「active-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

The negative electrode includes an active material layer having particles 12a of active material and a conductivity-imparting component 13.例文帳に追加

負極は活物質の粒子１２ａ及び導電性付与成分１３を含む活物質層を備える。 - 特許庁

The active material contained in the active material layer 3 is preferably formed of material having low electronic conductivity.例文帳に追加

活物質層３に含まれる活物質は電子伝導性の低い材料からなることが好ましい。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR INVOLVING CRYSTALLINE SILICON ACTIVE LAYER例文帳に追加

結晶質シリコン活性層を含む薄膜トランジスタの製造方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING ACTIVE MATRIX SUBSTRATE WITH RESIN LAYER AND LIQUID CRYSTAL ELEMENT例文帳に追加

樹脂層付アクティブマトリクス基板の製造方法及び液晶素子 - 特許庁

By this setup, an epitaxial layer is formed only in the active region 5.例文帳に追加

これにより、アクティブ領域５にのみエピタキシャル層が形成される。 - 特許庁

The active material layer 200 is formed on the collector 300.例文帳に追加

この活物質層２００は、集電体３００上に形成される。 - 特許庁

The active region includes at least one additional p-type layer.例文帳に追加

活性領域は、少なくとも１つの付加的なｐ型層を含む。 - 特許庁

ACTIVE CARBON FOR ELECTRIC DOUBLE LAYER CAPACITOR ELECTRODE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

電気二重層キャパシタ電極用活性炭およびその製造法 - 特許庁

The surface protection layer is removed from the active matrix substrate (step P5).例文帳に追加

アクティブマトリクス基板から表面保護層を除去する（工程Ｐ５）。 - 特許庁

The liquid crystal layer is disposed between the color filter and the active device substrate.例文帳に追加

液晶層は、カラーフィルタとアクティブデバイス基板との間に配される。 - 特許庁

Consequently, variation in the thickness of the active layer 12 can be suppressed.例文帳に追加

その結果、活性層１２の厚さのバラツキを抑えることができる。 - 特許庁

First, an active layer 3 is formed on an n-type InP substrate 1.例文帳に追加

まず、ｎ型ＩｎＰ基板１上に、活性層３を形成する。 - 特許庁

An electrode is formed for injecting a current into the active layer.例文帳に追加

活性層に電流を注入する電極が形成されている。 - 特許庁

CONTROLLED OXYGEN-DOPED THIN MULTI-WELL ACTIVE LAYER LED例文帳に追加

制御された酸素ドーピングを施した薄型多井戸活性層ＬＥＤ - 特許庁

ELECTRODE MATERIAL FIBER-LIKE ACTIVE CARBON OF ELECTRIC DOUBLE-LAYER CAPACITOR例文帳に追加

電気二重層キャパシタの電極材料用繊維状活性炭 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING ACTIVE MATRIX SUBSTRATE WITH RESIN LAYER, AND LIQUID CRYSTAL ELEMENT例文帳に追加

樹脂層付アクティブマトリクス基板の製造方法及び液晶素子 - 特許庁

(1) A step is performed for producing a laminate 10 provided with an active layer 40.例文帳に追加

（１）活性層４０を備えた積層体１０を作製する。 - 特許庁

The active region includes at least one additonal p type layer.例文帳に追加

活性領域は、少なくとも１つの付加的なｐ型層を含む。 - 特許庁

An anti-voltage V of the active layer is measured (anti-voltage measuring step).例文帳に追加

活性層の抗電圧Ｖを測定する（抗電圧測定工程）。 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR EVALUATING ACTIVE LAYER OF LIGHT EMITTING DIODE例文帳に追加

発光ダイオードの活性層の評価方法およびその評価装置 - 特許庁

To provide a semiconductor optical amplifier having 0.3 μm or above in a thickness of an active layer, wherein non-uniformity of a gain in the active layer is restrained.例文帳に追加

活性層の厚さが０．３μｍ以上の半導体光増幅器において、活性層内の利得の不均一性を抑える。 - 特許庁

It is preferable that an area of the p-n junction is not more than 300 μm^2 per 1 μm^3 of the active layer, and an active layer in a photoelectric conversion element contains fullerene derivatives and polymer compounds.例文帳に追加

また、光電変換素子中の活性層がフラーレン誘導体と高分子化合物とを含むことが好ましい。 - 特許庁

The exterior negative electrode active material layer 22B and the interior negative electrode active material layer 22c contain Si, Sn or these alloy.例文帳に追加

外面負極活物質層２２Ｂおよび内面負極活物質層２２Ｃは、Ｓｉ，Ｓｎあるいはこれらの合金を含んでいる。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR ACTIVE LAYER, METHOD OF MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR USING THE SAME AND THIN FILM TRANSISTOR HAVING SEMICONDUCTOR ACTIVE LAYER例文帳に追加

半導体活性層製造方法、それを利用した薄膜トランジスターの製造方法及び半導体活性層を具備する薄膜トランジスター - 特許庁

The semiconductor layer 20 is composed by laminating a buffer layer 21, a GaN layer 22, an n-type contact layer 23, an n-type cladding layer 24, an active layer 25, a p-type cladding layer 26, and a p-type contact layer 27 in this order.例文帳に追加

半導体層２０は、バッファ層２１、ＧａＮ層２２、ｎ型コンタクト層２３、ｎ型クラッド層２４、活性層２５、ｐ型クラッド層２６およびｐ型コンタクト層２７をこの順に積層して構成される。 - 特許庁

In a method of manufacturing a ridge semiconductor laser, a lower clad layer 2, an active layer 3, a first upper clad layer 4, a dry etching stop layer 13, an etching stop layer 5, a second upper clad layer 6, a contact layer 7 and a striped mask layer 8 are formed in order on a substrate 1.例文帳に追加

基板１上に、下クラッド層２、活性層３、第１上クラッド層４、ドライエッチングストップ層１３、エッチングストップ層５、第２上クラッド層６、コンタクト層７、およびストライプ状のマスク層８を順次形成する。 - 特許庁

The positive electrode member 10 is a sintered body in which the first active material layer 2A, the second active material layer 2B and the positive electrode current collecting layer 1 are integrated, and is high in adhesion between the active material layers 2A and 2B and the current collecting layer 1.例文帳に追加

この正極部材１０は、これら第１活物質層２Ａと第２活物質層２Ｂと正極集電層１とが一体化された焼結体であり、活物質層２Ａ，２Ｂと集電層１との密着性が高い。 - 特許庁

The positive electrode 21 has a double-side active material region 21D having an outer positive active material layer 21B and an inner positive active material layer 21C on a positive collector 21A, and a thickness of the inner-face positive active material layer 21C is smaller than a thickness of the outer-face anode active material layer 21B.例文帳に追加

正極２１は、正極集電体２１Ａに外面正極活物質層２１Ｂと内面正極活物質層２１Ｃとが設けられた両面活物質領域２１Ｄを有し、内面正極活物質層２１Ｃの厚みは外面正極活物質層２１Ｂの厚みよりも薄くなっている。 - 特許庁

The method of manufacturing the negative electrode plate for the lithium ion secondary battery includes: an active material layer formation step of forming a negative active material layer containing negative active material particles and a metallic oxide as a binding material, on a current collector; and a reduction step of performing reduction treatment of the metallic oxide contained in the active material layer formed in the active material layer formation step.例文帳に追加

集電体上に、負極活物質粒子と、結着物質としての金属酸化物とを含む負極活物質層を形成する活物質層形成工程と、前記活物質層形成工程で形成された前記活物質層に含まれる金属酸化物を還元処理する還元工程とを有する。 - 特許庁

To provide a means capable of preventing the problems, such as cracks in an active material layer or peeling off of an active material layer at sintering, or remaining of gas in the active material layer, in an anode for a nonaqueous electrolyte secondary battery, having an active material layer made of a sintered body that includes an anode active material made of a carbon material.例文帳に追加

炭素材料からなる負極活物質を含む焼結体からなる活物質層を有する非水電解質二次電池用負極において、焼結時の活物質層におけるひび割れや活物質層の剥離、さらには活物質層へのガスの残留といった問題の発生を防止しうる手段を提供する。 - 特許庁

The p-type conductive layer is formed on the active layer, and the transparent conductive layer is formed on the p-type conductive layer, and the non-p-type ohmic contact layer is disposed between the p-type conductive layer and the transparent conductive layer.例文帳に追加

ｐ型導電層は活性層上に形成し、透明導電層はｐ型導電層上に形成し、非ｐ型オーミック接触層はｐ型導電層と透明導電層の間に位置する。 - 特許庁

The light emitting diode elements are formed with a high heat conductive substrate, a non-conductor type protective layer, a metal bonding layer, a mirror plane protective layer, an ohmic contact epitaxy layer, an upper coating layer, an active layer, and a lower coating layer.例文帳に追加

発光ダイオード素子は、高導熱基板と、非導体型保護層と、金属接着層と、鏡面保護層と、オーミックコンタクトエピタキシ層と上被覆層と活性層と下被覆層とを形成してなる。 - 特許庁

In a method of manufacturing a ridge semiconductor laser, a lower clad layer 2, an active layer 3, a first upper clad layer 4, an etching stop layer 5, a second upper clad layer 6, a contact layer 7 and a striped mask layer 8 are formed in order on a substrate 1.例文帳に追加

基板１上に、下クラッド層２、活性層３、第１上クラッド層４、エッチングストップ層５、第２上クラッド層６、コンタクト層７、およびストライプ状のマスク層８を順次形成する。 - 特許庁

The nitride semiconductor laser element 100 (semiconductor light-emitting element) includes: an active layer 14 containing In; a p-type cladding layer 18 formed on the active layer 14; and an undoped AlGaN layer 16 and a p-type AlGaN layer 17 formed between the active layer 14 and the p-type cladding layer 18.例文帳に追加

この窒化物半導体レーザ素子１００（半導体発光素子）は、Ｉｎを含む活性層１４と、活性層１４上に形成されたｐ型クラッド層１８と、活性層１４とｐ型クラッド層１８との間にそれぞれ形成された、アンドープＡｌＧａＮ層１６およびｐ型ＡｌＧａＮ層１７とを備えている。 - 特許庁

The white color light is realized by properly adjusting the lights from the active layer 4 and the passive layer 2.例文帳に追加

活性層４とパッシブ層２からの光の適切な調節により白色光を具現しうる。 - 特許庁

Further, the distance between the p^+-type semiconductor layer 21 and an active layer 15 is set to be 0.15 μm or larger.例文帳に追加

そして、ｐ^+型半導体層２１と活性層１５との間隔を０.１５μm以上にしている。 - 特許庁

An edge-emitting semiconductor laser is provided with a periodic structure layer 13 between an active layer 16 and an n-side electrode 32.例文帳に追加

活性層１６とｎ側電極３２との間に周期構造層１３を設ける。 - 特許庁

A level difference 38 is formed at the surface on the side of the semiconductor active layer 42 in an insulating layer 36.例文帳に追加

絶縁層３６の半導体活性層４２側の表面に段差３８が形成されている。 - 特許庁

A thickness of the low oxygen-content layer is 25% or less of a thickness of the negative electrode active material layer.例文帳に追加

低酸素含有量層の厚みは、負極活物質層の厚みの２５％以下である。 - 特許庁

The distance from the interface between the retaining substrate and the buffer layer to the active layer is at least 2 μm.例文帳に追加

支持基板とバッファ層との界面から活性層までの距離が２μｍ以上である。 - 特許庁

The active layer 17 includes at least one semiconductor epitaxial layer 19 composed of InGaN.例文帳に追加

活性層１７は、ＩｎＧａＮからなる少なくとも一つの半導体エピタキシャル層１９を含む。 - 特許庁

The iron-doped InP layer 11 has high resistance so that current is confined to the active layer 7.例文帳に追加

鉄ドープＩｎＰ層１１は、活性層７に電流を閉じ込めるように高抵抗を有する。 - 特許庁

The active layer 14 is provided such that at least a part thereof contacts the metal layer 24.例文帳に追加

能動素子１４は、その少なくとも一部が金属層２４に接するように設けられている。 - 特許庁

In the groove 14, an active layer 15 (a second semiconductor layer) including an Al element is formed.例文帳に追加

溝１４内に、Ａｌ元素を含有する活性層１５（第２の半導体層）を形成する。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRODE ACTIVE MATERIAL FOR ELECTRIC DOUBLE LAYER CAPACITOR AND THE ELECTRIC DOUBLE LAYER CAPACITOR例文帳に追加

電気二重層キャパシタ用電極活物質の製造方法および電気二重層キャパシタ - 特許庁