「active-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

An electronic barrier layer 14 composed of GaP is arranged between the active layer 13 and the p-type clad layer 15.例文帳に追加

活性層１３とｐ型クラッド層１５との間にＧａＰからなる電子障壁層１４が設けられる。 - 特許庁

The groove 108 has a depth enough to penetrate the p-type layer 104 and an active layer 105 and reach an n-type layer 106.例文帳に追加

この溝１０８は、ｐ型層１０４、活性層１０５を貫通し、ｎ型層１０６に達する深さである。 - 特許庁

The core semiconductor region 19 includes a first light guide layer 21, an active layer 23, and a second light guide layer 25.例文帳に追加

コア半導体領域１９は、第１光ガイド層２１、活性層２３及び第２光ガイド層２５を含む。 - 特許庁

On an n-type semiconductor substrate, an n-type clad layer, an active layer, and a p-type clad layer are sequentially laminated.例文帳に追加

ｎ型半導体基板上に、ｎ型クラッド層、活性層、及びｐ型クラッド層が順次積層されている。 - 特許庁

A solid electrolyte layer 3 is formed in a region extending over the positive active material layer 1b and the insulating layer 4.例文帳に追加

正極活物質層１ｂと絶縁層４とに跨る領域に、固体電解質層３が形成されている。 - 特許庁

A negative active material layer 2b is formed so as to extend over the solid electrolyte layer 3 and the insulating layer 4.例文帳に追加

固体電解質層３および絶縁層４に跨って、負極活物質層２ｂが形成されている。 - 特許庁

First, an active layer 2, a clad layer 3, and a contact layer 4 are formed sequentially on the entire upper surface of a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

先ず、半導体基板１の上面全体に、活性層２、クラッド層３、コンタクト層４を順に形成する。 - 特許庁

On the n-type semiconductor layer 12 for the protection element, an active layer and a p-type semiconductor layer 13 are layered.例文帳に追加

保護素子用のｎ型半導体層１２には、活性層及びｐ型半導体層１３を積層してある。 - 特許庁

The n-type buffer layer 3 and the n-type guide layer 5 are arranged so as to interpose the quantum cascade active layer 4.例文帳に追加

ｎ型バッファ層３およびｎ型ガイド層５は、量子カスケード活性層４を挟むように配置される。 - 特許庁

Mg is doped in the second GaN layer 18 and the second GaN layer 18 functions as an active layer.例文帳に追加

第２のＧａＮ層１８にはＭｇがドープされており、第２のＧａＮ層１８は活性層として機能する。 - 特許庁

The semiconductor structure comprises an n-type semiconductor layer, a semiconductor active layer, and a p-type semiconductor layer.例文帳に追加

その内、半導体構造はｎ型半導体層、半導体活性層及びｐ型半導体層で構成される。 - 特許庁

The second n-type semiconductor layer 19 is formed between the active layer 15 and the p-type semiconductor layer 17.例文帳に追加

第２のｎ型半導体層１９は、活性層１５とｐ型半導体層１７との間に設けられている。 - 特許庁

An n-InP buffer layer 2, an InGaAsP active layer 3, and a first p-InP clad layer 4 are stuck on an n-type InP substrate 1.例文帳に追加

ｎ型InP基板１の上に、ｎ−InPバッファ層２、InGaAsP活性層３、第１ｐ−InPクラッド層４が積層されている。 - 特許庁

The semiconductor laser array 1 includes a p-type clad layer 11, an n-type clad layer 15, and an active layer 13.例文帳に追加

半導体レーザアレイ１は、ｐ型クラッド層１１と、ｎ型クラッド層１５と、活性層１３と、を備えている。 - 特許庁

The second conductive clad layer 21 is formed between the active layer 19 and the second conductive contact layer 23.例文帳に追加

第２導電型クラッド層２１は活性層１９と第２導電型コンタクト層２３との間に設けられている。 - 特許庁

A nitride semiconductor light emitting device is equipped with a P-side optical guide layer, an N-side optical guide layer, and an active layer which are all interposed between a P-side clad layer and an N-side clad layer.例文帳に追加

窒化物半導体発光素子は、ｎ側とｐ側クラッド層の間にｐおよびｎ側光ガイド層と活性層が形成されている。 - 特許庁

A first clad layer 12, an active layer 13, a second clad layer 14, a current diffusion layer 15 and a contact layer 16 are laminated sequentially on a substrate 11.例文帳に追加

基板１１上に第１クラッド層１２、活性層１３、第２クラッド層１４、電流拡散層１５、コンタクト層１６が順次積層されている。 - 特許庁

Then, the optical guide layer 51, the active layer 52 and the optical guide layer 53 are worked into mesa shape, and a buried layer 54 and a current block layer 55 are formed.例文帳に追加

次いで、光ガイド層５１、活性層５２及び光ガイド層５３をメサ形に加工した後、埋め込み層５４及び電流ブロック層５５を形成する。 - 特許庁

A light-emitting layer 1 has a double hetero structure in which an n-type clad layer 2, an adjusting crystal layer 3, an active layer 4, and a p-type clad layer 5 are laminated together.例文帳に追加

発光層部１は、ｎ型クラッド層２、調整結晶層３、活性層４及びｐ型クラッド層５が互いに積層されたダブルヘテロ構造を有する。 - 特許庁

A piezoelectric actuator 12 includes a first piezoelectric layer 12a (active layer) and a second piezoelectric layer 12b (restraint layer) stacked on the first piezoelectric layer 12a.例文帳に追加

圧電アクチュエータ１２が、第１の圧電層１２ａ（活性層）と、この第１の圧電層１２ａに積層された第２の圧電層１２ｂ（拘束層）とを有する。 - 特許庁

In the battery electrode provided with a current collector, and an active material layer containing an active material formed on the surface of the collector, a thin part thinner than the other part of the active material layer is formed on the active material layer.例文帳に追加

集電体と、前記集電体の表面に形成された、活物質を含む活物質層と、を有する電池用電極において、活物質層に、当該活物質層の他の部位と比較して厚さの小さい薄部を存在させる。 - 特許庁

Further, a low Al composition AlGaAs layer 51, a current constriction layer 31, and a low Al composition AlGaAs layer 52 are formed sequentially between the active layer 21 and the p type DBR layer 22 from the DBR layer 22 toward the active layer 21.例文帳に追加

また、活性層２１と、ｐ型ＤＢＲ層２２との間に、ＤＢＲ層２２側から活性層２１側に向けて、低Ａｌ組成ＡｌＧａＡｓ層５１、電流狭窄層３１、及び低Ａｌ組成ＡｌＧａＡｓ層５２を順に形成する。 - 特許庁

An anode has an active material-containing layer containing composite particles P10 containing an electrode active material, a conductive assistant, and a binder, and a current collector electrically contacting with the active material-containing layer.例文帳に追加

アノードは、電極活物質と導電助剤と結着剤とを含む複合粒子P10を含む活物質含有層と、該層に電気的に接触する集電体とを有する。 - 特許庁

The outer peripheral part of a single cell layer constituted of the positive electrode active material layer, the electrolyte layer, and the negative electrode active material layer is sealed by a sealing part having a second resin as the base material.例文帳に追加

正極活物質層、電解質層、および負極活物質層から構成される単電池層の外周部が、第２の樹脂を基材とするシール部により封止されてなる。 - 特許庁

The active layer 30 is formed on a first main surface of the first conductive clad layer 20, and the current block 40 is formed on both sides of the active layer 30 on the first conductive clad layer 20.例文帳に追加

活性層は第1導電型クラッド層の第1の主表面側に形成され、電流ブロック部は第1導電型クラッド層上の活性層の両側に形成されている。 - 特許庁

A bandgap on the first buffer layer 21 is larger than a bandgap on the first active layer 23, while a bandgap on the second buffer layer 31 is larger than a bandgap on the second active layer 33.例文帳に追加

第１のバッファ層２１のバンドギャップは、第１の活性層３３のバンドギャップよりも大きく、第２のバッファ層３１のバンドギャップは、第２の活性層３３のバンドギャップよりも大きい。 - 特許庁

The active layer 12 is an active layer 12 of a multi-quantum well structure including a plurality of well layers 34_1 to 34_M and a plurality of barrier layers 32_1 to 32_N, and is provided between the n-type cladding layer and the p-type cladding layer.例文帳に追加

活性層は、複数の井戸層と複数のバリア層とを含む多重量子井戸構造の活性層であり、ｎ型クラッド層とｐ型クラッド層の間に設けられている。 - 特許庁

The light emitting device 100 includes a support part 120, a first clad layer 104, an active layer 106, a second clad layer 108, and a reflective part 140 formed separate from the active layer.例文帳に追加

発光装置１００は、支持部１２０と、第１クラッド層１０４と、活性層１０６と、第２クラッド層１０８と、活性層と離間して形成された反射部１４０と、を含む。 - 特許庁

Further, in the optical resonator 3, a first auxiliary active layer 7 is provided in the vicinity of the lower reflective layer 4 and a second auxiliary active layer 8 is provided in the vicinity of the upper reflective layer 5.例文帳に追加

また、光共振器３には、下部反射層４の近傍に第１の副活性層７を設けると共に、上部反射層５の近傍に第２の副活性層８を設ける。 - 特許庁

The refractive index in a region of the p-type cladding layer 8 closer to the active layer 5 is lower than the refractive index in another region of the p-type cladding layer 8 opposite to the active layer 5.例文帳に追加

そして、ｐ型クラッド層８内の活性層５側の領域の屈折率がｐ型クラッド層８内の活性層５側とは反対側の領域の屈折率よりも低くなっている。 - 特許庁

After forming the trench portion 111 on the substrate 110, by sequentially depositing the buffer layer 120, the n-contact layer 130, and the active layer 140 on the trench portion 111, the area of light emission of the active layer 140 is increased.例文帳に追加

基板110にトレンチ部111を形成した後、トレンチ部111にバッファ層120、ｎ−コンタクト層130、及び活性層140を順次に蒸着することによって、活性層140の発光面積が増大する。 - 特許庁

As an inter-membrane differential pressure equalizing member, there are a spacer 2 interposed between separating membranes 1, a supporting layer for the active layer of the separating membrane and a reinforcing member for reinforcing the active layer and the supporting layer of the separating film or the like.例文帳に追加

膜間差圧均一化部材には、分離膜１間に介在するスペーサー２、分離膜の活性層の支持層、分離膜の活性層と支持層を補強する補強材などがある。 - 特許庁

To provide an oxidized layer constriction-type surface-emitting laser element that controls oxidization of a low refractive point layer of a Distributed Bragg Reflector (DBR) mirror near an active layer, thus reducing a stress strain produced on the active layer.例文帳に追加

酸化層狭窄型の面発光レーザ素子で、活性層近傍のＤＢＲミラーの低屈折率層の酸化を抑制し、活性層に生ずる応力歪みを低減する。 - 特許庁

In the solid electrolyte battery having at least one single cell layer 19 which has an anode active substance layer 13, a solid electrolyte layer 17, and a cathode active material layer 15 laminated in this order; one or two or more of the anode active substance layer, the solid electrolyte layer and the cathode active material layer are made to contain a hollow filament 100.例文帳に追加

正極活物質層１３、固体電解質層１７、および負極活物質層１５がこの順に積層されてなる少なくとも１つの単電池層１９を有する固体電解質電池において、前記正極活物質層、前記固体電解質層、および前記負極活物質層の１つまたは２つ以上に中空糸１００を含有させる。 - 特許庁

An active material layer in which a plurality of composite layers composed of the first active material layer and the second active material layer are laminated and provided by repeating a series of the processes.例文帳に追加

上記の一連の工程を繰り返すことにより、第１活物質層と第２活物質層とからなる複合体層が、複数層、積層して設けられている活物質層を形成してもよい。 - 特許庁

A source electrode 6 and a drain electrode 7 are led out from a source/drain region 5 on an active layer 4 to the outside of the active layer 4, and have parts which are in contact with a side wall of the active layer 4.例文帳に追加

ソース電極６およびドレイン電極７は、活性層４上のソース・ドレイン領域５から活性層４の外部に導出されており、活性層４の側壁と接触する部分を有している。 - 特許庁

The laser structure is epitaxially grown on a substrate 12 with a lower cladding layer 20, an active layer 22, an upper cladding layer 24, and a contact layer 26.例文帳に追加

基板１２上で、エピタキシャル成長され、下部クラッド層２０、活性層２２、上部クラッド層２４および接触層２６を有する。 - 特許庁

The photonic crystal layer 7 is stacked on the n-type buffer layer 3 and the n-type guide layer 5, and is independent of the quantum cascade active layer 4.例文帳に追加

フォトニック結晶層７は、ｎ型バッファ層３およびｎ型ガイド層５と積層され、量子カスケード活性層４と独立している。 - 特許庁

A lower part clad layer 2, an active layer 3, an upper part first clad layer 4 and an etching stop layer 5 are laminated in order on a substrate 1.例文帳に追加

基板１の上には、下部クラッド層２、活性層３、上部第１クラッド層４およびエッチングストップ層５が順に積層されている。 - 特許庁

The insulating layer covers the second metal layer and a part on the second metal layer side of the first metal layer on the first active region.例文帳に追加

絶縁層は、第２金属層と、第１アクティブ領域上の第１金属層の第２金属層側の一部分を覆っている。 - 特許庁

Thereafter, the insulation layer 3 of the diaphragm region is selectively etched to form a gap layer 4 between the support layer 2 and the active layer 1.例文帳に追加

その後、ダイアフラム領域の絶縁層３を選択的にエッチングし、支持層２と活性層１の間に空隙層４を形成する。 - 特許庁

The mesa structure part includes a p-type clad layer, an active layer, and an n-type clad layer which are laminated on the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

また、メサ構造部は、ｐ型半導体基板の上に積層されたｐ型クラッド層、活性層、及びｎ型クラッド層を含んでいる。 - 特許庁

A light-emitting device includes: an n-type layer; a p-type layer; an active-region sandwiched between the n-type layer and the p-type layer; and a substrate having a first surface for receiving the active-region sandwiched between the n-type layer and the p-type layer.例文帳に追加

発光素子は、N型層と、P型層と、前記N型層と前記P型層の間に挟まれたアクティベーション層と、前記N型層と前記P型層の間に挟まれたアクティベーション層を受け入れる第1面を有する基板と、を含む。 - 特許庁

To provide a technology of forming a polycrystalline semiconductor region of a semiconductor apparatus formed by using a laminated substrate with a base layer, a buried insulating layer, and an active layer laminated in this order in a boundary between the buried insulating layer and the active layer without thickening the film of the active layer.例文帳に追加

ベース層と埋込絶縁層と活性層が順に積層されている積層基板を利用して形成されている半導体装置において、活性層を厚膜化することなく埋込絶縁層と活性層の境界に多結晶半導体領域を形成することができる技術を提供する。 - 特許庁

ACTIVE ENERGY RAY-CURABLE RESIN COMPOSITION, ACTIVE ENERGY RAY-CURABLE COATING MATERIAL AND METHOD FOR FORMING PROTECTIVE LAYER例文帳に追加

活性エネルギー線硬化型樹脂組成物、活性エネルギー線硬化型塗料および保護層の形成方法 - 特許庁