「QUANTUM CASCADE LASER」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

INTER-SUBBAND SUPERLATTICE OPTICAL EMITTER AND QUANTUM CASCADE SUPERLATTICE LASER例文帳に追加

サブバンド間超格子光エミッタおよび量子カスケード超格子レーザ - 特許庁

InAs/AlSb QUANTUM CASCADE LASER AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

ＩｎＡｓ／ＡｌＳｂ量子カスケードレーザー及びその作製方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR LAMINATE AND QUANTUM CASCADE LASER USING THE SAME例文帳に追加

半導体積層体、及びそれを用いた量子カスケードレーザ - 特許庁

To provide a quantum cascade laser having a comparatively high gain.例文帳に追加

比較的に高い利得の量子カスケードレーザを提供する。 - 特許庁

In other embodiments, a VCSEL, a color center laser, or a quantum cascade laser is utilized.例文帳に追加

他の実施形態では、ＶＣＳＥＬ、色中心レーザー、または量子カスケードレーザーが利用される。 - 特許庁

QUANTUM CASCADE LASER COMPRISING GRATING FORMED BY PERIODICALLY TRANSFORMING DOPING例文帳に追加

周期的にドーピングを変化させて形成された格子を備えている量子カスケードレーザ - 特許庁

To provide a quantum cascade laser capable of providing light emission in a wide wavelength range.例文帳に追加

広い波長範囲で発光を得ることが可能な量子カスケードレーザを提供する。 - 特許庁

To provide a quantum cascade laser which achieves operation at high temperature with high efficiency.例文帳に追加

高温、高効率での動作を実現することが可能な量子カスケードレーザを提供する。 - 特許庁

To provide a quantum cascade laser capable of suitably obtaining light emission in a wide wavelength range.例文帳に追加

広い波長範囲での発光を好適に得ることが可能な量子カスケードレーザを提供する。 - 特許庁

To provide a quantum cascade laser capable of reducing power consumption.例文帳に追加

消費電力を低減することが可能な量子カスケードレーザを提供する。 - 特許庁

The at least one laser device (104) is one of a quantum cascade laser, a tunable diode laser, a vertical resonance type surface emitting laser and an interband cascade laser.例文帳に追加

また、前記少なくとも１つのレーザー装置（１０４）は、量子カスケードレーザー、チューナブルダイオードレーザー、垂直共振型面発光レーザー及びバンド間カスケードレーザーのうちの１つである。 - 特許庁

The quantum cascade laser element comprises a quantum cascade structure having a multi quantum well structure in which quantum well layers and barrier layers are laminated alternately, and in which a plurality of unit structures consisting of active regions and injection regions are arranged in a lamination direction.例文帳に追加

量子カスケードレーザ素子は、量子井戸層およびバリア層が交互に積層された多重量子井戸構造を有し、活性領域および注入領域からなる複数の単位構造が積層方向に配置された量子カスケード構造部を備える。 - 特許庁

The quantum cascade laser is equipped with a semiconductor substrate and an active layer having a cascade structure wherein unit laminates 16, each consisting of a quantum well light emission layer 17 and an injection layer 18, are stacked in multiple stages.例文帳に追加

半導体基板と、基板上に設けられ、量子井戸発光層１７及び注入層１８からなる単位積層体１６が多段に積層されたカスケード構造を有する活性層とを備えて量子カスケードレーザを構成する。 - 特許庁

The quantum cascade laser 1 is composed by using a laser element 10 of a semiconductor laminated body having a cascade structure of m1 stages, in which a quantum-well light-emitting layer and an implantation layer are alternately and vertically laminated, and including an active layer 20 for generating light by the transition between subbands in the quantum well structure.例文帳に追加

量子井戸発光層及び注入層が交互に、垂直方向に積層されたｍ１段のカスケード構造を有し、量子井戸構造でのサブバンド間遷移によって光を生成する活性層２０を含む半導体積層体のレーザ素子部１０を用いて、量子カスケードレーザ１を構成する。 - 特許庁

The semiconductor laser 1 is an InGaAs/InAlAs quantum cascade-type, and it emits a laser beam 31 of a wavelength of 9.6μm.例文帳に追加

半導体レーザ１は、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ量子カスケード型レーザであり、波長９．６μｍのレーザ光３１を放出する。 - 特許庁

To provide a quantum cascade laser capable of decreasing a waveguide loss in a laser to generated light.例文帳に追加

生成された光に対するレーザ内での導波路損失が低減される量子カスケードレーザを提供する。 - 特許庁

This laser module LM includes a quantum cascade laser 1, a tubular member 5, and an infrared detector 7.例文帳に追加

レーザモジュールＬＭは、量子カスケードレーザ１と、管状部材５と、赤外線検出器７と、を備えている。 - 特許庁

A quantum cascade laser 1 for generating light having a predetermined wavelength such as an infrared light is composed by forming an AlGaAs/GaAs active layer 11 on a GaAs substrate 10 having a cascade structure with a quantum well light emitting layer and an injection layer alternately laminated and by using an intersubband transition in the quantum well structure.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１０上に、量子井戸発光層及び注入層が交互に積層されたカスケード構造を有するＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ活性層１１を形成して、量子井戸構造でのサブバンド間遷移を利用して赤外光などの所定波長の光を生成する量子カスケードレーザ１を構成する。 - 特許庁

A quantum cascade laser which utilizes inter-subband transition having a large nonlinear refractive index generates pico-second pulse of intermediate infrared light.例文帳に追加

大きい非線型屈折率を有するサブバンド間遷移を利用する量子カスケードレーザーが、中赤外光のピコ秒パルスを生成する。 - 特許庁

To provide a quantum cascade laser that oscillates at lower threshold current density without giving any influence on oscillation wavelength.例文帳に追加

発振波長に影響を与えることなく、より低い閾値電流密度で発振する量子カスケードレーザを提供する。 - 特許庁

The quantum-cascade laser includes an active layer in which a multiquantum well 12 and a semiconductor intermediate layer 14 are alternately laminated.例文帳に追加

量子カスケードレーザは、多重量子井戸１２と半導体中間層１４とが交互に積層された活性層を備える。 - 特許庁

To provide a quantum-cascade laser having a short wavelength, a narrow beam width, and less restriction of material, and capable of performing ultrafast modulation.例文帳に追加

短波長で、狭線幅、及び、超高速変調が可能であり、材料の制約が小さな量子カスケードレーザを提供する。 - 特許庁

ARTICLE COMPRISING A QUANTUM CASCADE LASER HAVING IMPROVED DISTRIBUTED FEEDBACK FOR SINGLE-MODE OPERATION例文帳に追加

単一モード動作のための改良された分散フィードバックを持つ量子カスケード・レーザーを具備する装置 - 特許庁

To provide a quantum cascade laser having narrow line width characteristics and operable at a low threshold and with high output.例文帳に追加

狭線幅特性を有するとともに、低閾値、高出力での動作が可能な量子カスケードレーザを提供する。 - 特許庁

To provide a quantum cascade laser element which exhibits high slope efficiency and by which transverse mode can be stably unified.例文帳に追加

スロープ効率が優れ安定して横モード単一化が可能な量子カスケードレーザ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a quantum cascade layer capable of enhancing the operational performance of the laser by efficiently forming inverted distribution in a light-emitting layer.例文帳に追加

発光層における反転分布を効率的に形成して、レーザ動作性能を向上することが可能な量子カスケードレーザを提供する。 - 特許庁

To provide a quantum cascade laser which is reduced in power consumption and operates with high efficiency and high power.例文帳に追加

消費電力が低減されて高効率、高出力での動作が可能な量子カスケードレーザを提供する。 - 特許庁

To provide a quantum cascade laser capable of improving characteristics such as injection efficiency of electrons into a light emission upper level.例文帳に追加

発光上準位への電子の注入効率などの特性を向上することが可能な量子カスケードレーザを提供する。 - 特許庁

The quantum cascade laser comprises a core layer having a plurality of active layers 71, and a plurality of injection layers 73 which form a cascade structure along with the plurality of active layers 71.例文帳に追加

複数の活性層７１と、複数の活性層７１と共にカスケード構造を成す複数の注入層７３と、を有するコア層を備える量子カスケードレーザである。 - 特許庁

This quantum cascade laser is configured by including a semiconductor substrate, and an active layer which is formed on the substrate, and has a cascade structure in which unit laminates 16 comprising a light emission layer 17 and an injection layer 18 are laminated in a multi-stage.例文帳に追加

半導体基板と、基板上に設けられ、発光層１７及び注入層１８からなる単位積層体１６が多段に積層されたカスケード構造を有する活性層とを備えて量子カスケードレーザを構成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laminate in which electrons can be injected into quantum barrier layers which become injection layers at high current densities, and to provide a quantum cascade laser using the laminate.例文帳に追加

注入層となる量子障壁層において高い電流密度で電子注入を行うことが可能な半導体積層体、及びそれを用いた量子カスケードレーザを提供する。 - 特許庁

A cascade laser device is provided with: a multi-layer film structure including a multiple quantum well including potential barriers 41, 143 and 151 and quantum wells 142 and 144 and an electric field application means for applying an electric field to the multi-layer film structure.例文帳に追加

カスケードレーザ素子は、ポテンシャル障壁41、143、151と量子井戸142、144とを備えた多重量子井戸を含む多層膜構造と、多層膜構造に電界を印加するための電界印加手段を有する。 - 特許庁

A quantum cascade laser 1A includes a semiconductor substrate 10, and an active layer 15 which is provided on the substrate 10 and has a cascade structure in which a unit laminate consisting of a quantum well emission layer and an injection layer is stacked in multiple stages so that the emission layer and the injection layer are alternately laminated, for generating light by inter-subband transition in the quantum well structure.例文帳に追加

半導体基板１０と、基板１０上に設けられ、量子井戸発光層及び注入層からなる単位積層体が多段に積層されることで発光層と注入層とが交互に積層されたカスケード構造を有し、量子井戸構造でのサブバンド間遷移によって光を生成する活性層１５とを備えて量子カスケードレーザ１Ａを構成する。 - 特許庁

The quantum cascade laser includes a semiconductor substrate and an active layer 15 wherein a cascade structure provided on the substrate and having quantum well light emitting layers 17 and injection layers 18 stacked alternately is formed by stacking unit stacks 16 each comprising a quantum well light emitting layer 17 and an injection layer 18 in stages.例文帳に追加

半導体基板と、基板上に設けられ、量子井戸発光層１７及び注入層１８からなる単位積層体１６が多段に積層されることで発光層１７と注入層１８とが交互に積層されたカスケード構造が形成された活性層１５とを備えて量子カスケードレーザを構成する。 - 特許庁

The semiconductor laminate having a cascade structure that can be applied as the active layer of a quantum cascade laser is constituted by alternately laminating semiconductor superlattice layers 100, 110, 120, etc., which become light emitting layers and multilayered barrier layers 200, 210, etc., which become the injection layers upon another.例文帳に追加

発光層となる半導体超格子層１００、１１０、１２０、…と、注入層となる多重障壁層２００、２１０、…とを交互に積層することにより、量子カスケードレーザの活性層として適用可能なカスケード構造を有する半導体積層体を構成する。 - 特許庁

To achieve a mutual operation with TE mode light in addition to a mutual operation with light of a conventional TM mode; and to achieve high efficiency and high performance of devices since quantum well intersubband transition is applied to an infrared image sensor, a quantum cascade laser, and an ultra high-speed light modulation element.例文帳に追加

量子井戸サブバンド間遷移には、赤外線イメージセンサ、量子カスケードレーザや超高速光変調素子への応用があり、従来のＴＭモードのみの光との相互作用に加え、ＴＥモード光との相互作用を可能にし、これらのデバイスの高効率、高性能化を実現する。 - 特許庁

To provide a surface light emitting device including a quantum cascade laser element oscillating at a single wavelength at room temperature and operated stably, and to provide a method of manufacturing the surface light emitting device.例文帳に追加

室温において単一波長で発振可能であるとともに、安定して動作することが可能な量子カスケードレーザ素子を備えた面発光装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Therefore, according to this quantum cascade laser device 1, the CW oscillation of single-mode light can be carried out even at room temperature or at a temperature near it.例文帳に追加

従って、量子カスケードレーザ素子１によれば、室温或いはその近傍温度であっても、シングルモードの光を確実にＣＷ発振することができる。 - 特許庁

To provide a DFB-type quantum cascade laser device capable of surely carrying out CW oscillation of single-mode light even at room temperature or at a temperature near it.例文帳に追加

室温或いはその近傍温度であっても、シングルモードの光を確実にＣＷ発振することができるＤＦＢ型の量子カスケードレーザ素子を提供する。 - 特許庁

The tubular member 5 includes a pair of opening ends 5a, 5b, and the one opening end 5a is arranged to be opposed to a face 1b opposed to an outgoing end face 1a of the quantum cascade laser 1.例文帳に追加

管状部材５は、一対の開口端５ａ，５ｂを有し、一方の開口端５ａが量子カスケードレーザ１の出射端面１ａと対向する面１ｂに対向するように配置されている。 - 特許庁

This quantum cascade laser is formed by including a semiconductor substrate, and an active layer where unit laminated bodies 16 each composed of a luminescent layer 17 and an injection layer 18 are laminated in multiple tiers.例文帳に追加

半導体基板と、発光層１７及び注入層１８からなる単位積層体１６が多段に積層された活性層とを備えて量子カスケードレーザを構成する。 - 特許庁

A light emitted from a face (rear side end face) 1b opposed to an outgoing end face (front side end face) 1a of the quantum cascade laser 1 is wave-guided in an inside of the tubular member 5, and gets incident into the infrared detector 7, to be detected.例文帳に追加

量子カスケードレーザ１の出射端面（前側端面）１ａと対向する面（後側端面）１ｂから放射された光は、管状部材５の内側を導波し、赤外線検出器７に入射して、検出される。 - 特許庁

The quantum cascade laser is composed of: a semiconductor substrate; and an active layer configured by laminating multiple stages of unit laminates 16 each of which includes a light-emitting layer 17 and an injection layer 18.例文帳に追加

半導体基板と、発光層１７及び注入層１８からなる単位積層体１６が多段に積層された活性層とによって量子カスケードレーザを構成する。 - 特許庁

In this quantum cascade laser device 1, because a top grating system with a diffraction grating 7 formed on a laminate 3 is adopted, the degradation of the temperature characteristic as a laser device or the deterioration of yield and reproducibility is suppressed as compared to an embedded grating system.例文帳に追加

量子カスケードレーザ素子１においては、積層体３上に回折格子７が形成されたトップグレーティング方式が採用されているため、埋め込みグレーティング方式に比べ、レーザ素子としての温度特性の劣化や、歩留まり及び再現性の低下が抑制される。 - 特許庁

The quantum cascade laser 100 is provided with an active layer 120 that is pinched by a pair of waveguide layers 110 and 140; and a bonding layer 130 that has a lamination structure different from the active layer 120 and is inserted between the active layer 120 and the waveguide layer 140 that becomes a negative electrode side, when voltage is applied to the active layer 120.例文帳に追加

量子カスケードレーザ１００は、１組の導波層１１０，１４０に挟まれた活性層１２０と、活性層１２０への電圧印加時に負電極側となる導波路層１４０と活性層１２０との間に、活性層１２０とは異なる積層構造を有する接合層１３０が挿入されている。 - 特許庁