「a Che」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Moreover, a high speed communication network is already allowed to exist between the CHE and the STB so that even large amounts of preliminarily rastered print jobs can be transmitted to the STB in a proper length of time, that is, more quickly than a situation in which the rastering is executed by the STB.例文帳に追加

更に、CHEとSTBとの間には既に高速通信ネットワークが存在しているので、多量の事前ラスタ化プリントジョブでも妥当な長さの時間内に、即ち、ラスタ化をSTBで実行する状況と比べてより迅速にSTBへ送信できる。 - 特許庁

To provide a method for producing a functionally modified cholesterol esterase (ChE) without directly bonding a functional protein to the cholesterol esterase.例文帳に追加

機能性タンパク質をコレステロールエステラーゼに直接結合させずに、機能改変コレステロールエステラーゼを製造することができる方法を提供すること。 - 特許庁

To obtain a polymer blend composition, film, and metal laminated body excellent in a mechanical property, adhesion, low CTE (coefficient of thermal expansion), low CHE (coefficient of humidity expansion), or the like with sufficient productivity.例文帳に追加

力学的特性、接着性、低ＣＴＥ性、低ＣＨＥ性等に優れる、ポリマーブレンド組成物、フィルム、金属積層体を生産性良く得る。 - 特許庁

By using a chaperonin having specificity to the cholesterol esterase, the functionally modified ChE is produced by adding the functional protein to the cholesterol esterase.例文帳に追加

コレステロールエステラーゼに特異性を有するシャペロニンを用いて、機能性タンパク質をコレステロールエステラーゼに付加して機能改変ＣｈＥを製造する。 - 特許庁

As CHE second erase-operation can be performed only for a depleted memory cell, rise of threshold voltage of a memory cell being not depleted can be prevented.例文帳に追加

デプレション化メモリセルに対してのみ，ＣＨＥセカンドイレース動作を実施することができるので，デプレション化していないメモリセルのしきい値電圧の上昇を防ぐことができる - 特許庁

At first 'rekko' (列侯 in kanji) was called 'tekko' (徹侯 in kanji) but tekko contained a kanji of 徹, which appeared in the personal name of the Emperor Wu of Han (Han dynasty) (Che Liu, 劉徹 in kanji), so 'tsuko' (通侯) was used instead and changed into 'rekko' (列侯) later. 例文帳に追加

列侯は初め徹侯と言っていたが、漢武帝(漢)（劉徹）の諱である徹にふれる為に通侯に改められ、その後列侯に変わった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To provide a nonvolatile semiconductor memory device defective rewriting caused by an increase in a leak current in channel can be suppressed in a self-selective rewriting means by sub-threshold CHE.例文帳に追加

サブスレッショルドＣＨＥによる自己選択的な書戻し手法において、チャネル性リーク電流の増大による書戻し不良を抑制することができる不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

In a writing operation, electrons are separately injected into the first and second part of a charge storage film (ONO film) 30 of a selected memory transistor through a so-called CHE injection method (first and second charge injection step).例文帳に追加

書き込みにおいては、選択されたメモリトランジスタの電荷蓄積膜（ＯＮＯ膜）３０の第１局部と第２局部に独立に、いわゆるＣＨＥ注入により電子を注入する（第１および第２の電荷注入ステップ）。 - 特許庁

When sekkobun was excavated in the early Tang period, the poems thereon which described the scenes of hunting were closely similar to the poems in 'Che-gong' and 'ji-re' of the Shi Ching, which paid a tribute to the King Xuan (Zhou) in Zhou and, therefore, it was considered that sekkobun was made in the period of the King Xuan in Zhou. 例文帳に追加

唐初期に出土した際は、狩猟を描写した詩歌が周の宣王(周)を称える詩経の「車攻」や「吉日」の詩と酷似していることから、周の宣王時代の作と考えられた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

a leak current in channel flowing in a memory cell of an over erasing state of which the threshold voltage is low is suppressed in a self-adjustment way by connecting the resistor R1, in a memory cell being an object of batch rewriting, output voltage of a charge pump circuit supplying drain voltage of a high potential required for forming a high electric field region for generating sub-threshold CHE is secured.例文帳に追加

抵抗Ｒ１を接続することによって、しきい値電圧が低い過消去状態のメモリセルにおいて流れるチャネル性リーク電流が自己調整的に抑制され、一括した書戻し対象のメモリセルにおいて、サブスレッショルドＣＨＥを発生させるための高電界領域を形成するのに必要な高電位のドレイン電圧を供給するチャージポンプ回路の出力電圧が確保される。 - 特許庁