「active-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

The semiconductor light-emitting device includes an n-type clad layer 102 formed on a substrate 101, the active layer 105 which is formed on the n-type clad layer 102 and has a well layer and a barrier layer and a p-type clad layer 109 formed on the active layer 105.例文帳に追加

半導体発光装置は、基板１０１の上に形成されたｎ型クラッド層１０２と、ｎ型クラッド層１０２の上に形成され、井戸層及び障壁層を有する活性層１０５と、活性層１０５の上に形成されたｐ型クラッド層１０９とを備えている。 - 特許庁

A light emitting layer (or an active layer) 103 is formed on the surface of a clad layer 106 and a light emitting layer (or an active layer) 105 having a band gap energy lower than that of the light emitting layer 103 is formed on the surface of the light emitting layer 103 in the central part thereof.例文帳に追加

クラッド層１０６の表面上には、発光層（又は、活性層）１０３が形成されており、当該発光層１０３の中央部表面上には、発光層１０３のバンドギャップエネルギーより小さいバンドギャップエネルギーを有する発光層（又は、活性層）１０５が形成されている。 - 特許庁

To provide a group III nitride light emitting device including a substrate, a 1st conductivity type layer formed on the substrate, a spacer layer formed on the 1st conductivity type layer, an active region formed on the spacer layer, a cap layer formed on the active region, and a 2nd conductivity type layer formed on the cap layer.例文帳に追加

基板と、基板の上にある第１導電型層と、第１導電型層の上にあるスペーサ層と、スペーサ層の上にある活性領域と、活性領域の上にあるキャップ層と、キャップ層の上にある第２導電型層とを含むIII族窒化物発光デバイスが開示される。 - 特許庁

In the pulsation laser including an active layer 25, and a lower clad layer 24 and an upper clad layer 26 for sandwiching the active layer 25, at least the lower clad layer 24 is formed with an optical control layer 32 having a refractive index greater than that of the lower clad layer 24 and for controlling the distribution of light.例文帳に追加

活性層２５と、該活性層２５を挟む下側クラッド層２４及び上側クラッド層２６とを有するパルセーションレーザの、少なくとも下側クラッド層２４に該下側クラッド層２４より屈折率が大きく光の分布をコントロールする光コントロール層３２が設けられて成る。 - 特許庁

An n-type buffer layer, an n-type first clad layer, an active layer, a p-type first second clad layer, a p-type etch stop layer, a p-type second second clad layer, and a p-type contact layer are laminated on an n-type semiconductor substrate.例文帳に追加

ｎ型半導体基板上にｎ型バッファ層，ｎ型第１クラッド層，活性層，ｐ型の第１の第２クラッド層，ｐ型エッチストップ層，ｐ型の第２の第２クラッド層，ｐ型コンタクト層が積層されている。 - 特許庁

An n-type buffer layer, an n-type first clad layer, an active layer, a p-type first second-clad layer, a p-type etch stop layer, a p-type second second-clad layer, and a p-type contact layer, are laminated on an n-type semiconductor substrate.例文帳に追加

ｎ型半導体基板上にｎ型バッファ層，ｎ型第１クラッド層，活性層，ｐ型の第１の第２クラッド層，ｐ型エッチストップ層，ｐ型の第２の第２クラッド層，ｐ型コンタクト層が積層されている。 - 特許庁

An n-type first cladding layer 3, a first guide layer 4, a first enhancing layer 5, an active layer 6, a second enhancing layer 7, a second guide layer 8, and a p-type second cladding layer 9 are sequentially stacked on an n-type GaAs substrate 2.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｓ基板２上に、ｎ型の第１クラッド層３、第１ガイド層４、第１エンハンス層５、活性層６、第２エンハンス層７、第２ガイド層８、ｐ型の第２クラッド層９が順次積層されている。 - 特許庁

A buffer layer 11, a lower clad layer 12, a lower guide layer 13, an active layer 14, an upper guide layer 15, an upper clad layer 16, and a contact layer 17 are provided in this order on a surface of a substrate 10 made of InP.例文帳に追加

ＩｎＰからなる基板１０の一面側に、バッファ層１１、下部クラッド層１２、下部ガイド層１３、活性層１４、上部ガイド層１５、上部クラッド層１６およびコンタクト層１７をこの順に備える。 - 特許庁

A section from the second intermediate layer 22 to an upper section (the p-type contact layer 37) is brought to the N polarity, and the active layer 34 has the indium composition ratio, and the crystal quality higher than the active layer 34 is formed on the layer having the Ga polarity.例文帳に追加

第２中間層２２より上部（ｐ側コンタクト層３７まで）がＮ極性となり、活性層３４は、Ｇａ極性の層上に形成された場合に比べて、インジウム組成比が高く結晶品質の高いものとなる。 - 特許庁

Furthermore, the P-type nitride SEMICONDUCTOR layer 4, the active layer 3, and the N-type nitride semiconductor layer 2 are partially etched to make the N-type nitride semiconductor layer 2 exposed so as to form a strip resonator where light is emitted from the active layer 3.例文帳に追加

さらに、ｐ型窒化物半導体層４、活性層３、およびｎ型窒化物半導体層２の一部をエッチングしてｎ型窒化物半導体層２を露出させ、活性層３より発光する帯状のレーザ共振器を形成する。 - 特許庁

The semiconductor laser 1 is provided with a group III-V compound semiconductor layer 5, an active layer 7 provided on the group III-V compound semiconductor layer 5, and a group III-V compound semiconductor layer 9 provided on the active layer 7 and containing a phosphorous element.例文帳に追加

半導体レーザ１は、III−V族化合物半導体層５と、III−V族化合物半導体層５上に設けられた活性層７と、活性層７上に設けられリン元素を含むIII−V族化合物半導体層９とを備える。 - 特許庁

The nitride semiconductor light-emitting device includes: an n-type nitride semiconductor layer 3 provided over a semiconductor substrate 1; an active layer 5 arranged over the n-type nitride semiconductor layer; and a p-type nitride semiconductor layer 8 arranged over the active layer.例文帳に追加

半導体基板１上に設けられた、ｎ型窒化物半導体層３と、ｎ型窒化物半導体層の上部に配置された活性層５と、活性層の上部に配置されたｐ型窒化物半導体層８とを備える。 - 特許庁

In this method of manufacturing the nitride semiconductor laser, an n-type cladding layer 2, an n-type guide layer 3, an active layer 4 and an undoped guide layer 5 are formed on an n-type GaN substrate in an MOCVD method.例文帳に追加

ｎ型ＧａＮ基板の上に、ＭＯＣＶＤ法により、ｎ型クラッド層２、ｎ型ガイド層３、活性層４、アンドープガイド層５を形成する。 - 特許庁

A semiconductor laser element is constituted with an n-type contact layer 3, an n-type clad layer 4, an MQW active layer 5, and a p-type first clad layer 6a formed successively on a sapphire substrate 2.例文帳に追加

サファイア基板２上にｎ−コンタクト層３、ｎ−クラッド層４、ＭＱＷ活性層５およびｐ−第１クラッド層６ａが順に形成される。 - 特許庁

The laminated part comprises an MQW active layer 10, an Inp etch-stop layer 40, a bulk light-receiving layer 20, and a p-Inp 60 (corresponding to a clad layer 22).例文帳に追加

また、積層部は、ＭＱＷ活性層１０、ＩｎＰエッチストップ層４０、バルク受光層２０およびｐ−ＩｎＰ６０（クラッド層２２に対応）でなっている。 - 特許庁

An n-type clad layer 11, an active layer 12, a p-type clad layer 13, and a p-type contact layer 14, are formed in this order on a conductive substrate 10.例文帳に追加

導電性の基板１０上にｎ型クラッド層１１、活性層１２、ｐ型クラッド層１３およびｐ型コンタクト層１４がこの順に形成されている。 - 特許庁

On a sapphire substrate 10, an n-type GaN layer 12, an InGaN/GaN active layer 14, a p-type GaN layer 16, and a transparent electrode layer 18 are stacked to constitute a light-emitting diode.例文帳に追加

sapphire基板１０の上にｎ型GaN層１２、InGaN/GaN活性層１４、ｐ型GaN層１６、透明電極層１８を積層して発光ダイオードを構成する。 - 特許庁

A lower-part semiconductor multilayer film reflection layer 3, a lower-part clad layer 4, an active layer 5, and an upper-part clad layer 6 are laminated on an n-type substrate 2.例文帳に追加

ｎ型基板２上に、下部半導体多層膜反射層３、下部クラッド層４、活性層５、上部クラッド層６を積層した構造を有する。 - 特許庁

The surface-emitting laser element 10 includes a first reflecting layer 12, an n-type spacer layer 13, an active layer 14, and a p-type spacer layer 15 that have been laminated sequentially.例文帳に追加

面発光レーザ素子１０は、順次に積層された第１の反射層１２、ｎ型スペーサ層１３、活性層１４、およびｐ型スペーサ層１５を有する。 - 特許庁

On the active region 2a, an SiGe alloy layer 4 which works as a base layer, and an n-type diffusion layer 5 which works as an emitter layer are formed.例文帳に追加

活性領域２ａの上に、ベース層として機能するＳｉＧｅ合金層４およびエミッタ層として機能するｎ型拡散層５を設ける。 - 特許庁

The group-III nitride light-emitting device includes an n-type layer, a p-type layer, and an active region which can emit light between the p-type layer and the n-type layer.例文帳に追加

ｎ型層、ｐ型層、及び、ｐ型層とｎ型層との間で発光することができる活性領域を含むＩＩＩ族窒化物発光装置。 - 特許庁

In the semiconductor light-emitting element, a p-type semiconductor layer, an active layer, a current introducing layer and a dielectric-film clad layer are laminated on a substrate in the order.例文帳に追加

基板上に、ｐ型半導体層、活性層、電流導入層および誘電体膜クラッド層がこの順に積層されている半導体発光素子である。 - 特許庁

A layered substrate having three-layer structure with an insulating layer 2 formed between a support layer 1 and an active layer 3 is processed to form this dynamic quantity sensor.例文帳に追加

支持層１と活性層３の間に絶縁層２が形成されている３層構造を有する積層基板を加工して力学量センサを形成する。 - 特許庁

An n-contact layer 2, an n-clad layer 3, an MQW active layer 4 and a p-first clad layer 5 are sequentially formed on a saphire substrate 1.例文帳に追加

サファイア基板１上にｎ−コンタクト層２、ｎ−クラッド層３、ＭＱＷ活性層４およびｐ−第１クラッド層５が順に形成される。 - 特許庁

The light emitting device structure 11 consisting of a lower clad layer containing Al, an active layer, and an upper clad layer containing Al is formed on the underlying layer 21.例文帳に追加

下地層２１の上に、Ａｌを含む下部クラッド層と、活性層と、Ａｌを含む上部クラッド層からなる発光素子構造１１を形成する。 - 特許庁

The thermistor is provided with a first thick film electrode layer, an active layer, a barrier metal layer and a layer for promoting attachment to an electrical contact which is used by arbitrary selection.例文帳に追加

サーミスタは、第１の厚膜電極層と、活性金属層と、バリアメタル層と、任意選択で、電気接点に対する取り付けを助長する層とを備える。 - 特許庁

A light-emitting diode 40 comprises a substrate 41, a buffer layer 42, an n-type semiconductor layer 43, a conformational active layer 44 and a p-type semiconductor layer 45.例文帳に追加

発光ダイオード４０は、基板４１，バッファ層４２，ｎ型半導体層４３，コンフォーメーション活性層４４及びｐ型半導体層４５を有する。 - 特許庁

The free layer 130 has such a three-layered structure of FeCo/SL/NiFe that a surface-active layer 22 is sandwiched and constituted between a FeCo layer 21 and a NiFe layer 23.例文帳に追加

フリー層１３０は、ＦｅＣｏ層２１とＮｉＦｅ層２３の間に界面活性層２２を挟み込んで構成したＦｅＣｏ／ＳＬ／ＮｉＦｅという３層構造を有する。 - 特許庁

A stress inducing layer 104, which is formed so as to cover the active region except an upper part of the polysilicon layer, acts as a compressive stress layer or a tensile stress layer.例文帳に追加

応力誘起層１０４は、ポリシリコン層の上方を除いて活性領域を覆うように設けられ、圧縮応力層または引っ張り応力層である。 - 特許庁

The block layer BLK is formed on both sides of the second upper clad layer 109, and it includes a layer 111 with a larger band gap than the active layer 105.例文帳に追加

ブロック層ＢＬＫは、その第２上部クラッド層１０９の両側に形成され、活性層１０５よりもバンドギャップの大きい層１１１を含む。 - 特許庁

The group III nitride light emitting device includes an n type layer, the p type layer and the active region in which lights can be emitted between the p type layer and the n type layer.例文帳に追加

ｎ型層、ｐ型層、及び、ｐ型層とｎ型層との間で発光することができる活性領域を含むＩＩＩ族窒化物発光装置。 - 特許庁

A semiconductor layer for a light-emitting element layered with an n-type semiconductor layer 2, an active layer and a p-type semiconductor layer 3 is formed on a substrate 1.例文帳に追加

基板１上に発光素子用のｎ型半導体層２、活性層及びｐ型半導体層３を積層した半導体層を形成してある。 - 特許庁

In the semiconductor laser device, an active layer is formed on a p-side clad layer side and an n-side guide layer has an index of refraction higher than the p-side guide layer.例文帳に追加

半導体レーザ装置において、活性層をp側クラッド層側に設けると共にn側ガイド層の屈折率をp側ガイド層の屈折率よりも高くする。 - 特許庁

The second conductive clad layer 50 is formed to extend over the active layer 30 and the current block 40, and the contact layer 60 is formed on the second conductive clad layer 50.例文帳に追加

第2導電型クラッド層は活性層及び電流ブロック部上に形成され、コンタクト層は第2導電型クラッド層上に形成されている。 - 特許庁

The reflective layer consists of a first reflective layer 3 and a second reflective layer 4 exhibiting different reflectivity characteristics for the light from the active layer 6.例文帳に追加

反射層は、活性層６からの光に対して互いに異なる反射率特性を有する第１の反射層３及び第２の反射層４よりなる。 - 特許庁

A nitride light-emitting element comprises: an active layer constituted of a group III nitride semiconductor, a functional layer provided higher than the active layer and including a current constriction or light distribution control function, and an absorption layer provided higher than the functional layer for absorbing light generated in the active layer.例文帳に追加

本発明による窒化物系発光素子は、III族窒化物半導体からなる活性層と、上記活性層よりも上層に設けられ、電流狭窄もしくは光分布制御の機能を有する機能層と、上記機能層よりも上層に設けられ、上記活性層で発生する光を吸収する吸収層と、を備えている。 - 特許庁

In the semiconductor light emitting device 10 having the active layer A1 including the quantum well layer having the high compressive strain amount of not less than 1%, a strain buffer layer B1 comprising a layer having a compressive strain amount not greater than the strain amount of the active layer A1 is adjacently formed on the active layer A1.例文帳に追加

圧縮歪量が１％以上の高圧縮歪量子井戸層を含む活性層Ａ１を有する半導体発光素子１０において、活性層Ａ１の歪量以下の圧縮歪量を有する層から構成される圧縮歪緩衝層Ｂ１を、活性層Ａ１上に隣接するように形成する。 - 特許庁

The light transmitting layer 3 has an Al alloy ratio higher than that of the p-type AlGaAs active layer 4.例文帳に追加

透過層３は，Ａｌ混晶比が，p型ＡｌＧａＡｓ活性層４よりも高い組成を有している。 - 特許庁

A region MISFET among the active layer where the first layer is not allocated is also formed.例文帳に追加

活性領域のうち第１の層の配置されていない領域ＭＩＳＦＥＴが形成されている。 - 特許庁

The second clad layer 21 is provided on the second active layer 19 and consists of a second conductivity type semiconductor.例文帳に追加

第２のクラッド層２１は、第２の活性層１９上に設けられ、第２導電型半導体からなる。 - 特許庁

Certain probes include an acoustic stack including an active layer, a protection face plate or lens, and a matching layer.例文帳に追加

特定のプローブは、能動層、保護面プレートまたはレンズ、および整合層を含む音響スタックを含む。 - 特許庁

Width x2 [μm] of the contact layer 108 is set so as to be width x1 [μm] of the active layer 103 or more.例文帳に追加

コンタクト層１０８の開口の幅ｘ_2 ［μｍ］は活性層１０３の幅ｘ_1 ［μｍ］以上である。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of fixing potential voltages of the entire region of a semiconductor layer (active layer) and stabilizing the potential voltage.例文帳に追加

半導体装置において、半導体層（活性層）全域の電位を固定し、電位を安定させる。 - 特許庁

An active layer(15) is located between the base layer(13) and the contact side(23) of the single semiconductor element.例文帳に追加

活性層（１５）が基材層（１３）と、単一半導体要素の接触側（２３）との間に配置される。 - 特許庁

In this manufacturing method for the semiconductor device, a semiconductor layer including an active layer is formed on a base material substrate.例文帳に追加

半導体素子の製造方法は、母材基板上に、能動層を含む半導体層を形成する。 - 特許庁