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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > Vacuum depositionの意味・解説 > Vacuum depositionに関連した英語例文

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Vacuum depositionの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 1561



例文

The vacuum arc vapor deposition apparatus is constituted so that a porous member 10 is arranged on the inner wall of a plasma duct 5 provided with a deflection magnetic field forming means having a magnetic coil 8 at its outside, with which the plasma containing a cathode substance generated from a cathode 7 attached to a evaporation source 6 can be guided to the neighborhood of the substrate 11 housed in a film forming chamber 1.例文帳に追加

この真空アーク蒸着装置は真空アーク放電によって、蒸発源6に取り付けられた陰極7から生成する陰極物質を含むプラズマを粗大粒子を除去して、成膜室1に収納された基体11近傍に導くように、その外部に磁気コイル8を有する偏向磁場形成手段が設けられたプラズマダクト5の内壁に多孔部材10を配設している。 - 特許庁

The boron carbide-silicon carbide complex carbon material having oxidation resistance is applied to the whole or part of the surface of a crucible for sintering, a crucible for vacuum deposition, a die for continuous casting, a crucible for melting a metal, a roller for transporting glass, a uniformly heating pipe for annealing a steel wire material, a jig for high-temperature burning and a jig for hot press.例文帳に追加

この耐酸化性の炭化ホウ素ー炭化ケイ素複合炭素材料を、焼結用ルツボ、真空蒸着用ルツボ、連続鋳造用ダイス、溶融金属用ルツボ、ガラス管搬送用ローラー、鋼線材焼鈍用均熱管、高温焼成用治具、ホットプレス用治具の表面の全部又は一部に適用する。 - 特許庁

To provide a holding tray for a substrate with which at least a part or more of a substrate holding means is contained so that the substrate is fixedly supported on the flat-plate surface of the vertical substrate holding tray for vacuum process, and the high accurate alignment can be obtained by holding and supporting the substrate arranged at the vertical-state and the stable vapor-deposition process is performed.例文帳に追加

真空工程用鉛直基板固定トレイの平板面上に前記基板が固定支持されるように少なくとも一部分以上基板固定手段を含んでなり、鉛直に配置された基板を固定及び支持して高精密の整列が可能で、かつ安定した蒸着工程がなされる基板固定トレイを提供すること。 - 特許庁

The cathode electrode is a cathode electrode for the plasma source of a vacuum deposition system for depositing a coating film particularly on a optical substrate, and this cathode electrode is composed of a material which has at least 3 eV energy band gap (wide band gap), preferably the maximal one, between the energy bands.例文帳に追加

特に光学的基板上にコーティング膜をつけるための真空蒸着装置のプラズマ発生源用のカソード電極において、カソード電極は、少なくとも部分的にエネルギーバンドの間に少なくとも3eVの好ましくは最大可能なエネルギーバンドギャップ(ワイドバンドギャップ)を有する材料から成ることを特徴とするカソード電極。 - 特許庁

例文

This Pd alloy film consisting of Pd and a metal alloyed with Pd, is formed on the surface of a porous support by using a vacuum deposition device having at least two evaporation sources, i.e., an evaporation source for evaporating Pd and another evaporation source for evaporating a metal to be alloyed with Pd.例文帳に追加

多孔質支持体の表面に形成されたPdとPdと合金化する金属とからなる水素透過用Pd合金膜であって、該Pd合金膜が、該多孔質支持体の表面にPdを蒸発させる蒸発源とPdと合金化する金属を蒸発させる蒸発源との2つ以上の蒸発源を有する真空蒸着装置を用いて作製されたPd合金膜であることを特徴とする水素透過用Pd合金膜及びその作製方法。 - 特許庁


例文

A magnetic layer 3 of a film thickness of55 nm is formed on one main surface of a long non-magnetic base material 1 by a vacuum thin film deposition technique.例文帳に追加

長尺状の非磁性支持体1の一主面に、真空薄膜形成技術によって形成された膜厚55nm以下の磁性層3を有し、磁性層3の長手方向断面カラム構造における磁性微粒子3aの成長方向の、非磁性支持体1の長手方向に対する法線との為す角度をθとし、磁性層初期成長部分における平均角度をθiとし、磁性層成長終端部分における平均角度をθfとしたとき、下記の関係を有する磁気記録媒体10を提供する。 - 特許庁

The method comprises forming a metal oxide thin film on the surface of a plastic film by the vacuum vapor deposition, ion plating, sputtering or CVD method, applying, onto the oxide film, an active-energy-hardenable composition containing a silane coupling agent containing an acryloyl and/or a methacryloyl group, and irradiating active energy rays to form a hardened coating.例文帳に追加

プラスチックフィルム表面に、真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法及びCVD法から選ばれるいずれかの方法により金属酸化物薄膜を形成し、該金属酸化物薄膜上に、アクリロイル基及び/又はメタクリロイル基を有するシランカップリング剤を含有する活性エネルギー線硬化性組成物を塗布し、活性エネルギー線を照射して硬化被膜を形成するガスバリア性フィルムの製造方法。 - 特許庁

In the gas barrier film comprising a substrate film and the laminate which is positioned on the substrate film and has at least one layer of the gas barrier layer formed by a vacuum deposition method, a heat resisting layer formed by a polymer resin having the glass transition temperature of90°C is positioned just under the gas barrier layer in the laminate.例文帳に追加

基材フィルムと、当該基材フィルム上に位置しており、真空蒸着法によって形成されたガスバリア層を少なくとも一層有する積層体と、からなるガスバリアフィルムであって、前記積層体中のガスバリア層の直下には、ガラス転移温度が90℃以上の高分子樹脂によって形成されている耐熱層が位置していることを特徴とするガスバリアフィルムことを特徴とするガスバリアフィルムを提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing products of magnesium or magnesium alloys comprises a step of working magnesium or the magnesium alloys into a product shape, and a step of forming a magnesium vapor-deposited layer on the surface of the workpiece manufactured in the working step, with a vapor deposition method employing magnesium or the magnesium alloy as a vapor depositing metal, in a vacuum condition with an atmospheric pressure of 1 or lower and at 650°C or lower.例文帳に追加

マグネシウム、マグネシウム合金を用いて製品形状に加工する加工工程と、この加工工程で加工された加工製品を気圧が1気圧以下で、温度が650℃以下の真空中でマグネシウム、マグネシウム合金を蒸着金属として用いた蒸着によって表面にマグネシウム蒸着層を形成するマグネシウム蒸着工程とでマグネシウム、マグネシウム合金製品の製造方法を構成している。 - 特許庁

例文

The slit yarn is produced by microslitting a filmy base material using a laser cutting method comprising irradiating the base material with laser beams emitted via one or more laser beam irradiation holes, for example, by irradiating a laminated film with laser beams via two laser beam irradiation holes set respectively over and under the laminated film which is made by providing both sides of a synthetic resin film with metallic vacuum deposition layers, respectively.例文帳に追加

単数又は複数のレーザ光照射口から射出されるレーザ光を照射するレーザ裁断方法を用いてフィルム状基材をマイクロスリットして得られるものであって、例えば、合成樹脂フィルムの両面に金属蒸着層を設けてなる積層フィルムの上方及び下方に備えた2箇所のレーザ光照射口から、レーザ光を積層フィルム面に対して照射することによって所望のスリット糸を得る。 - 特許庁

例文

To provide an improved tool for removing a metal film, which is used when solving resist and at the same time removing an unnecessary metal film with immersing in an organic solvent a metal-film-deposited semiconductor wafer substrate which has been obtained by applying resist onto a semiconductor substrate produced by metal-organic vapor-phase growth, subsequently patterning the same, and then depositing the metal film thereon by vacuum deposition.例文帳に追加

有機金属気相成長法(MOVPE法)により作製した半導体基板上へレジスト塗布、パターニング処理、真空蒸着法による金属薄膜の堆積形成を順次することにより金属薄膜堆積形成半導体基板とした後、その金属薄膜堆積形成半導体ウエハ基板を有機溶剤中へ浸漬処理してレジストの溶解処理と不要金属薄膜の除去処理とを同時に行うときに用いる新規な金属薄膜剥離用治具を提供すること。 - 特許庁

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