファー層上に酸化チタンを主成分としニオブ、タンタル、モリブデン、ヒ素、アンチモン、ならびにタングステンから選択される少なくとも１種以上の元素を含む酸化物薄膜からなる透明導電膜層が形成されていることを特徴とする積層体。 - 特許庁

In the gas-barrier film, at least one thin mixed layer containing a mixture including ZnS and an inorganic oxide or a metal oxide as a main component is formed on at least one side of a polymer film base material, and at least one resin layer is laminated on the thin mixed film layer.例文帳に追加

高分子フィルム基材の片面または両面に、ZnSおよび、無機酸化物または金属酸化物からなる混合物を主成分とした混合薄膜層が少なくとも１層形成されてなり、さらに前記混合薄膜層上に樹脂層が少なくとも１層積層されたガスバリア性フィルムであって、前記ZnSをM、前記酸化物をＬとして表記する場合、前記混合薄膜層の組成比は（式１）の範囲であり、かつ混合薄膜層の膜厚が５nm以上、５００nm以下の範囲で形成されたことを特徴とするガスバリア性フィルム。 - 特許庁

In the dust core obtained by pressurizing and forming soft magnetic powder with Fe coated with an insulated film as a main component, the soft magnetic powder consists of particles which contain 2 to 5 mass % Si and which have 30 to 70 μm weight average particle size, 1 to 3 average aspect ratio and ≤200A/m coercive force (iHc).例文帳に追加

本発明の圧粉磁心は、絶縁皮膜で被覆されたＦｅを主成分とする軟磁性粉末を加圧成形してなる圧粉磁心において、前記軟磁性粉末は、Ｓｉを２〜５質量％含み、重量平均粒径が３０〜７０μｍで、平均アスペクト比が１〜３であると共に保磁力（ｉＨｃ）が２００Ａ／ｍ以下の粒子からなり、軟磁性粉末の真密度（ρ_０）に対する嵩密度（ρ）の比である密度比（ρ／ρ_０：％）が９２％以上であると共に周波数が１〜５０ｋＨｚの交番磁界中で使用されることを特徴とする。 - 特許庁

The mold release film with the ceramic sheet comprises a mold release layer containing a curable silicone resin as a main constituting component and provided on at least one side surface of a polyester base film, and a ceramic sheet layer laminated on the surface of the mold release layer of the film.例文帳に追加

ポリエステル基材フィルムの少なくとも片面に硬化型シリコーン樹脂を主たる構成成分とする離型層を設けた離型フィルムに、さらに前記離型フィルムの離型層表面にセラミックシート層を積層してなるセラミックシート付き離型フィルムであって、前記セラミックシート層表面のダイナミック硬度Ａと前記離型層表面のダイナミック硬度Ｂとの差の絶対値が下記式（１）を満足し、かつ離型層表面の三次元表面粗さ測定における十点平均粗さＳＲｚ（μｍ）とセラミックシートの厚みＣ（μｍ）との関係が下記式（２）を満足するようにする。 - 特許庁

This method for producing a low-molecular weight polymer comprises using a styrenic monomer alone as a monomer raw material or the styrenic molecule as a main component and a (meth)acrylic acid ester-based monomer and/or another vinyl-based monomer as monomer raw materials and feeding the whole amount or a part of the monomer raw material and a radical polymerization initiator to a polymerization reaction system.例文帳に追加

スチレン系単量体単独を単量体原料とするか、又は、主成分のスチレン系単量体と（メタ）アクリル酸エステル系単量体及び／又はその他のビニル系単量体とを単量体原料とし、重合反応系の系中に、上記単量体原料とラジカル重合開始剤との全量又は一部を投入することにより低分子量重合体を製造する方法であって、投入時間Ｔ_a と非投入時間Ｔ_naが下記の式（１）を満足する条件となるように、上記ラジカル重合開始剤の全投入量を複数回に分割して投入する低分子量重合体の製造方法。 - 特許庁