| 意味 | 例文 |
active-layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 7476件
The active area 10 has an active layer 11 constituting a laser resonator, and a complex connection diffraction grating 7 adjacent to the active layer 11.例文帳に追加
活性領域10は、レーザ共振器を構成する活性層11と、活性層11に近接した複素結合回折格子7とを有している。 - 特許庁
The electrode for a lead storage battery composed of a lead active material layer 3a and a carbon active material layer 3b and a collector 4 has an adhesive layer 5 existing between the lead active material layer and the carbon active material layer.例文帳に追加
鉛活物質層3aと炭素活物質層3b、及び集電体4からなる鉛蓄電池用電極であって、前記鉛活物質層と前記炭素活物質層の間に接着剤層5が存在することを特徴とする鉛蓄電池用電極である。 - 特許庁
To allow practical use of a semiconductor device which uses zinc oxide for its active layer and has a protective layer isolating the active layer from the atmosphere.例文帳に追加
酸化亜鉛を活性層に用い、かつ活性層を雰囲気と隔絶する保護層の付与された半導体装置の実使用を可能にする。 - 特許庁
A gold-plated layer, having a thickness of 5 μm or more, is formed on one of two electrodes sandwiching an active layer of a semiconductor laser element 26 which is closer to the active layer.例文帳に追加
半導体レーザ素子26の活性層を挟む2電極のうち、活性層に近い電極上に金メッキ層を5μm以上形成する。 - 特許庁
The semiconductor laser element comprises: an active layer 6, and a p-side semiconductor layer formed on the active layer 6 and has a wurtzite crystal structure.例文帳に追加
半導体レーザ素子は、活性層6と、活性層6上に形成され、ウルツ鉱型結晶構造を有するp側半導体層とを備える。 - 特許庁
An upper carrier confining layer formed of semiconductor material whose band gap is greater than that of the active layer is formed on the active layer.例文帳に追加
活性層の上に、活性層よりも大きなバンドギャップを有する半導体材料で形成された上部キャリア閉込層が形成されている。 - 特許庁
The Fabry-Perot type semiconductor laser element 10 has an active layer 17, and a clad layer 13 having a refractive index lower than the one of the active layer.例文帳に追加
ファブリーペロー型の半導体レーザ素子10は、活性層17と、活性層よりも低い屈折率を有するクラッド層13を有している。 - 特許庁
ACTIVE ENERGY RAY-CURABLE RESIN COMPOSITION FOR FILM PROTECTIVE LAYER例文帳に追加
フィルム保護層用活性エネルギー線硬化型樹脂組成物 - 特許庁
The average crystal grain size of the second active layer 111 is smaller than the average crystal grain size of the first active layer 110.例文帳に追加
第2の能動層111の平均結晶粒径は第1の能動層110の平均結晶粒径に比して小さい。 - 特許庁
An active silicon layer is formed, and crystallized by a laser irradiation.例文帳に追加
活性シリコン層を形成しレーザ照射で結晶化する。 - 特許庁
In the process (3), the active layer or the like is formed on an InP substrate.例文帳に追加
(3)InP基板上に活性層等を形成する。 - 特許庁
A pair of clad layers having a band gap larger than that of the active layer are arranged to sandwich the active layer.例文帳に追加
活性層を挟むように、活性層のバンドギャップよりも広いバンドギャップを有する一対のクラッド層が配置されている。 - 特許庁
In the process (4), the active layer on the InP substrate is subjected to mesa etching.例文帳に追加
(4)InP基板上の活性層をメサエッチングする。 - 特許庁
This nitride semiconductor light emitting element includes an active layer 16.例文帳に追加
窒化物半導体発光素子は、活性層16を有する。 - 特許庁
INK ACCEPTING LAYER FORMING ACTIVE ENERGY RAY CURING TYPE COMPOSITION例文帳に追加
インク受容層形成用活性エネルギー線硬化型組成物 - 特許庁
ACTIVE ENERGY RAY-CURABLE COMPOSITION FOR FORMING INK RECEIVING LAYER例文帳に追加
インク受容層形成用活性エネルギー線硬化型組成物 - 特許庁
An electrolyte 40 is provided between the opposed positive electrode active material layer 12 and the negative electrode active material layer 22.例文帳に追加
対向する正極活物質層12および負極活物質層22の間に電解質40が備えられている。 - 特許庁
The active material of a positive electrode layer contains the radical compound.例文帳に追加
正極層の活物質がラジカル化合物を含有する。 - 特許庁
BOUNDARY LAYER ACTIVE CONTROL METHOD CAPTURING SIGN OF EXFOLIATION例文帳に追加
はく離の前兆を捉えた境界層能動制御方法 - 特許庁
On the active layer 12, an upper multilayered mirror is arranged.例文帳に追加
活性層12の上に上部多層ミラーが配置されている。 - 特許庁
The active material layer 2 is formed by electrolytic plating.例文帳に追加
活物質層2は電解めっきによって形成されている。 - 特許庁
METHOD OF FORMING ELECTRODE ACTIVE MATERIAL LAYER FOR LITHIUM SECONDARY BATTERY例文帳に追加
リチウム二次電池用の電極活物質層の形成方法 - 特許庁
The negative active material layer contains a plurality of columnar particles.例文帳に追加
負極活物質層は、複数の柱状粒子を含む。 - 特許庁
The negative electrode active material layer 5 is formed of lithium foil.例文帳に追加
負極活物質層5は、リチウム箔で構成されている。 - 特許庁
The active layer 6 includes quantum dot layers 61 and 62.例文帳に追加
活性層6は、2つの量子ドット層61,62を含む。 - 特許庁
The active layer comprises a polyarylamine biscarbonate ester of the formula (I).例文帳に追加
活性層は、式(I)のポリアリールアミンビスカーボネートエステルを含む。 - 特許庁
The active layer in the active zone and the guide layer in the passive zone are together joined by a butt-joint structure.例文帳に追加
そして、アクティブ領域の活性層と、パッシブ領域の光ガイド層とが、バット−ジョイント構造で結合されている。 - 特許庁
The band gap of the light absorbing layer is larger than that of the active layer and smaller than that of the clad layer.例文帳に追加
光吸収層のバンドギャップは、活性層のバンドギャップよりも広く、クラッド層のバンドギャップよりも狭い。 - 特許庁
An active layer 19 is formed between a first optical guide layer 21 and a second optical guide layer 23.例文帳に追加
活性層19は、第1の光ガイド層21と第2の光ガイド層23との間に設けられる。 - 特許庁
The un-doped semiconductor layer 14 further includes an upper light guide layer 46 formed on the active layer 44.例文帳に追加
アンドープ半導体層14は、活性層44上に設けられた上部光ガイド層46を更に含む。 - 特許庁
A semiconductor laser 101 has a first clad layer 103, an active layer 105, and a second clad layer 108.例文帳に追加
半導体レーザ101は、第1クラッド層103、活性層105、第2クラッド層108を有している。 - 特許庁
The first cladding layer 3 having an adjusted grating constant is used as a foundation layer of the active layer 4.例文帳に追加
活性層4の下地層として、格子定数が調整された第1のクラッド層3が用いられている。 - 特許庁
The n-side guide layer, the active layer, and the p-side guide layer are undoped or reduced in the amount of a dope.例文帳に追加
n側ガイド層、活性層及びp側ガイド層が、アンドープの層またはドープ量が抑制された層である。 - 特許庁
The ZnO-based semiconductor active layer 3 is a quantum well structure having a well layer and a barrier layer.例文帳に追加
ZnO系半導体活性層3は、井戸層と障壁層を備える量子井戸構造である。 - 特許庁
The light emitting element is made by sequentially laminating a first clad layer, an active layer and a second clad layer in this order.例文帳に追加
第1クラッド層、活性層、及び第2クラッド層がこの順に積層されてなる発光素子である。 - 特許庁
An active layer is interposed between the first conductive-type clad layer and the second conductive-type clad layer.例文帳に追加
一方、柱形状のナノパターンが第2導電型クラッド層の表面に周期的に配列される。 - 特許庁
An active layer 19 is provided between a first light guide layer 21 and a second light guide layer 23.例文帳に追加
活性層19は、第1の光ガイド層21と第2の光ガイド層23との間に設けられる。 - 特許庁
Between the current collector 110 and the active substance layer 130, a first intermediate layer 121 and a second intermediate layer 122 are formed on the current collector side and the active substance layer side, respectively.例文帳に追加
集電体110と活物質層130との間には、集電体側に位置する第一中間層121と、活物質層側に位置する第二中間層122とが形成される。 - 特許庁
An active region is disposed between the first reflection layer and a second reflection layer.例文帳に追加
活性領域は、第1反射層と第2反射層との間に配置されている。 - 特許庁
In the active layer 3, the width of the n-type nitride semiconductor layer 2 is not aligned to that of the p-type nitride semiconductor layer 4, and the active layer 3 has been scraped off slightly.例文帳に追加
活性層3は、n型窒化物半導体層2とp型窒化物半導体層4と横幅が揃っておらず、少し削られたような形状となっている。 - 特許庁
The active layer 18 and the p-type clad layer 54 are laminated in a Z-direction.例文帳に追加
活性層18及びp型クラッド層54は、Z方向に積層されている。 - 特許庁
A first laminate 1 in which a solid electrolyte layer 30 and the negative electrode active material layer 22 are formed on one face side (positive electrode active material layer 12 side) of a positive electrode layer 10 is fabricated.例文帳に追加
正極層10の一面側(正極活物質層12側)に固体電解質層30と負極活物質層22を形成した第一積層体1を作製する。 - 特許庁
Moreover, an intercalated layer containing a specific polymer compound is arranged between the electrolyte layer and at least either a cathode active material layer or the anode active material layer.例文帳に追加
そして、特定の高分子化合物を含む介在層が電解質層と正極活物質層または負極活物質層の少なくとも一方との間に配置されてなる。 - 特許庁
This nitride compound semiconductor light-emitting device is equipped with an active layer 5 which is pinched between an upper and a lower clad layer, 4 and 6, and a current blocking layer 8a having an opening that serves as a current path is formed on the active layer 5.例文帳に追加
上下クラッド層4、6で挟まれた活性層5上に電流通路となる開口部を有する電流阻止層8aが設けられている。 - 特許庁
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