「P-Type」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

MANUFACTURING METHOD FOR P-TYPE III NITRIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法 - 特許庁

Mg is doped into the first and second p-type cladding layers 7 and 9 and the p-type band-discontinuity relaxation layer 10, and Zn is doped into the m+1 p-type GaAs layers and the m p-type GaInP layers.例文帳に追加

第１，第２のｐ型クラッド層７，９及びｐ型バンド不連続緩和層１０にはそれぞれＭｇが、ｍ＋１層のｐ型ＧａＡｓ層及びｍ層のｐ型ＧａＩｎＰ層にはそれぞれＺｎがドープされている。 - 特許庁

A p++ type region 17 of a p-type region having high impurity concentration is formed nearly at the middle part between the n-type regions 8 on the main surface side in the p-type silicon substrate 1.例文帳に追加

ｐ形シリコン基板１内の主表面側においてｎ形領域８間の略中央部に高不純物濃度ｐ形領域たるｐ^++形領域１７が設けられている。 - 特許庁

The solid-state imaging element includes a P-type silicon substrate 31, an N-type semiconductor layer 32 on the P-type silicon substrate 31, a plurality of photoelectric conversion parts 3, and a P-type barrier region 35.例文帳に追加

固体撮像素子は、Ｐ型シリコン基板３１と、Ｐ型シリコン基板３１上のＮ型半導体層３２と、複数の光電変換部３と、Ｐ型のバリア領域３５とを備える。 - 特許庁

A resistance R2 between the p-type base region 11 and the n^+-type cathode region 13 is greater than a resistance R1 between the p-type base region 11 and the p^+-type collector region 14.例文帳に追加

ｐ型ベース領域１１とｎ^＋型カソード領域１３との間の抵抗Ｒ２は、ｐ型ベース領域１１とｐ^＋型コレクタ領域１４との間の抵抗Ｒ１より大きい。 - 特許庁

The light emitting device is provided with at least an n-type nitride semiconductor and a p-type nitride semiconductor while the p-type nitride semiconductor is provided with the p-type electrode at a predetermined area.例文帳に追加

本発明の発光素子は、ｎ型窒化物半導体とｐ型窒化物半導体を少なくとも有し、ｐ型窒化物半導体の所定の一部にｐ電極を備える発光素子である。 - 特許庁

On the n-type layer B-N, the p-type substrate P-sub is present for prescribed thickness, and the p-type well region PWEL and an n-type well region NWEL are provided in equal depth.例文帳に追加

Ｎ型層Ｂ-N上にはＰ型基板Ｐ-subが所定厚さ存在し、Ｐ型のウェル領域ＰＷＥＬ、Ｎ型のウェル領域ＮＷＥＬが同等の深さで設けられる。 - 特許庁

Apart from an n-type collector layer 24, a p^- -type impurity area 31 is formed which has lower impurity density than a p-type base layer 21 while connected to the p-type base layer 21.例文帳に追加

ｎ型コレクタ層２４と離間した位置に、ｐ型ベース層２１に接続した状態でｐ型ベース層２１より不純物濃度の低いｐ^−型不純物領域３１を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device 100 includes an N^+-type source region 31, a contact P^+-type region 32, an N^+-type drain region 11, a P^--type body region 41 and an N^--type drift region 12.例文帳に追加

半導体装置１００は，Ｎ^+ ソース領域３１，コンタクトＰ^+ 領域３２，Ｎ^+ ドレイン領域１１，Ｐ^- ボディ領域４１およびＮ^- ドリフト領域１２を備えている。 - 特許庁

A p-type layer 27 having a lower impurity concentration than a substrate p+ layer 26 using a high concentration p-type semiconductor substrate (e.g. silicon substrate) is formed on the substrate p+ layer 26 with n-type photoelectric conversion regions 14 provided at upper portions of the p-type layer 27.例文帳に追加

高濃度のＰ型の半導体基板（例えばシリコン基板）である基板Ｐ^+層２６上に、基板Ｐ^+層２６よりも不純物濃度が低いＰ型層２７を形成し、Ｐ型層２７の上側位置にＮ型光電変換領域１４を設ける。 - 特許庁

The impurity concentration of a (p) type anode layer 50 of the diode element region J2 is lower than the impurity concentration of a (p) type body layer 30 of the IGBT element region J1.例文帳に追加

また、ダイオード素子領域Ｊ２のp型のアノード層５０の不純物濃度が、ＩＧＢＴ素子領域Ｊ１のp型のボディ層３０の不純物濃度と比較して低い。 - 特許庁

Additionally, the impurity density of a p-type anode layer 50 in the diode element region J2 is low compared to the impurity density of a p-type body layer 30 in the IGBT element region J1.例文帳に追加

また、ダイオード素子領域Ｊ２のp型のアノード層５０の不純物濃度が、ＩＧＢＴ素子領域Ｊ１のp型のボディ層３０の不純物濃度と比較して低い。 - 特許庁

By a heat treatment in an hydrogen atmosphere or by the application of a hydrogen plasma, resistances of the portions (H regions) of the p-type AlGaInN cladding layer 6 and the p-type GaN layer 7 are increased.例文帳に追加

次に水素化物雰囲気中での熱処理または水素プラズマ照射を行いp-AlGaInNクラッド層６、p-GaN層７の一部分（Ｈ領域）を高抵抗にする。 - 特許庁

Subsequently, P+ layers 15, 16 are formed by diffusing P type impurities.例文帳に追加

次に、Ｐ型不純物を拡散させて、Ｐ^+層１５とＰ^+層１６を形成する（ｃ）。 - 特許庁

After that, damage and silicon doped into a p-type are removed by etching a PE mode.例文帳に追加

その後、ＰＥモードのエッチングにてダメージやp型にドーピングされたシリコンを除去する。 - 特許庁

The p-side barrier layer is provided between the well layer and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

ｐ側障壁層は、井戸層とｐ形半導体層との間に設けられる。 - 特許庁

To test the default printer, type lpr(1) without any -P argument. 例文帳に追加

デフォルト のプリンタを使用する場合は、 -P引数を付けないで lpr(1) を打ち込んでください。 - FreeBSD

A composite film consists of titanium oxide and a P-type semiconductor and has photocatalytic activity.例文帳に追加

酸化チタン及びp型半導体からなり、光触媒活性を有する複合膜。 - 特許庁

A nitride ferroelectric film 4, that is made of Sr2NbN3, is formed on a p-type Si substrate 1.例文帳に追加

p型Si基板１上にSr_2NbN_3からなる窒化物強誘電体膜４を形成する。 - 特許庁

A p^--type silicon layer 13 becoming a p^--type region 12 is formed and n-type impurities are solid-phase diffused from the sidewall of a first trench 22 formed in the p^--type silicon layer 13 into the p^--type silicon layer 13 thus forming an n^--type region 11.例文帳に追加

ｐ^-型領域１２となるｐ^-型シリコン層１３を形成し、ｐ^-型シリコン層１３に形成された第１トレンチ２２の側壁からｐ^-型シリコン層１３にｎ型の不純物を固相拡散することにより、ｎ^-型領域１１を形成している。 - 特許庁

The semiconductor laser element includes an n-type clad layer 102, an active layer 103, a p-type clad layer 104, and a p-type contact layer 105 which are formed on the surface of an n-type GaN substrate 101, and a p-type ohmic electrode 106 formed on the upper surface of the p-type contact layer 105.例文帳に追加

ｎ型ＧａＮ基板１０１の一面上にｎ型クラッド層１０２、活性層１０３、ｐ型クラッド層１０４、およびｐ型コンタクト層１０５が形成され、ｐ型コンタクト層１０５の上面にｐ型オーミック電極１０６が形成されている。 - 特許庁

P-type regions 2, 4 are provided on a first n-type region 1.例文帳に追加

ｐ型領域２、４は第１のｎ型領域１上に設けられている。 - 特許庁

The second p-type layer 40b includes an oxide layer on the side of the i-type layer 42.例文帳に追加

第２のｐ型層４０ｂは、ｉ型層４２側に酸化層を備える。 - 特許庁

The p-type layer 5 and the n-type layer 6 become an isolation layer of a pn structure.例文帳に追加

ｐ型層５とｎ型層６とがｐｎ構造の素子分離層となる。 - 特許庁

Each diode DI has an n+ type layer D3 and a p+ type layer D1.例文帳に追加

ダイオードＤＩは、ｎ＋型層Ｄ３とｐ＋型層Ｄ１とを有する。 - 特許庁

A p-type impurity layer 2 is formed in an n-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ｎ型半導体基板１内には、ｐ型不純物層２が形成される。 - 特許庁

A second n-type region 3 is provided on the p-type regions 2, 4 spaced apart from the first n-type region 1 by the p-type regions 2, 4.例文帳に追加

第２のｎ型領域３は、ｐ型領域２、４によって第１のｎ型領域１と隔てられ、ｐ型領域２、４上に設けられている。 - 特許庁

In the first region AA, a P-type MOS 22, an N-type MOS 32 and a P-type MOS 42 are formed, and in the second region BB, an N-type MOS 52 is formed.例文帳に追加

第１領域ＡＡにはＰ型ＭＯＳ２２、Ｎ型ＭＯＳ３２、Ｐ型ＭＯＳ４２が形成され、第２領域ＢＢにはＮ型ＭＯＳ５２が形成される。 - 特許庁

The P-type fiber and the N-type fiber in one pair of transmission lines are preferably colored differently than the P-type fiber and the N-type fiber in other pairs.例文帳に追加

伝送回線の或る対の中のＰ型ファイバとＮ型ファイバは他の対のＰ型ファイバとＮ型ファイバとは異なって着色されることが好ましい。 - 特許庁

Then, an N-type semiconductor region 7 and a P-type semiconductor region 8 are formed on the N-type flush region 5 and the P-type embedded regions 6.例文帳に追加

そして、Ｎ型埋め込み領域５およびＰ型埋め込み領域６上にＮ型半導体領域７とＰ型半導体領域８を形成する。 - 特許庁

In a charge pump circuit, a P-type transistor MP2 and an N-type transistor MN2, which are turned off at all the time, are provided in parallel with a P-type transistor MP1 and an N-type transistor MN1.例文帳に追加

Ｐ型トランジスタＭＰ１及びＮ型トランジスタＭＮ１と並列に常にオフにしたＰ型トランジスタＭＰ２及びＮ型トランジスタＭＮ２を設ける。 - 特許庁

The group-III nitride light-emitting device includes an n-type layer, a p-type layer, and an active region which can emit light between the p-type layer and the n-type layer.例文帳に追加

ｎ型層、ｐ型層、及び、ｐ型層とｎ型層との間で発光することができる活性領域を含むＩＩＩ族窒化物発光装置。 - 特許庁

Fine groove processing is carried out at a fine pitch for n-type and p-type thermo-semiconductors each, and an n-type groove block 21 and a p-type grooved block 22 are formed.例文帳に追加

ｎ型とｐ型の熱電半導体にそれぞれ細かいピッチで細い溝加工を施しｎ型溝入ブロック２１とｐ型溝入ブロック２２を形成する。 - 特許庁

The SOA 101 has an electrode separation structure and has a lot of p-type electrodes when using an n-type substrate and has a lot of n-type electrodes when using a p-type substrate.例文帳に追加

ＳＯＡ１０１は電極分離構造を有し、ｎ基板を用いた場合はｐ電極を複数、ｐ基板を用いた場合はｎ電極を複数有する。 - 特許庁

A semiconductor structure has an n-type region, a p-type region, and a group III-nitride light-emitting layer arranged between the n-type region and the p-type region.例文帳に追加

半導体構造体は、ｎ型領域、ｐ型領域、及びｎ型領域とｐ型領域の間に配置されるＩＩＩ族窒化物発光層を有する。 - 特許庁

An n-type ohmic electrode 20 is formed on the rear surface of the n-type SiC substrate 10 while forming a p-type ohmic electrode 21 on the front surface of the p-type GaN layer 16.例文帳に追加

さらに、ｎ型ＳｉＣ基板１０の裏面にｎ型オーミック電極２０、ｐ型ＧａＮ層１６の表面にｐ型オーミック電極２１を形成する。 - 特許庁

A semiconductor light emitting device comprises an n-type region, a p-type region, and a light emitting region arranged between the n-type region and the p-type region.例文帳に追加

半導体発光装置は、ｎ型領域と、ｐ型領域と、該ｎ型領域およびｐ型領域の間に配置された発光領域とを含んでいる。 - 特許庁

For the peripheral region N, alternate layers are formed which are composed of a combination of an n-type n type partial region 22 and a p-type p type partial region 24.例文帳に追加

その周辺領域Ｎは、ｎ型のｎ型部分領域２２とｐ型のｐ型部分領域２４の組合せからなる互層が繰返して形成されている。 - 特許庁

When both the P-type transistor MP1 and the N-type transistor MN2 are turned off, an off-leak current escapes via the P-type transistor MP2 and the N-type transistor MN2.例文帳に追加

Ｐ型トランジスタＭＰ１とＮ型トランジスタＭＮ２が共にＯＦＦのときオフリーク電流はＰ型トランジスタＭＰ２及びＮ型トランジスタＭＮ２を介して逃げる。 - 特許庁

The n-type semiconductor layer 11 includes an n-type AlGaN clad layer 14 and the p-type semiconductor layer 12 includes a p-type AlGaN clad layer 18.例文帳に追加

ｎ型半導体層１１はｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１４を含み、ｐ型半導体層１２はｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１８を含む。 - 特許庁

The group III nitride light emitting device includes an n type layer, the p type layer and the active region in which lights can be emitted between the p type layer and the n type layer.例文帳に追加

ｎ型層、ｐ型層、及び、ｐ型層とｎ型層との間で発光することができる活性領域を含むＩＩＩ族窒化物発光装置。 - 特許庁

p-type and n-type ohmic electrodes provided in a p-type BP series semiconductor layer and an n-type group III nitride semiconductor layer, respectively, are made of identical material.例文帳に追加

ｐ形ＢＰ系半導体層及びｎ形III族窒化物半導体層に設けるｐ形及びｎ形オーミック電極を同一の材料から構成する。 - 特許庁

A p-type semiconductor layer 4 is formed on the n+ type drain layer 3, and an n+ type source layer 5 is formed on the p-type semiconductor layer 4.例文帳に追加

このｎ＋型ドレイン層３の上には、ｐ型半導体層４が形成され、ｐ型半導体層４の上にはｎ＋型ソース層５が形成される。 - 特許庁

Meanwhile, any one of a p-type or an n-type is the first conductivity type and the other is the second conductivity type.例文帳に追加

ただし、ｐ型またはｎ型のいずれか一方が第１導電型で他方が第２導電型であるとする。 - 特許庁

An N^--type drift layer 2, a P^+-type layer 3, and an N^+-type layer 5 are sequentially formed on an N^+-type substrate 1 using an epitaxial growth.例文帳に追加

Ｎ^+型基板１の上に、Ｎ^-型ドリフト層２、Ｐ^+型層３、Ｎ^+型層５を順にエピタキシャル成長させる。 - 特許庁