「anisotropic-etching」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

ANISOTROPIC ETCHING SOLUTION AND ETCHING METHOD USING THE SAME例文帳に追加

異方性エッチング液およびそれを用いたエッチング方法 - 特許庁

ANISOTROPIC DRY ETCHING METHOD AND APPARATUS OF COPPER例文帳に追加

銅の異方性ドライエッチング方法および装置 - 特許庁

ANISOTROPIC ETCHING METHOD AND APPARATUS THEREOF例文帳に追加

異方性エッチング方法およびその装置 - 特許庁

ANISOTROPIC ETCHING METHOD, THREE-DIMENSIONAL STRUCTURE, AND DEVICE例文帳に追加

異方性エッチング方法、三次元構造体、及び、デバイス - 特許庁

ANISOTROPIC ETCHING OF ORGANIC COMPOUND CONTAINING INSULATING LAYER例文帳に追加

有機化合物含有絶縁層の異方性エッチング - 特許庁

SILICON ANISOTROPIC ETCHING LIQUID COMPOSITION例文帳に追加

シリコン異方性エッチング液組成物 - 特許庁

To provide an anisotropic etching method for silicon.例文帳に追加

シリコンの異方性エッチング方法を提供する。 - 特許庁

As a result, it becomes possible to change directivity of the etching (between isotropic etching and anisotropic etching).例文帳に追加

これにより、エッチングの指向性（等方的か異方的か）を変化させることが可能となる。 - 特許庁

As the anisotropic etching, dry etching and PEC etching can be cited.例文帳に追加

この異方性エッチングとしては、乾式エッチング、ＰＥＣエッチングが挙げられ得る。 - 特許庁

The occurrence of etching of the first material is detected during anisotropic etching and then the anisotropic etching is stopped.例文帳に追加

異方性エッチング中に第１の材料のエッチングが生じたことが検知され、異方性エッチングが停止される。 - 特許庁

To provide an anisotropic etching solution having an anisotropic etching selection ratio which is stable for a long period, and an etching method using the same.例文帳に追加

長期に安定な異方性エッチング選択比を有するエッチング液およびエッチング方法を提供する。 - 特許庁

In the first recess etching process, anisotropic etching is performed, and in the second recess etching process, etching free from anisotropy is performed.例文帳に追加

第１のリセスエッチング工程では、異方性エッチングを実施し、第２のリセスエッチング工程では、異方性のないエッチングを実施する。 - 特許庁

To provide an anisotropic dry etching method of copper capable of performing anisotropic etching to copper without causing corrosion of the copper by halogens.例文帳に追加

ハロゲンによる銅の腐食を生じさせずに銅を異方性エッチングすることができる銅の異方性ドライエッチング方法を提供すること。 - 特許庁

In the case of an anisotropic etching process, mixed gas of nitrogen and oxygen is used as the etching gas.例文帳に追加

異方性エッチング処理を行う場合、エッチングガスとして窒素と酸素との混合ガスを用いる。 - 特許庁

The alkali etching has anisotropic etching properties, and hence an end of the wafer is hardly rounded unnecessarily.例文帳に追加

アルカリエッチは異方性エッチングの性質を有し、ウェーハ端部が必要以上に丸まりにくい。 - 特許庁

Subsequently, anisotropic etching is performed and etching is stopped when the oxide film layer 2 is reached.例文帳に追加

次に、異方性エッチングを行い、酸化膜層２に達するとエッチングが停止する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD FOR STRUCTURE BY ANISOTROPIC ETCHING AND SILICON SUBSTRATE WITH ETCHING MASK例文帳に追加

異方性エッチングによる構造体の作製方法、及びエッチングマスク付きシリコン基板 - 特許庁

At this point, the second polysilicon film is subjected to anisotropic etching first and then subjected to isotropic etching.例文帳に追加

ここで、第２ポリシリコン膜のエッチングは異方性および等方性エッチングの順に実施する。 - 特許庁

An etching guide hole is formed to perform crystal anisotropic etching, thus forming a beam.例文帳に追加

エッチング誘導孔を形成し、結晶異方性エッチングを実施することにより、前記梁を形成する。 - 特許庁

To obtain an aspect ratio by wet type etching similar to that obtainable by anisotropic etching.例文帳に追加

湿式エッチングで異方性エッチングと同様のアスペクト比を有するようにする。 - 特許庁

The inclined surface is formed through dry etching, and a damaged layer is removed by anisotropic etching.例文帳に追加

傾斜面はドライエッチングにより形成し、異方性エッチングによりダメージ層を除去する。 - 特許庁

ANISOTROPIC ETCHING METHOD FOR ORGANIC DIELECTRIC POLYMER MATERIAL BY PLASMA GAS例文帳に追加

プラズマガスによる有機誘電ポリマー材料の異方性エッチング方法 - 特許庁

CRYSTALLINE ANISOTROPIC DRY ETCHING METHOD FOR SILICON AND DEVICE THEREOF例文帳に追加

シリコンの結晶異方性ドライエッチング方法、および装置 - 特許庁

The walls are formed according to anisotropic etching of silicon.例文帳に追加

これらの壁は、シリコンの異方性エッチングにより形成される。 - 特許庁

METHOD AND LIQUID FOR SILICON ANISOTROPIC ETCHING例文帳に追加

シリコン異方性エッチング方法及びシリコン異方性エッチング液 - 特許庁

The anisotropic etching-back is thereafter conducted to each oxide film 5, 7.例文帳に追加

次に、酸化膜５，７に対して異方性エッチバック処理を施す。 - 特許庁

A square pyramid recessed part 203 is formed by an anisotropic etching.例文帳に追加

正四角錐状の凹部２０３は、異方性エッチングにより形成される。 - 特許庁

The surface N (42) is roughened through anisotropic etching.例文帳に追加

Ｎ面（４２）の表面は、異方性エッチングによって粗くされる。 - 特許庁

The function element 26 is smoothened by a crystal anisotropic etching.例文帳に追加

この機能素子２６を結晶異方性エッチングにより平滑化処理を行う。 - 特許庁

Next, the laminated substrate is exposed to an anisotropic etching medium.例文帳に追加

次に、積層された基板を異方性エッチング媒体にさらす。 - 特許庁

A second anisotropic etching groove which connects with the first anisotropic etching groove and has the same axis as the first anisotropic etching groove and is a guide for a making position of the core layer of the optical waveguide is formed on the other side of the substrate.例文帳に追加

基板の他方には、前記第１の異方性エッチング溝と連通し、同軸で、かつ、光導波路のコア層の作製位置をガイドするように第２の異方性エッチング溝が形成される。 - 特許庁

A TiN film 102 of normal temperature formation whose etching resistance to anisotropic etching solution is more excellent than that of a silicon oxide film or the like is used as an etching mask for performing anisotropic etching for a semiconductor substrate 101.例文帳に追加

半導体基板１０１の異方性エッチングを行う際のエッチングマスクとして、シリコン酸化膜等の膜よりも異方性エッチング液に対するエッチング耐性の優れる常温形成のＴｉＮ膜１０２を用いる。 - 特許庁

To provide silicon anisotropic etching liquid for selectively etching only silicon without etching aluminum.例文帳に追加

アルミニウムをエッチングすることなくシリコンのみを選択的にエッチングすることができるシリコン異方性エッチング液を提供すること。 - 特許庁

The target shape of the structure is formed by etching the silicon substrate 100 with the etching mask by anisotropic etching.例文帳に追加

異方性エッチングにより、エッチングマスクの施されたシリコン基板100をエッチングして目標形状を形成する。 - 特許庁

After etching the interlayer insulation films 2 and 3 by anisotropic etching, isotropic etching is performed.例文帳に追加

そして、異方性エッチングによりこれら層間絶縁膜２，３をエッチングした後、等方性エッチングを施す。 - 特許庁

To provide a dry etching method which is capable of realizing anisotropic etching in an etching operation where oxygen active species are mainly used.例文帳に追加

酸素活性種を主体とするエッチングにおいてエッチング異方性を得ることができるドライエッチング方法を提供すること。 - 特許庁

A beam is integrally formed on the underside of the substrate by a first etching and a second etching (Si anisotropic etching).例文帳に追加

第１のエッチングと第２のエッチング（Ｓｉ異方性エッチング）により基板下面に梁を一体物で作成する。 - 特許庁

To provide an etching composition that can reduce a crystal anisotropic etching time of a silicon substrate and an etching method.例文帳に追加

シリコン基板の結晶異方性エッチング時間の短縮出来るエチング組成物、及びエチング方法を提供する。 - 特許庁

To reduce variations in etching due to an etching time by subjecting an accidentally formed layer to an anisotropic etching and to improve controllability for a wraparound etching by etching an optional layer by a constant amount through anisotropic etching.例文帳に追加

偶発的に生成される層を異方性エッチングすることにより、エッチングを行う時間によるエッチングのばらつきを改善し、かつ任意の層を異方性エッチングで一定量エッチングすることにより、回り込みエッチングの制御性の向上を図ることを実現する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for plasma treatment wherein anisotropic film formation characteristics and anisotropic etching characteristics are improved.例文帳に追加

異方性成膜特性や異方性エッチング特性が改善されたプラズマ処理方法及びプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To form groove structure consisting of <111> planes for which the amount of etching is controlled by utilizing the anisotropic etching of Si, only by performing anisotropic etching once.例文帳に追加

Ｓｉの異方性エッチングを利用してエッチング量の制御された＜１１１＞面からなる溝構造を、一回（一度）の異方性エッチングだけで作製する。 - 特許庁

The crystal anisotropic wet etching is known to have different etching rates depending on crystalline planes, and only a specific crystalline plane can be exhibited by crystal anisotropic etching.例文帳に追加

結晶異方性ウェットエッチングは結晶面によりエッチング速度が異なることが知られており、結晶異方性エッチングを行うことで特定の結晶面のみを表出することが出来る。 - 特許庁

A side wall product is provided to the second polysilicon electrode by the anisotropic etching process, and the anisotropic etching process is stopped before an enough side wall product is formed on an etching residue below the overhang of the first polysilicon electrode.例文帳に追加

この異方性エッチングは、第２ポリシリコン電極に側壁生成物を生成し、第１ポリシリコン電極のひさし下のエッチング残存物に充分な側壁生成物が生成されない時点で完了する。 - 特許庁

To realize faces usable for an optical reflecting surface by one anisotropic etching with an etching mask of optional shape, using anisotropic etching of Si.例文帳に追加

Ｓｉの異方性エッチングを利用して、光学反射面に利用可能な面を、任意の形状を持つエッチングマスクによって一度の異方性エッチングで実現し得るようにする。 - 特許庁

A recessed part is formed inside the opening part 22 by anisotropic wet etching, and anisotropic dry etching is applied until the inner surface of the recessed part reaches the substrate surface while using the first passivation layer 20 as an etching stop layer.例文帳に追加

異方性ウエットエッチングにより、開口部２２の内側に凹部を形成し、第一のパッシベイション層２０をエッチングストップ層として、凹部の内面を基板表面に達するまで異方性ドライエッチングする。 - 特許庁