「active-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

A through hole 32 passing through in the stacking direction of the positive active material layer 26 and the negative active material layer 28 is installed in the positive active material 26, the negative active material 28, and the electrolyte layer 27.例文帳に追加

正極活物質層２６、負極活物質層２８および電解質層２７には、正極活物質層２６および負極活物質層２８の積層方向に貫通する貫通孔３２が形成されている。 - 特許庁

Next, the dummy layer is removed by gas phase etching by a growing apparatus (step S7), the shape of the grating structure is transferred to the active layer to form a grating at the active layer (step S8), and a separation layer is formed on the grating without exposing the active layer to the atmosphere (step S9).例文帳に追加

これにより、回折格子構造形成時のエッチングがダミー層に対して行われ、さらに、活性層への回折格子の形成が気相エッチングによるため、いずれの工程においても活性層へのダメージが防止される。 - 特許庁

A negative electrode active material layer 22B has an amorphous negative electrode active material layer which is formed on a negative electrode current collector 22A and contains an amorphous negative electrode active material and a crystalline negative electrode active material layer which is formed on the amorphous negative electrode active material layer and contains a crystalline negative electrode active material.例文帳に追加

負極活物質層２２Ｂは、負極集電体２２Ａ上に形成されると共に非結晶性の負極活物質を含む非結晶性負極活物質層と、非結晶性負極活物質層上に形成されると共に結晶性の負極活物質を含む結晶性負極活物質層とを有している。 - 特許庁

The diffusion of Ga in the active layer 15 is suppressed in the ZnO substrate to obtain a steep interface between the ZnO substrate and active layer, thus enabling the system to get excellent crystal in the active layer composed of InGaN.例文帳に追加

ZnO基板中に活性層１５のGaが拡散するのが抑制され、ZnO基板と活性層の間の急峻な界面が得られ、InGaNからなる活性層の良好な結晶が得られる。 - 特許庁

A nonaqueous electrolyte battery 100 comprises a cathode active material layer 12, an anode active material layer 22, and a sulfide solid electrolyte layer 40 interposed between both the active material layers 12 and 22.例文帳に追加

この非水電解質電池100は、正極活物質層12、負極活物質層22、及びこれら両活物質層12,22の間に介在される硫化物固体電解質層40を備える。 - 特許庁

The positive electrode 21 has a double-side active material region 21D having an outer positive active material layer 21B and an inner positive active material layer 21C on a positive collector 21A, and the inner positive active material layer 21C is thinner than the outer positive active material layer 21B.例文帳に追加

正極２１は、正極集電体２１Ａに外面正極活物質層２１Ｂと内面正極活物質層２１Ｃとが設けられた両面活物質領域２１Ｄを有し、内面正極活物質層２１Ｃの厚みは外面正極活物質層２１Ｂの厚みよりも薄くなっている。 - 特許庁

A purification tower comprises an active carbon decontamination agent layer composed of a combination of three active carbons: an oxin carrying active carbon layer formed by an active carbon carrying oxin (8-Hydroxyquinoline); an AMP carrying active carbon layer formed by an active carbon carrying ammonium phosphomolybdate; and a Br_3 carrying active carbon layer formed by an active carbon carrying Br_3.例文帳に追加

浄化塔に、オキシン（8-Hydroxyquinoline）を担持させた活性炭で形成したオキシン担持活性炭層と、リンモリブデン酸アンモニウムを担持させた活性炭で形成したＡＭＰ担持活性炭層と、Ｂｒ_３を担持させた活性炭で形成したＡＭＰ担持活性炭層と、Ｂｒ_３を担持させた活性炭で形成したＢｒ_３担持活性炭層との３種類の組み合わせで構成した活性炭除染剤層を設けた。 - 特許庁

Further, the element constitutes a mesa structure 20 by using the active layer 4, the cavity spacer layer 5, the reflecting layer 6, the selectively oxidized layer 7, and the contact layer 8.例文帳に追加

そして、活性層４、共振器スペーサー層５、反射層６、選択酸化層７およびコンタクト層８は、メサ構造体２０を構成する。 - 特許庁

To provide an electrode assembly wherein areas of a positive electrode active material layer and a negative electrode active material layer are the same or the area of the positive electrode active material layer is greater than the area of the negative electrode active material layer, within a tolerance, and a secondary battery including the electrode assembly.例文帳に追加

本発明によると、正極活物質層と負極活物質層の面積が同一であるか公差範囲内で前記正極活物質層の面積がより大きい電極組立体及びこれを含む二次電池を提供する。 - 特許庁

The anode 34 of the lithium ion battery has the anode active material layer 344 having carbon particles (active material particles) 42 as a principal component, an anode collector 342 for retaining the active material layer, and an insulating layer 346 arranged on the active material layer.例文帳に追加

リチウムイオン電池の負極３４は、カーボン粒子（活物質粒子）４２を主成分とする負極活物質層３４４と、該活物質層を保持する負極集電体３４２と、該活物質層上に設けられた絶縁層３４６とを備える。 - 特許庁

An n-AlGaN clad layer 12 (a lower clad layer), a quantum-well active layer 14 (an active layer) and a p-AlGaN clad layer 16 (an upper clad layer) are laminated successively on an n-GaN substrate 11 (a semiconductor substrate).例文帳に追加

ｎ−ＧａＮ基板１１（半導体基板）上に、ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層１２（下部クラッド層）、量子井戸活性層１４（活性層）およびｐ−ＡｌＧａＮクラッド層１６（上部クラッド層）が順次積層されている。 - 特許庁

The first AlGaN layer 25 is provided between the second AlGaN layer 27 and the active layer 19, and the first AlGaN layer 25 is closest to the active layer 19 in the first conductive type clad layer 13.例文帳に追加

第１のＡｌＧａＮ層２５は第２のＡｌＧａＮ層２７と活性層１９との間に設けられ、第１のＡｌＧａＮ層２５は第１導電型クラッド層１３において活性層１９に最も近い。 - 特許庁

Ridge structure 18 is formed, on which a p type InP clad layer 12 (p type clad layer), an AlGaInAs distortion quantum well active layer 14 (active layer) and an n type InP clad layer 16 (n type clad layer) are laminated.例文帳に追加

ｐ型ＩｎＰクラッド層１２（ｐ型クラッド層）、ＡｌＧａＩｎＡｓ歪量子井戸活性層１４（活性層）及びｎ型ＩｎＰクラッド層１６（ｎ型クラッド層）が積層されたリッジ構造１８が形成されている。 - 特許庁

The current constriction layer 18 is formed closer to an active layer 13 than to the lateral mode adjusting layer 19, and the lateral mode adjusting layer 19 is formed farther away from the active layer 13 than the current constriction layer 18.例文帳に追加

電流狭窄層１８は、横モード調整層１９よりも活性層１３寄りに形成され、横モード調整層１９は、電流狭窄層１８よりも活性層１３から離れて形成されている。 - 特許庁

The n-cladding layer 3 is formed on a semiconductor substrate 2, the active layer 4 is formed on the n-cladding layer 3, the p-cladding layer 5 is formed on the active layer 4, and the mesa structures 7 to 9 are formed on a portion of the p-cladding layer 5.例文帳に追加

ｎ−クラッド層３は半導体基板２上に、活性層４はｎ−クラッド層３上に、ｐ−クラッド層５は活性層４上に、メサ構造７−９はｐ−クラッド層５の一部上に形成される。 - 特許庁

The negative electrode active material layer 2 includes lithium fluosilicate (Li_xSiF_y) as a negative electrode active material.例文帳に追加

負極活物質層２は、負極活物質としてケイフッ化リチウム（Ｌｉ_x ＳｉＦy ）を含んでいる。 - 特許庁

The negative electrode active material layer contains as the negative electrode active material silicon (Si), carbon (c), and oxygen (O).例文帳に追加

負極活物質層は、負極活物質としてケイ素（Ｓｉ），炭素（Ｃ）および酸素（Ｏ）を含む。 - 特許庁

The active material layer 200 includes active material particles 210 and a porous polyimide resin 220.例文帳に追加

活物質層２００は、活物質粒子２１０と、多孔質性のポリイミド樹脂２２０とを有する。 - 特許庁

An n-SLS layer 20, an active layer 22, a p-block layer 24, and a p-SLS layer 26 are sequentially laminated on a substrate 10.例文帳に追加

基板１０上に順次ｎ−ＳＬＳ層２０、活性層２２、ｐ−ブロック層２４、ｐ−ＳＬＳ層２６を積層する。 - 特許庁

A first semiconductor layer 2, an active layer 4, a second semiconductor layer 6 and a contact layer 7 are sequentially laminated on a substrate 1.例文帳に追加

基板１上に第一半導体層２、活性層４、第二半導体層６及びコンタクト層７が順次積層されている。 - 特許庁

A light emitting diode structure is formed on the GaN layer 12 by growing a GaN based semiconductor layer including an active layer on the GaN layer 12.例文帳に追加

このＧａＮ層１２上に、活性層を含むＧａＮ系半導体層を成長させて発光ダイオード構造を形成する。 - 特許庁

A p-type base layer is selectively formed on an n-type active layer, and an n-type source layer is positioned on the p-type base layer.例文帳に追加

ｎ型活性層上に選択的にｐ型ベース層が形成され、そのｐ型ベース層上にｎ型ソース層が位置する。 - 特許庁

The n-type semiconductor layer 12, the active layer and the p-type semiconductor layer 13 form a semiconductor layer for the protection element.例文帳に追加

ｎ型半導体層１２、活性層及びｐ型半導体層１３により保護素子用の半導体層が形成される。 - 特許庁

An n-type InP cladding layer 16 (a third semiconductor layer) is formed on the p-type InP cladding layer 12 and the active layer 15.例文帳に追加

ｐ型ＩｎＰクラッド層１２および活性層１５上にｎ型ＩｎＰクラッド層１６（第３の半導体層）を形成する。 - 特許庁

A first active layer containing first conductivity type impurities is formed on a semiconductor substrate, a first electrode is provided on the first active layer, a second active layer containing second conductivity type impurities is formed on a partial region of the first active layer, a third active layer containing first conductivity type impurities is formed on the second active layer, and a second electrode is formed on the third active layer.例文帳に追加

半導体基板上に、第１の導電型不純物を含有する第１の能動層を形成し、この第１の能動層に第１の電極を設ける一方、前記第１の能動層の一部領域上に、第２の導電型不純物を含有する第２の能動層を形成するとともに、この第２の能動層上に第１の導電型不純物を含有する第３の能動層を形成し、この第３の能動層に第２の電極を形成する。 - 特許庁

A barrier layer B21, a quantum well layer W21, a barrier layer B22, a quantum well layer W22, a barrier layer B23, a quantum well layer W23, and a barrier layer B24 of the active layer 71 are provided in order.例文帳に追加

活性層７１の障壁層Ｂ２１、量子井戸層Ｗ２１、障壁層Ｂ２２、量子井戸層Ｗ２２、障壁層Ｂ２３、量子井戸層Ｗ２３、障壁層Ｂ２４が、順に設けられている。 - 特許庁

The active carbon-containing coating material coating layer 2 is covered with a gas permeable hiding coating material coating layer 4 to conceal the active carbon-containing coating material coating layer 2.例文帳に追加

活性炭含有塗材塗布層２をガス透過性の隠蔽性塗材塗布層４で覆って活性炭含有塗材塗布層２が見えないようにする。 - 特許庁

After that, the coating layer and the active material layer on the coating layer are peeled off, and the roll press is applied to the active material pattern remaining on the collector.例文帳に追加

しかるのち前記被覆層と被覆層上の活物質層を剥離し、集電体上に残った活物質パターンに対してロールプレスをかける。 - 特許庁

The AlGaAs-based MQW active layer 5 is different from the AlGaInP based MQW active layer 12 in layer thickness, material, and carrier density.例文帳に追加

ＡｌＧａＡｓ系ＭＱＷ活性層５とＡｌＧａＩｎＰ系ＭＱＷ活性層１２とは、層厚、材料およびキャリア濃度が互いに異なっている。 - 特許庁

Before all the layers 21-23, constituting the first active material layer, are formed, at least one layer constituting the second active material layer is formed.例文帳に追加

そして、第１活物質層を構成する全ての層２１〜２３を形成する前に、第２活物質層を構成する少なくとも１つの層を形成する。 - 特許庁

A positive electrode active material layer 1b, a solid electrolyte layer 3, and a negative electrode active material layer 2b are sequentially laminated on the positive electrode collector 1a.例文帳に追加

正極集電体１ａの上に、正極活物質層１ｂ，固体電解質層３，および負極活物質層２ｂが順次積層されている。 - 特許庁

Further, a leak current generated at an interface between the active layer and the conductive layer can be prevented from generation, and deterioration of the active layer can be avoided.例文帳に追加

また、活性層と導電型層との界面において発生するリーク電流を防止することができ、活性層の劣化するのを回避することができる。 - 特許庁

A layer 12a is grown epitaxially on the surface of an active layer 12 such that the active layer 12 has a total thickness of 1.4-30 μm.例文帳に追加

活性層１２の表面に、活性層１２の総厚が１．４〜３０μｍとなるような厚さで、エピタキシャル増厚層１２ａをエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

The semiconductor laser 10 includes a cavity constituted with a layer including active layer, and a first and a second electrodes for injecting the carrier into the active layer.例文帳に追加

半導体レーザ１０は、活性層を含む層で構成されたキャビティーと、活性層にキャリアを注入するための第１および第２の電極とを備える。 - 特許庁

A plurality of portions, in the upper surface of the upper cladding layer which portions are arranged along the optical axis of the active layer, are exposed to inductively coupled plasma, and gain of the active layer is periodically modulated along the optical axis of the active layer.例文帳に追加

上部クラッド層の上面のうち活性層の光軸に沿って配置された複数の部分を誘導結合プラズマに曝露して、活性層の利得を活性層の光軸に沿って周期的に変調する。 - 特許庁

On the formation surface of active layer, an InP embedded layer 34 is continuously provided from the side edge of the active layer in the central region to the ridge side surface, as a semiconductor laser whose band gap energy is larger than that of the active layer.例文帳に追加

活性層の形成面では、活性層よりもバンドギャップ・エネルギーの大きい半導体層として、ＩｎＰ埋め込み層３４が、中央領域の活性層の側縁からリッジ側面まで連続して設けられている。 - 特許庁

A nonaqueous electrolyte battery 100 comprises a positive electrode active material layer 12, a negative electrode active material layer 22, and a solid sulfide electrolyte layer (SE layer 40) intervening between the active material layers 12 and 22.例文帳に追加

正極活物質層１２、負極活物質層２２、及びこれら両活物質層１２，２２の間に介在される硫化物固体電解質層（ＳＥ層４０）を備える非水電解質電池１００である。 - 特許庁

The element 10 is produced by laminating successively on the substrate 1 the reflecting layer 2, the cavity spacer layer 3, the active layer 4, the cavity spacer layer 5, the reflecting layer 6, the selectively oxidized layer 7, and the contact layer 8.例文帳に追加

反射層２、共振器スペーサー層３と、活性層４、共振器スペーサー層５、反射層６、選択酸化層７およびコンタクト層８は、順次、基板１上に積層される。 - 特許庁

On a semiconductor substrate 1, a marker layer 2, a first cladding layer 3, an etch stop layer 4, a second cladding layer 5, an active layer 6, a third cladding layer 7, and a cap layer 8 are successively grown.例文帳に追加

半導体基板１上にマーカー層２，第一クラッド層３，エッチストップ層４，第二クラッド層５，活性層６，第三クラッド層７及びキャップ層８を順次成長させる。 - 特許庁

The electrode is comprised of an active material layer containing an iron-containing active material and a binder and a current collecting layer, the surface roughness of the active material layer measured by conforming to JIS B0601 is 1.60 μm or less, and peeling strength between the active material layer and the current collecting layer is 0.1 N/cm or more.例文帳に追加

鉄含有活物質及びバインダーを含んでなる活物質層と集電体層からなり、活物質層のＪＩＳ Ｂ０６０１に準じて測定される表面粗さが１．６０μｍ以下であり、かつ活物質層と集電体層とのピール強度が０．１Ｎ／ｃｍ以上である電極。 - 特許庁

The active layer is, for example, a multi-quantum well including an InGaN layer as a quantum well.例文帳に追加

活性層は、例えばＩｎＧａＮ層を量子井戸とする多重量子井戸とする。 - 特許庁

An upper clad layer 14 comprising a ridge part 14a is disposed on an active layer 12.例文帳に追加

活性層１２の上に、リッジ部１４ａを含む上部クラッド層１４が設けられている。 - 特許庁

The well layer 25 of the active layer 21 is formed of a plurality of InGaN thin layers 24a and 26a.例文帳に追加

活性層２１の井戸層２５は複数のＩｎＧａＮ薄層２４ａ、２６ａからなる。 - 特許庁

The covering layer may have a recessed region for forming the active absorption layer.例文帳に追加

被覆層は、活性吸収層を形成すべき凹所領域を有することが可能である。 - 特許庁

A wiring board comprises a substrate 11, and an oxide layer 15 and a conductor layer 12 made of an active metal.例文帳に追加

基板１１、活性金属の酸化物層１５および導体層１２を有している。 - 特許庁