「Raman scattering spectrum」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To enable Raman spectrum analysis with high sensitivity by effectively drawing an object substance to be measured in a sample cell to the surface of a Raman scattering device in the vicinity thereof in a Raman spectrometer.例文帳に追加

ラマン分光装置において、試料セル中の被測定物質をラマン散乱デバイスの表面又はその近傍に効果的に引き寄せて、高感度なラマン分光分析を行うことを可能とする。 - 特許庁

The semiconductor thin film contains at least silicon and hydrogen and has the ratio (I_TA/I_TO) of scattering peak intensity I_TA in TA mode to scattering peak intensity I_TO in TO mode obtained by Raman scattering spectrum not larger than 0.35, and a crystallization rate being defined by Raman scattering spectrum not larger than 60%.例文帳に追加

少なくともシリコンおよび水素を含有し、ラマン散乱スペクトルにより得られるＴＯモードの散乱ピーク強度Ｉ_ＴＯに対するＴＡモードの散乱ピーク強度Ｉ_ＴＡの比（Ｉ_ＴＡ／Ｉ_ＴＯ）が0.35以下で、かつ前記ラマン散乱スペクトルによって定義される結晶化率が60％以下である半導体薄膜とする。 - 特許庁

The samples A and B in an embodiment wherein Al_2O_3 is added to SiO_2 have peaks in a Raman scattering spectrum in positions exceeding 900 cm^-1 Raman shift quantity.例文帳に追加

ＳｉＯ_2にＡｌ_2Ｏ_3が加えられた実施例のサンプルＡおよびサンプルＢそれぞれでは、ラマン散乱スペクトルにおけるピークは、ラマンシフト量９００ｃｍ^-1を超える位置にある。 - 特許庁

To provide a method for determining the direction and type of internal stress within a crystal by performing the analysis of the polarization direction and Raman spectrum of excitation light and Raman scattering light.例文帳に追加

本発明は、励起光やラマン散乱光の偏光方向とラマンスペクトルの解析を行うことによって、結晶中の内部応力の方向や種類を求める測定方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

Rayleigh scattering light caused by the Raman scattering light and the excitation laser light 1 from a sample S and reference light 13 are introduced into a multiple wavelength simultaneous detection means 8, and a spectrum of each scattering light 1a and a spectrum of the reference light 13 are measured.例文帳に追加

試料Ｓからのラマン散乱光及び励起レーザ光１に起因するレーリー散乱光と基準光１３とを多波長同時検出手段８に導入し、各散乱光１ａのスペクトル及び基準光１３のスペクトルを測定する。 - 特許庁

The spectrum of the nonlinear Raman scattering light Lcn emitted from the irradiated specimen 1 is acquired by the spectrum acquisition section 60 for analyzing the partial molecules.例文帳に追加

この照射を受けた被検体１から発せられる非線形ラマン散乱光Ｌｃｎのスペクトルをスペクトル取得部６０が取得して前記一部の分子が分析される。 - 特許庁

The spectrum of nonlinear Raman scattering light Lcw emitted from the irradiated specimen 1 is acquired by a spectrum acquisition section 60, thus identifying a plurality of types of molecules for composing the specimen 1.例文帳に追加

この照射を受けた被検体１から発せられる非線形ラマン散乱光Ｌｃｗのスペクトルをスペクトル取得部６０が取得して被検体１を構成する複数種類の分子が特定される。 - 特許庁

A spectrum acquisition section 60 obtains the spectrum of the nonlinear Raman scattering light Lc emitted from the specimen 1 irradiated with the Stokes light Ls.例文帳に追加

スペクトル取得部６０が、ストークス光Ｌｓの照射を受けた被検体１から発せられる非線形ラマン散乱光Ｌｃのスペクトルを取得する。 - 特許庁

Each spectrum of nonlinear Raman scattering light Lc(i, j, k) emitted from the irradiated detecting positions R(i, j) when each optical component Sp(k) being irradiated is obtained by a spectrum measurement part 60.例文帳に追加

スペクトル測定部６０により、その照射を受けた各検出位置Ｒ（ｉ，ｊ）それぞれから各光成分Ｓｐ（ｋ）の照射毎に発せられた非線形ラマン散乱光Ｌｃ（ｉ，ｊ、ｋ）それぞれのスペクトルを得る。 - 特許庁

In the semiconductor thin film containing at least silicon and hydrogen, a ratio of a scattering peak intensity I_TA of a TA mode to a scattering peak intensity I_TO of a TO mode obtained from a Raman scattering spectrum is not larger than 0.35.例文帳に追加

少なくともシリコンおよび水素を含有する半導体薄膜において、ラマン散乱スペクトルより得られるＴＯモードの散乱ピーク強度Ｉ_ＴＯに対するＴＡモードの散乱ピーク強度Ｉ_ＴＡの比が０．３５以下であることを特徴とする半導体薄膜とする。 - 特許庁

The semiconductor thin film contains at least silicon and hydrogen and has the ratio of scattering peak intensity in TA mode to scattering peak intensity in TO mode obtained by Raman scattering spectrum not larger than 0.35 wherein crystal grains having maximum grain size in the range of 1-6 nm are scattered.例文帳に追加

少なくともシリコンおよび水素を含有し、ラマン散乱スペクトルにより得られるＴＯモードの散乱ピーク強度に対するＴＡモードの散乱ピーク強度の比が0.35以下であり、かつ最大粒径が１ｎｍ超６ｎｍ未満の結晶粒が散在分布してなることを特徴とする半導体薄膜とする。 - 特許庁

The cubic boron nitride film is obtained by a gas phase without using ultrahigh pressure and clearly exhibits, in the Raman spectrum, either the characteristic scattering by a phonon of a longitudinal optical mode in the vicinity of 1,305 cm^-1 or the characteristic scattering by a phonon of a transverse optical mode in the vicinity of 1,056 cm^-1 or both the characteristic scattering.例文帳に追加

超高圧を用いずに気相より得られ、ラマンスペクトルにおいて1305cm^-1近傍に光学的縦波モードのフォノンによる特性散乱または1056cm^-1近傍に光学的横波モードのフォノンによる特性散乱のいずれか、あるいは両方の特性散乱を明瞭に示す立方晶窒化ホウ素膜。 - 特許庁

To accurately obtain Raman scattering spectrum by suppressing such a move as the breakdown and vibration of a self-supported thin film and securely cooling the self-supported thin film itself.例文帳に追加

自立薄膜の破壊及び振動などの動きを抑えて、確実に自立薄膜自体を冷却し、正確なラマン散乱スペクトルを得ることができる顕微ラマン分光計を提供する。 - 特許庁

The type and specialization of the cell under incubation can be nondestructively and non-invasively identified based on the chemical composition analysis of the cell by a Raman scattering spectrum when the animal cell is incubated.例文帳に追加

動物細胞の培養において、ラマン散乱スペクトルによる細胞の化学組成分析に基づいた、非破壊的、非侵襲的な、培養中の細胞の種類や分化度の識別を可能とするものである。 - 特許庁

The amorphous carbon film 42 has a full width at half maximum ranging 50 to 200 cm^-1, as that of G-band of Raman scattering spectrum, and specific resistance of about 1.0×10^-3 Ωcm.例文帳に追加

非晶質炭素膜４２は、ラマン散乱スペクトルのＧバンドの半値幅として５０〜２００ｃｍ^−１の範囲の半値幅を有し、比抵抗値が約１．０×１０^−３Ωｃｍである。 - 特許庁

The light transmitting body made of quartz glass has such properties that the ratio R=I790/I820 is ≤1, wherein I790 and I820 are the scattering peak intensities in the Raman spectrum at 790 cm-1 and 820 cm-1, respectively, and the fluctuation amplitude Δn of the refractive index is ≤5×10-7.例文帳に追加

ラマンスペクトルの820cm^-1における散乱ピーク強度をＩ_820、790cm^-1におけるそれをＩ_790とするとき、Ｉ_790／Ｉ_820の比Ｒの値が1以下であること、さらには屈折率の変動幅Δｎが5×10^-7以下である石英ガラス光透過体。 - 特許庁

This cubic system boron nitride is obtained from a vapor phase without using a superhigh pressure and clearly shows either characteristic scattering by a phonon of an optical longitudinal wave mode in the vicinity of 1,305-1 in a Raman spectrum or a characteristic scattering by a phonon of an optical transverse wave mode in the vicinity of 1,056-1 or both the characteristic scatterings.例文帳に追加

超高圧を用いずに気相より得られ、ラマンスペクトルにおいて1305cm^-1近傍に光学的縦波モードのフォノンによる特性散乱または1056cm^-1近傍に光学的横波モードのフォノンによる特性散乱のいずれか、あるいは両方の特性散乱を明瞭に示す立方晶窒化ホウ素。 - 特許庁

With the laser ionization mass spectrometry in which mass spectrum is measured by selectively exciting and ionizing an organic compound jetted into a vacuum chamber with a laser irradiation and accelerating the ion thus obtained with an electrode, laser light is gathered on a Raman cell with hydrogen sealed in to generate a stimulated Raman scattering laser light, and the organic compound in the vacuum chamber is selectively excited and ionized with the use of both excitation light and Raman light.例文帳に追加

真空チャンバー内に噴出された有機化合物をレーザー照射によって選択励起・イオン化させ、該イオンを電極によって加速し質量スペクトルを測定するレーザーイオン化質量分析方法において、水素を封入したラマンセルにレーザー光を集光させて誘導ラマンレーザー光を発生させ、励起光とラマン光の双方を用いて、真空チャンバー内における有機化合物を選択励起・イオン化する。 - 特許庁

The microcrystal semiconductor thin film comprises a silicon as a main component having a central position of a low wave number side curve of 475 to 498 cm-1 and a half value of a low wave number side curve of 50 to 70 cm-1 when a spectrum obtained by a Raman scattering spectroscopic method is separated to two exponential function type curves.例文帳に追加

ラマン散乱分光法により得られたスペクトルを２つの指数関数型曲線に分離した際に低波数側曲線の中心位置が４７５ｃｍ^-1〜４９８ｃｍ^-1にありかつ低波数側曲線の半値幅が５０ｃｍ^-1〜７０ｃｍ^-1にある、シリコンを主成分とする微結晶半導体薄膜。 - 特許庁

For example, tetrakis(4-sulufonatophenyl)porphyrin is used as the functional anionic compound to neutralize the cationic site, to obtain a porphyrinsulfonate salt of a cationic curdlan derivative/nanowire-like gold composite, which exhibits enhancement effects of Raman scattering spectrum, and hence is expected to be utilized, for example, as a nano-sensing element.例文帳に追加

なお、カチオン部位を中和する機能性アニオン化合物として例えばテトラキス（４−スルホナトフェニル）ポルフィリンを使用することによって得られるカチオン性カードラン誘導体／ナノワイヤー状金複合体のポルフィリンスルホナト塩は、ラマン散乱スペクトルの増強効果を示し、ナノセンシング素子等としての利用が期待される。 - 特許庁