「ashing process」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a composition for forming a resist lower layer film to be used in a resist process including a pyrolysis step of a resist lower film, the composition which can be easily decomposed and removed by simple heat treatment without requiring ashing, which does not damage an inorganic coating such as a low-k film, and which has excellent filling performance in a gap.例文帳に追加

アッシング処理の必要がなく、簡便な熱処理により分解除去でき、Low-ｋ膜などの無機被膜にダメージを与えることがなく、かつギャップの充填性能に優れた、レジスト下層膜の熱分解工程を有するレジストプロセスに用いられるレジスト下層膜形成組成物を提供する。 - 特許庁

A conductive film is processed in a first etching process, and thinned by reprocessing using light ashing, the conductive film is thinly reprocessed, and at the same time, an exposed portion of an insulating film is etched away in the film thickness direction, thereby forming a step on the insulating film, and implanting impurity ions into the semiconductor layer by an ion implantation.例文帳に追加

第１のエッチング工程で導電膜を加工し、ライトアッシングして細く再加工し、導電膜を細く再加工するとともに露出していた部分の絶縁膜を膜厚方向に削り、絶縁膜に段差を作り、イオン注入で不純物イオンを半導体層に注入する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an optical disk substrate and an optical master disk having a shape with which a land prepit(LPP) and neighboring grooves thereof do not affect groove recording quality when pits and grooves having different depths are formed in the same master disk by using plasma etching and an ashing process.例文帳に追加

プラズマエッチングとアッシングプロセスを用いて、深さが異なるピットとグル−ブを同一原盤内に形成する際に、ランドブリピット（ＬＰＰ）及びその隣接グル−ブがグル−ブ記録品質に影響を与えることない形状の光ディスク基板および光ディスク原盤の製造方法を提供する。 - 特許庁

Biological minerals obtained through an organism ashing process are supported on a holding material comprising an inorg. and/or org. material so as to keep or develop the specific functions of the biological minerals and the holding material and the biological minerals are mixed to be molded and solidified.例文帳に追加

生物体を灰化する工程を経て得られる生物ミネラルを、無機質及び／又は有機質の材料からなるホールド材に坦持させ、生物ミネラルの特定の機能を維持又は発現せしめるように保持せしめるもので、ホールド材と生物ミネラルを混合したものを成形固化せしめることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for peeling a photoresist by which a photoresist film and an etching residue after etching can be effectively removed without using O_2 plasma ashing even in a process of forming a fine pattern on a substrate having at least copper wiring and a low dielectric material layer, no adverse effect is given to the dielectric constant of the low dielectric material layer, and excellent corrosion resistance is obtained.例文帳に追加

少なくとも銅配線と低誘電体層を有する基板上の微細パターン形成において、Ｏ_２プラズマアッシング処理を行わないプロセスにおいても、エッチング後のホトレジスト膜、エッチング残渣物を効果的に剥離することができ、しかも低誘電体層の誘電率への悪影響を及ぼさず、防食性にも優れるホトレジスト剥離方法を提供する。 - 特許庁