「Memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(181ページ目) - Weblio英語例文検索

HIGH-VOLTAGE SWITCHING CIRCUIT OF NONVOLATILE MEMORY DEVICE例文帳に追加

不揮発性メモリ装置の高電圧スイッチ回路 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE MEMORY DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

磁気抵抗記憶素子およびその製造方法 - 特許庁

STORAGE DEVICE USING NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY例文帳に追加

不揮発性半導体メモリを用いた記憶装置 - 特許庁

NONVOLATILE FERROELECTRIC MEMORY AND ID CARD例文帳に追加

不揮発性強誘電体メモリ及びＩＤカード - 特許庁

DATA MANAGEMENT APPARATUS AND METHOD OF FLASH MEMORY例文帳に追加

フラッシュメモリのデータ管理装置及びその方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

半導体記憶装置およびその製造方法 - 特許庁

VERTICAL NAND CHANNEL, NONVOLATILE MEMORY DEVICE INCLUDING SAME, AND VERTICAL NAND MEMORY DEVICE例文帳に追加

垂直ＮＡＮＤチャンネルとこれを含む不揮発性メモリー装置、及び垂直ＮＡＮＤメモリー装置 - 特許庁

To improve operational speed of a computer system in a memory device created by a dynamic memory.例文帳に追加

ダイナミックメモリにより作成されるメモリデバイスであり、コンピュータシステムの演算速度を向上させる。 - 特許庁

GAME PROGRESS SYSTEM, GAME DEVICE, AND MEMORY MEDIUM例文帳に追加

ゲーム進行方式、ゲーム装置及び記憶媒体 - 特許庁

Rows including a defective memory cell are replaced by redundancy memory cells independently in each of a pair of memory block interposing a pair of row decoder 11.例文帳に追加

１対のロウデコーダ１１を挟む１対のメモリブロックの各々で独立に、欠陥メモリセルを含む行が冗長メモリセルの行に置換される。 - 特許庁

INCREASING MEMORY PERFORMANCE IN FLASH MEMORY DEVICE BY SIMULTANEOUSLY WRITING SECTORS TO MULTIPLE DEVICES例文帳に追加

複数のデバイスへ同時書き込み操作を行うことにより高まるフラッシュメモリデバイスにおけるメモリ性能 - 特許庁

To provide a method for persistently tracking volatile memory faults, and to provide a memory module.例文帳に追加

揮発性メモリの故障を永続的に追跡するための方法およびメモリモジュールを提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device which has a high arrangement efficiency of a transistor in a memory cell.例文帳に追加

メモリセルのトランジスタの配置効率が高い不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The first to i-th memory strings each comprise a plurality of memory cells and an assist gate transistor.例文帳に追加

第１乃至第ｉのメモリストリングは、それぞれ、複数のメモリセルとアシストゲートトランジスタとを備える。 - 特許庁

In the nonvolatile memory, each bit line BL is coupled electrically to each tunnel magnetic resistance element TMR of each memory cell.例文帳に追加

ビット線ＢＬは、メモリセルのトンネル磁気抵抗素子ＴＭＲと電気的に結合される。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory with a shortened access time.例文帳に追加

半導体メモリのアクセス時間を短縮する。 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY CONTROL DEVICE, IMAGE PROCESSOR EQUIPPED WITH THE SAME, AND NONVOLATILE MEMORY CONTROL METHOD例文帳に追加

不揮発性メモリ制御装置及びこれを備えた画像処理装置、不揮発性メモリ制御方法。 - 特許庁

To provide a memory device which is improved in integration or reliability, and to provide a method for driving the memory device.例文帳に追加

集積度、又は信頼性が向上されるメモリ装置と、その駆動方法が提供される。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE PROVIDED WITH A PLURALITY OF BUFFERS例文帳に追加

複数のバッファを有する半導体メモリ装置 - 特許庁

PHASE CHANGE MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

相変化メモリ装置及びその製造方法 - 特許庁

VARIABLE-RESISTANCE NONVOLATILE MEMORY ELEMENT, CREATING METHOD THEREOF, AND NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY例文帳に追加

抵抗変化型不揮発性メモリ素子とその作製方法及び不揮発性半導体記憶装置 - 特許庁

PHASE-CHANGE MEMORY ELEMENT AND METHOD OF FORMING THE SAME例文帳に追加

相変化記憶素子及びその形成方法 - 特許庁

Depending on the use state of a printer 1, a memory 13c for image processing is assured and the amount of memory thus assured is stored in a temporary memory 13a (S2).例文帳に追加

プリンタ１の使用状態に応じて、画像処理用メモリ１３ｃを確保し、確保できたメモリ量をテンポラリメモリ１３ａに記憶する（Ｓ２）。 - 特許庁

PAGE BUFFER AND NONVOLATILE MEMORY DEVICE INCLUDING THE SAME例文帳に追加

ページバッファとそれを含む不揮発性メモリ装置 - 特許庁

HIT JUDGEMENT CONTROL METHOD FOR SHARED CACHE MEMORY, AND HIT JUDGEMENT CONTROL SYSTEM FOR SHARED CACHE MEMORY例文帳に追加

共有キャッシュメモリのヒット判定制御方法及び共有キャッシュメモリのヒット判定制御方式 - 特許庁

A diagnostic processor 3 instructs the inhibition of memory access to a memory configuration information accepting means 11.例文帳に追加

診断プロセッサ３は、メモリ構成情報受け付け手段１１に指示し、メモリアクセスを禁止する。 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

不揮発性メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

TEST EQUIPMENT FOR MEMORY DEVICE AND DATA SELECTING CIRCUIT例文帳に追加

メモリデバイス試験装置およびデ—タ選択回路 - 特許庁

MEMORY ACCESS METHOD USING THREE DIMENSIONAL ADDRESS MAPPING例文帳に追加

３次元アドレスマッピングを用いたメモリアクセス方法 - 特許庁

OPERATION METHOD OF NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置の動作方法 - 特許庁

NON-VOLATILE MEMORY UNIT AND ITS ERASING METHOD例文帳に追加

不揮発性メモリ装置及びその消去方法 - 特許庁

STRUCTURE OF NONVOLATILE MEMORY AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

不揮発性メモリ構造及びその製造方法 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE ELEMENT AND MEMORY ELEMENT USING THE ELEMENT例文帳に追加

磁気抵抗素子及び該素子を用いたメモリ素子 - 特許庁

ACCESSING METHOD TO NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置のアクセス方法 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

磁気抵抗メモリ装置及びその製造方法 - 特許庁

RANDOM ACCESS MEMORY USING SUPERCONDUCTIVE LOGIC GATE例文帳に追加

超電導論理ゲートを用いたランダム・アクセス・メモリ - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR OPERATING THE SAME例文帳に追加

不揮発性メモリ装置およびその動作方法 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD OF OPERATING THE SAME例文帳に追加

不揮発性メモリ装置及びその動作方法 - 特許庁

The board is separated into a probe-side board and a memory-size board, and connector terminals of the memory-side board are standardized.例文帳に追加

プローブ側ボードとメモリ側ボードに分離し、メモリ側ボードのコネクタ端子を標準化する。 - 特許庁

To provide a magnetic memory device wherein write data can be accurately written to a selected memory cell.例文帳に追加

正確に書込データを選択メモリセルに書込むことのできる磁気メモリ装置を提供する。 - 特許庁

NOR FLASH MEMORY AND RELATED READ METHOD例文帳に追加

ＮＯＲフラッシュメモリ及びそれの読み出し方法 - 特許庁

Subsequently, a memory information is written on the memory cell of the flash ROM in a probe inspection process.例文帳に追加

続いて、プローブ検査工程においてフラッシュＲＯＭのメモリセルに記憶情報を書き込む。 - 特許庁

METHOD FOR LOW-POWER ACCESS TO PHASE CHANGE MEMORY DEVICE例文帳に追加

相変化メモリデバイスの低電力アクセス方法 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE EFFECT FILM AND MEMORY USING IT例文帳に追加

磁気抵抗効果膜およびそれを用いたメモリ - 特許庁

ELECTRIC RESISTANCE SETTING METHOD OF NONVOLATILE MEMORY例文帳に追加

不揮発性メモリーの電気抵抗値設定方法 - 特許庁