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Photo-Etching Methodの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 59件
The method of patterning a thin film includes a process for laminating a deposition film 30 on the thin film 20, a process for laminating a photo resist layer 40 on the deposition film, a process for patterning the photoresist layer by photolithography, and etching and patterning the deposition film by using the patterned photoresist layer, and a process for etching and patterning the thin film by using the patterned deposition film as a pattern mask.例文帳に追加
薄膜２０上に、蒸着膜３０を積層する工程と、 前記蒸着膜上に、フォトレジスト層４０を積層する工程と、 フォトリソグラフィにより、前記フォトレジスト層をパターニングし、パターニングされた前記フォトレジスト層を用いて前記蒸着膜をエッチングしてパターニングする工程と、 パターニングされた前記蒸着膜をパターンマスクとして、前記薄膜をエッチングしてパターニングを行う工程と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁
The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of forming a polysilicon layer 3 on a silicon substrate 1, forming a photoresist mask 5 on the polysilicon layer 3, dry etching the polysilicon layer 3 with the use of the photoresist mask 5 as a mask, and depositing a by-product 6 produced in the act of dry etching the polysilicon layer 3 on and on the side of the photo resist mask 5.例文帳に追加
半導体装置の製造方法は、シリコン基板１上にポリシリコン層３を形成する工程と、ポリシリコン層３上にフォトレジストマスク５を形成する工程と、フォトレジストマスク５をマスクにしてポリシリコン層３をドライエッチングするとともに、ポリシリコン層を３ドライエッチングしている最中に生成される副生成物６を、フォトレジストマスク５の上面および側面の上に堆積する工程とを有する。 - 特許庁
To provide a thin film pattern forming method for directly forming a thin film circuit pattern using a mask by which a continuous circuit pattern difficult to be formed by mask film deposition can be formed without using any photo-lithography etching process in forming thin film circuit pattern, a pattern forming apparatus using the method, and an electronic circuit device manufactured by the forming apparatus.例文帳に追加
薄膜回路パターン形成において、ホトリソグラフィー・エッチィングプロセスを用いることなく、かつマスク成膜では難しかった連続回路パターン形成を可能とするマスクを用いた薄膜回路パターン直接形成するパターン形成方法とそれを用いたパターン形成装置、さらには該形成装置により製造された電子回路装置を提供する。 - 特許庁
To provide an optical recording medium in which cross-write is suppressed by suppressing spread of heat and a track pitch is greatly reduced as compared with the conventional one, and to provide a method for manufacturing the medium at a low cost, with which photo-lithography used for manufacturing semiconductor equipment and etching work using a vacuum apparatus are not needed.例文帳に追加
熱の拡がりを抑制することによりクロスライトを抑制し、トラックピッチを従来品よりも大幅に縮小した光記録媒体の提供、及び、半導体装置の製造で用いられるフォトリソグラフィーや、真空装置を用いるエッチング加工などを行わないで済む、前記媒体の安価な製造方法の提供。 - 特許庁
The method can prevent an inorganic hard mask film from being damaged by the formation of a pattern by forming a multilayer mask layer, including the inorganic hard mask film, an organic mask film, an antireflection film, and a silicon containing photo resist film and dry-etching the antireflection film and the organic mask film using O_2 plasma.例文帳に追加
この方法は無機ハードマスク膜、有機マスク膜、反射防止膜及びシリコン含有フォトレジスト膜が積層された多層のマスク層を形成し、Ｏ_２プラズマで前記反射防止膜及び有機マスク膜を乾式エッチングしてパターンを形成することによって無機ハードマスク膜の損傷を防止することができる。 - 特許庁
To provide a semiconductor element manufacturing method which buries an insulating film between gate patterns in place of a photo-sensitive film when implanting ions into a semiconductor substrate of lower portion of a bit line contact area, etches it to expose the bit line contact area without a residue of etching, thereby, can prevent a leakage current of a cell transistor.例文帳に追加
ビットラインコンタクト領域下部の半導体基板にイオンを注入するときゲートパターン等の間を感光膜の代わりに絶縁膜で埋め、これを食刻して食刻残留物なくビットラインコンタクト領域を露出することにより、セルトランジスタの漏洩電流を防止することができる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
The method of manufacturing image sensor includes a step of forming a photo sensitive film for forming a microlens on a color filter, a step of forming a pattern having a predetermined depth from upper plane by exposing the photosensitive film, a step of forming a backup microlens by heat treating the photosensitive film, and a step of forming a microlens by etching the backup microlens.例文帳に追加
実施例に係るイメージセンサの製造方法は、カラーフィルタ層の上にマイクロレンズ形成のための感光膜を形成するステップと、前記感光膜に露光を行って、上部面から所定深さを有するパターンを形成するステップと、前記感光膜に熱処理を行って、予備マイクロレンズを形成するステップと、前記予備マイクロレンズにエッチングを行って、マイクロレンズを形成するステップとを備える。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a polarizing and splitting element and a polarizing and splitting element capable of improving yield in photo-lithography and dry etching which are processes for forming diffraction gratings on a double diffraction film by sticking an optical anisotropic film on an optically transparent substrate wafer so as to improve the flatness, and further, to provide a hologram laser unit and an optical pickup unit improved in reliability.例文帳に追加
本発明は、光学的透明基板ウェハに光学的異方性膜を平坦性が向上するように貼り付け、複屈折膜上に回折格子を形成する工程であるフォトリソグラフィー、ドライエッチングにおいて歩留りを向上できる、偏光分離素子の製造方法及び偏光分離素子、更に信頼性の向上したホログラムレーザユニット及び光ピックアップ装置を提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide a method of forming a pattern of a semiconductor device in which a smaller photomask pattern stage can be achieved by performing an etching stage for photomask patterns using photosensitive film patterns as an etch-stop layer after forming the photosensitive film patterns between the photomask patterns by using a self-alignment system using negative photoresist and then performing a heat treatment stage for expanding the photoresist film patterns.例文帳に追加
本発明は、ネガ型フォトレジスト(Negative Type Photo Resist)を用いた自己整列方式を利用してフォトマスクパターンの間に感光膜パターンを形成し、感光膜パターンを拡大するための熱処理工程を行った後、感光膜パターンをエッチング防止膜として用いてフォトマスクパターンに対してエッチング工程を行うことにより、さらに微細なフォトマスクパターン工程が可能な半導体素子のパターン形成方法を提供するものである。 - 特許庁
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