「ashing process」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Resist ashing is performed under such conditions as the ratio Z between the quantity of hydrogen X and the quantity of other elements Y in the plasma of an ashing system does not exceed 6.4×10-2 or the ratio of emission intensity between oxygen radicals and hydrogen radicals under ashing does not exceeds 1.80 or the residence time of hydrogen in the plasma process does not exceeds 0.08 sec.例文帳に追加

レジストアッシング時に、アッシャー装置のプラズマ中の水素量Ｘとその他の元素量Ｙとの比Ｚが６．４×１０^-2以下となる条件で処理し、或いはアッシング中の酸素ラジカル発光強度と水素ラジカルの発光強度の比が１．８０以下となるように処理し、あるいはプラズマプロセス中の水素のレジデンスタイムを０．０８(sec)以下となる条件で処理する。 - 特許庁

To solve the problem of undesired effects imposed on an object of plasma processing by plasma, developed during the ashing process from by-products of etching such as an F-containing by-product deposited on processing chamber inner walls or on parts inside the chamber, in case etching and ashing are implemented in one and the same processing chamber.例文帳に追加

エッチングとアッシングを同一処理容器内で行なうと、エッチングによる副生成物、例えばＦを含有する副生成物が処理容器の内壁や内部部品に付着し、この付着物がアッシング工程中にプラズマ化し、このプラズマが被処理体に作用して思わしくない影響を及ぼす。 - 特許庁

To suppress increasing of resistance between a metal wiring and a connection plug by preventing oxidizing of the metal wiring while dispensing with process control between processes as well as constraint on time between etching for forming a via hole and an ashing process.例文帳に追加

ビア孔形成のためのエッチングとアッシング工程との間の時間的制約、工程間処理制御を不要とし、かつ金属配線の酸化を防止して、金属配線と接続プラグとの間の抵抗の上昇を抑制すること。 - 特許庁

To provide a chemical compound, which removes residue after a resist ashing process effectively, and simultaneously does not corrode or degrade potentially precise structures required to fix on a wafer.例文帳に追加

レジストアッシング工程後の残留物を効果的に除去すると同時に、ウエハ上に留めたい緻密構造を侵食したり潜在的に劣化させることがない化学配合物を提供する。 - 特許庁

To provide a post-ashing treatment solution which prevents the corrosion of metallic wiring and reliably removes residue such as a degenerated photoresist film and a metallic deposition from a substrate subjected a ashing after dry etching under severer conditions in an ultrafine patterning process and a treatment method using the solution.例文帳に追加

超微細パターン化プロセスにおけるより過酷な条件のドライエッチング、続いてアッシングが施された基板において、金属配線に対する腐食を防止し、かつホトレジスト変質膜、金属デポジション等の残渣物を確実に除去し得るアッシング後の処理液およびこれを用いた処理方法を提供する。 - 特許庁

(a) After a resist mask 22 is removed by an ashing process, (b) the separation-material composition for a resist is used to separate and remove at least either residues of the resist mask or a by-product polymer.例文帳に追加

そして、（ａ）このレジスト用剥離剤組成物を用いて、灰化処理を施してレジストマスク２２を除去した後に、（ｂ）前記レジストマスクの残渣及び副生ポリマーの少なくともいずれかを剥離、除去する。 - 特許庁

To suppress the damage of a magnetic element and to prevent oxidation of a conductive member existing in a lower layer without using an ashing process for processing a lower electrode film when a semiconductor device equipped with the magnetic element is manufactured.例文帳に追加

磁気素子を備えた半導体装置の製造で、磁気素子のダメージを抑止し、下部電極膜の加工に灰化処理を用いないことで下層に存する導電部材の酸化を防止する。 - 特許庁

Accordingly, the terminal pads 1 and 6 do not receive an electric stress because charges in the ashing process flow through the silicon board 56 and are not charged even in an NC terminal and an input terminal having a low electrostatic breakdown strength.例文帳に追加

これにより端子パッド１，６は、ＮＣ端子や静電耐圧の低い入力端子であっても、アッシング工程における電荷がシリコン基板５６に流れてチャージされないため、電気ストレスを受けない。 - 特許庁

To provide a chemical formulation which enables the effective removal of a residue following a resist ashing process, wherein there is no possibility of attacking and breaking a brittle structure to be left on a wafer.例文帳に追加

レジストアッシング工程に続いて残留物を効果的に除去する化学処方物であって、ウエハ上に残ることになる脆い構造を攻撃せずかつ分解するおそれのないものを提供すること。 - 特許庁

The main ashing process includes exposing a previously etched dielectric layer to plasma (48) of hydrogen (50) and optional nitrogen (54), a larger amount of water vapor (60), and further a large amount of argon (80) or helium.例文帳に追加

メインアッシング工程は、水素（５０）及び任意の窒素（５４）、大量の水蒸気（６０）、更に大量のアルゴン（８０）又はヘリウムのプラズマ（４８）に、予めエッチングしておいた誘電体層を露出することを含む。 - 特許庁

An anisotropic etching process carried out by the use of a magnetron etching device and an ashing process for removing a fluorocarbon polymer 14 produced in the above etching process are repeatedly carried out three times or so, by which a contact hole 13 is provided to the interlayer insulating film 9 so as to extend to a source/ drain region 6.例文帳に追加

多結晶Ｓｉ膜１０および内壁膜１２ａをマスクとして、マグネトロンエッチング装置を用いた異方性エッチングと、このエッチングで生じたフロロカーボンポリマー１４を除去するアッシングとを３回程度繰り返し行うことにより、層間絶縁膜９にソース／ドレイン領域６に達するコンタクトホール１３を形成する。 - 特許庁

In a process forming the MOS device on the main face of a silicon wafer, before wafer processing by the process device (an etching device, an ashing processing device, a sputter device and a CVD device) using the plasma, an insulating film is previously formed on the wafer rear face and reduces damage to the device caused by the process device using the plasma.例文帳に追加

シリコンウェハ主面にＭＯＳデバイスを形成するプロセスにおいて、プラズマを用いるプロセス装置（エッチング装置、アッシング処理装置、スパッタ装置、ＣＶＤ装置）によるウェハ加工前に、予めウェハ裏面に絶縁膜を形成しておき、プラズマを用いるプロセス装置起因によるデバイスヘのダメージを低減する。 - 特許庁

A method of forming a via using the dual damascene process can include removing an object material layer from a recess portion in a low dielectric constant material layer using an ashing process while maintaining a protective spacer on an entire side wall of the recess portion to cover the low dielectric constant material layer in the recess portion.例文帳に追加

デュアルダマシン工程を利用したビア形成方法は、リセス部内に低誘電率物質層を覆うようにリセス部の全体側壁上に保護スペーサを保持しつつ、アッシング工程を利用し、低誘電率物質層内のリセス部から対象物質層を除去する。 - 特許庁

After a resist layer thicker than a step is formed on an upper surface of the substrate based on the layers 14a, 16a, this resist layer is thinned by a sheet type ashing or etching process, so that resist layers 20A, 20B are left behind.例文帳に追加

基板上面に層１４ａ，１６ａに基づく段差より厚くレジスト層を形成した後、このレジスト層を枚葉式のアッシングまたはエッチング処理により薄くしてレジスト層２０Ａ，２０Ｂを残存させる。 - 特許庁

With radiation of high frequency oxygen plasma, the surface of reaction product (4) is physically shocked and such reactive product can be removed easily with a post-processing (ashing and wet process with an organic solvent).例文帳に追加

この高周波を伴う酸素プラズマ照射により、反応生成物（４）の最表面が物理的な衝撃を受け、後処理（アッシング及び有機溶剤によるウエット処理）によって、容易に除去することができる。 - 特許庁

The buffer membrane formed by using a polymer composition having the above composition has an ashing property to reduce the step for forming a pattern of a semiconductor element and a capacitor and maximize the process efficiency.例文帳に追加

このような組成を有する高分子組成物で形成されたバッファ膜は半導体素子のパターン及びキャパシタを形成する工程の縮小及び工程効率を極大化させることができるアッシング特性を有する。 - 特許庁

The lower resist layer 103 is composed of a resist material, which is not resolved by developer employed in a next process and which is provided with an ashing speed higher than that of the resist material constituting the upper resist layer 104.例文帳に追加

下層レジスト層１０３は、次工程で用いられる現像液には溶解しないレジスト材料であって、アッシング速度が上層レジスト層１０４を構成するレジスト材料のそれよりも速いレジスト材料でなる。 - 特許庁

To provide a method for forming an insulating film and the insulating film, wherein the insulating film at a low relative dielectric constant and excellent in resistance or the like to a process such as etching, ashing or wet cleaning can be formed.例文帳に追加

低比誘電率であり、エッチング，アッシングあるいはウエット洗浄などのプロセスに対する耐性などにも優れた絶縁膜を形成することができる絶縁膜の形成方法および絶縁膜を提供する。 - 特許庁

To provide a large-area substrate processor using hollow cathode plasma capable of executing a process such as ashing, washing, and etching by using plasma to a substrate such as a semiconductor wafer or a glass substrate.例文帳に追加

半導体ウエハまたはガラス基板などのような基板に対して、プラズマを利用してアッシング、洗浄、エッチングなどのプロセスを実行することができるホローカソードプラズマを利用した大面積基板処理装置を提供する。 - 特許庁

A process is also disclosed for removing photoresist and the residue of etching and ashing of electronic device substrates by contacting the substrate with a formulation comprising deionized water, carboxylic acid, glycol, glycol ether and ammonium fluoride.例文帳に追加

および、電子素子基板に、脱イオン水、カルボン酸、グリコール、グリコールエーテルおよびフッ化物を含む調合物を接触させることによって、そのフォトレジストならびに基板のエッチングおよびアッシングの残留物を除去する方法。 - 特許庁

To provide a fabrication method by which a fine wiring structure is formable without using dry etching or ashing process of a wiring trench for a multiple layer fine wiring in a semiconductor device, at the same time the simplification of wiring process, the improvement of wiring reliability, and cost reduction are achieved.例文帳に追加

半導体装置における微細な多層配線において、配線溝のドライエッチングやアッシングプロセスを用いることなく、微細な配線構造の形成が可能であって、配線工程の簡略化、配線信頼性向上、低コスト化を同時に達成する製造方法を提供する。 - 特許庁

In a cleaning process being performed later than a process for forming a ferroelectric thin film 110 becoming a part of a ferroelectric thin film capacitor, dry cleaning, e.g. ashing, Ar aerosol cleaning, CO_2 cleaning, cleaning with CO_2 in a supercritical state, or UV cleaning, is employed.例文帳に追加

強誘電体薄膜キャパシタの一部となる強誘電体薄膜１１０を形成する工程よりも後に行なわれる洗浄工程において、アッシング、Ａｒエアロゾル洗浄、ＣＯ_2 洗浄、超臨界状態のＣＯ_2 による洗浄又はＵＶ洗浄等のドライ洗浄を用いる。 - 特許庁

To provide a wiring structure of simple wiring process, for improving wiring reliability, and realizing cost reduction, where a minute wiring structure is formed without the use of dry-etching or ashing process with a wiring groove, related to a fine multilayer interconnection of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置における微細な多層配線において、配線溝のドライエッチングやアッシングプロセスを用いることなく、微細な配線構造の形成が可能であって、配線工程の簡略化、配線信頼性向上、低コスト化を同時に達成する配線構造を提供する。 - 特許庁

This organic sludge treatment process involves indirectly heating organic sludge which is derived from an activated sludge process and particularly contains a large amount of phosphorus components, with a heating cylinder 22 placed on the outer periphery of a rotary circular-cylindrical body 21, to subject the organic sludge to carbonization and/or ashing treatment and to obtain the objective treated material having a high phosphorus or phosphorus compound content.例文帳に追加

活性汚泥処理により、特にリン成分を多量に含む有機性汚泥を、回転する円筒体２１の外周に設けた加熱筒２２で間接的に加熱して、炭化／又は灰化処理することでリン、リン化合物の高含有率の処理物を得る。 - 特許庁

In a cleaning process being performed later than a process for forming a ferroelectric thin film 110 becoming a part of a ferroelectric thin film capacitor, dry cleaning, e.g. ashing, Ar aerosol cleaning, CO_2 cleaning, cleaning with CO_2 in supercritical state, or UV cleaning, is employed.例文帳に追加

強誘電体薄膜キャパシタの一部となる強誘電体薄膜１１０を形成する工程よりも後に行なわれる洗浄工程において、アッシング、Ａｒエアロゾル洗浄、ＣＯ_2 洗浄、超臨界状態のＣＯ_2 による洗浄又はＵＶ洗浄等のドライ洗浄を用いる。 - 特許庁

To provide a cleaning composition capable of sufficiently removing a plasma etching residue and/or an ashing residue on a semiconductor substrate without damaging a wiring structure and an interlaminar insulation structure; and to provide a cleaning process and a process for producing a semiconductor device using the cleaning composition.例文帳に追加

配線構造や層間絶縁構造を損傷することなく、半導体基板上のプラズマエッチング残渣やアッシング残渣を十分に除去しうる洗浄組成物、並びに、前記洗浄組成物を用いた洗浄方法及び半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method and the device capable of realizing a stable discharge state under an atmospheric pressure condition in a peeling process in a semiconductor manufacturing process, and performing ashing by using a simple device and a discharge plasma processing capable of a processing with the small amount of processing gas.例文帳に追加

半導体製造工程における剥離工程において、大気圧条件下で安定した放電状態を実現させることができ、簡便な装置かつ、少量の処理ガスで処理の可能な放電プラズマ処理を用いて、アッシングをすることができる方法及びその装置を提供。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufactured by using a photoresist polymer removing detergent composition which can effectively remove a photoresist residue or the like produced in an etching process and in an ashing process in the process of a photoresist pattern for manufacturing the semiconductor device, and to provide a method for manufacturing a semiconductor device, a method for cleaning a photoresist pattern and a photolithographic method.例文帳に追加

半導体素子を製造するためのフォトレジストパターン形成工程中において、エッチング工程及びアッシング工程時に発生するフォトレジスト残留物などを効果的に除去できるフォトレジストポリマー除去用洗浄剤組成物を用いた半導体素子及び半導体素子の製造方法、フォトレジストパターン洗浄方法、フォトリソグラフィー方法を提供すること。 - 特許庁

To form a constitution capable of preventing the generation of a breakdown between a re-wiring pattern and a semiconductor board, the breaking of an internal element or an insulating film or the like by charges collected in the re-wiring pattern in a WL-CSP ashing process.例文帳に追加

ＷＬ−ＣＳＰアッシング工程にて、再配線パターンに溜まった電荷によって、再配線パターンと半導体基板間における絶縁破壊，内部素子、あるいは絶縁膜の破壊などの発生を防止し得る構成とする。 - 特許庁

Thus, entering of O_2 radical is prevented by the amorphous TiN films 13d and 16d to suppress peeling off of the TiN films 13d, 13e, 16d and 16e from the Al alloy wire in the ashing process.例文帳に追加

このようにすれば、非結晶性のＴｉＮ膜１３ｄ、１６ｄによってＯ_２ラジカルの進入が防止され、アッシング工程にてＴｉＮ膜１３ｄ、１３ｅ、１６ｄ、１６ｅがＡｌ合金配線から剥離するのを抑制できる。 - 特許庁

Thereby, on the ashing process of a photosensitive layer, etching ratio on a part where wiring is positioned is equalized to the etching ratio on a part where the wiring is not positioned and, therefore, the advantage of preventing a defect from occurring on the surface of the wiring can be obtained.例文帳に追加

ここれにより、感光層をアッシングする工程で、配線が位置した部分と、そうではない部分に対するエッチングの比率を合わせることができるために、配線の表面に欠陥が発生する不良を防げる長所がある。 - 特許庁

To provide a plasma processing device and a plasma processing method wherein, when a resist pattern is removed by an ashing process of a low temperature RIE system, it is possible to remove a polymer in a side wall around a substrate and a bevel with a simple configuration.例文帳に追加

レジストパターンを低温ＲＩＥ方式のアッシング処理で除去する際、基板周辺の側壁部やベベル部のポリマーの除去を、簡単な構成により可能にするプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a discharge plasma processor and a processing method using the same which continuously and stably generates a uniform glow discharge plasma substantially under the atmospheric pressure to form a thin film, using not only a single process gas but a plurality of process gases, and can deal with complicated processes in etching, ashing steps, etc.例文帳に追加

大気圧近傍の圧力下で均一なグロー放電プラズマを継続して、安定して発生させ、単一の処理ガスのみならず複数の処理ガスを用いた薄膜形成、エッチング処理、アッシング処理等の工程における複雑な処理にも対応できる放電プラズマ処理装置及びそれを用いた処理方法の提供。 - 特許庁

In addition, they have a process for introducing the reaction gas into the discharge space and a process for activating the reaction gas by supplying the pulse or the rectangular wave modulated high-frequency power into the discharge space and are characterized in that the ashing treatment is performed on the surface of the substrate with the activated reaction gas.例文帳に追加

また放電空間に反応ガスを導入する工程と、前記放電空間にパルスもしくは矩形波変調された高周波電力を供給して前記反応ガスを活性化する工程と、を有し、前記活性化された反応ガスが基体の表面にアッシング処理をすることを特徴とする。 - 特許庁

Thereafter, after the photoresist residue 14 adhered to the bottom of the opening 12 of the photoresist pattern1 1a is removed by a light ashing process, a through hole is bored through the insulating film 7b by a dry etching process using an etching gas, etc. containing C_5F_8, O_2 and Ar gas with the photoresist pattern 11a used as an etching mask.例文帳に追加

その後、フォトレジストパターン１１ａの開口部１２の底に付着したフォトレジスト残渣１４を軽いアッシング処理により除去した後、フォトレジストパターン１１ａをエッチングマスクとして、Ｃ_５Ｆ_８、Ｏ_２およびＡｒガスを有するエッチングガス等を用いたドライエッチング処理により絶縁膜７ｂにスルーホールを穿孔する。 - 特許庁

To provide cleaning liquid for removing resist enhanced in a removing function of resist residual dross and resistance against corrosion of a copper film and an insulator film, when the resist residual dross after etching or ashing, and other etching residual dross are removed in a semiconductor manufacturing process including a copper wiring process, and a manufacturing method for a semiconductor device using the cleaning liquid.例文帳に追加

銅配線プロセス等の半導体装置製造方法工程において、エッチング後またはアッシング後のレジスト残さ物およびその他のエッチング残さ物を除去する際に、レジスト残さ物等の除去性、銅および絶縁体膜の耐腐食性が高いレジスト除去用洗浄液を提供する。 - 特許庁

An organic film 15 is removed by applying an ashing process to the organic film 15 after a silicon oxide film 14 and the organic film 15 are sequentially formed on a metal film 13 so as to generate a second concave 12B on a semiconductor substrate 10.例文帳に追加

半導体基板１０上に第２の凹部１２Ｂが生じるように設けられた金属膜１３の上に、シリコン酸化膜１４及び有機膜１５を順次形成した後、有機膜１５に対してアッシング処理を行なって有機膜１５を除去する。 - 特許庁

The ashing device introduces gas into a dielectric plasma generating chamber 14 and excites the gas to produce plasma and effect plasma process of an object to be processed S by the gas plasma employing the Low-K film.例文帳に追加

本発明のアッシング装置は、誘電体プラズマ発生室１４にガスを導入し、当該ガスを励起させてプラズマを生起し、前記ガスプラズマによってＬｏｗ−Ｋ膜を用いた被処理対象物Ｓのプラズマ処理を行うアッシング装置である。 - 特許庁

After etching, a facet-free good etching shape can be obtained without forming a metallic oxide film in the surface of the first buried wiring 8 by using a reducing gas in an ashing process for removing the resist pattern 13.例文帳に追加

エッチング後、前記レジストパターン１３を除去するアッシング工程において、還元性ガスを用いることにより、第一埋め込み配線８の表面に金属酸化膜を形成することなく、ファセットのない良好なエッチング形状を得ることができる。 - 特許庁

The process of ashing is carried out in or after the etching to prevent the etching rate from decreasing owing to sputtering of the reaction products deposited on the surface of the target material, thereby obtaining the stable etching rate.例文帳に追加

本発明では、このアッシング工程をエッチング途中またはエッチング後に実行することによって、ターゲット材の表面に堆積した反応生成物のスパッタ作用に起因するエッチングレートの低下を防止し、安定したエッチングレートを得ることができる。 - 特許庁

In a process S106, oxygen gas oxygen plasma is used to supply a high-frequency power P3 to the inductively coupled coil 14 without supplying any high-frequency power to the bias-side electrode 13, and plasma ashing of oxygen gas G_O2 is performed to remove an etching deposit.例文帳に追加

工程Ｓ１０６では、酸素ガス酸素プラズマを用いて、バイアス側電極１３に高周波電力を供給すること無く誘導結合コイル１４に高周波電力Ｐ３を供給して、酸素ガスＧ_Ｏ２のプラズマアッシングを行ってエッチング堆積物を除去する。 - 特許庁

To provide a composition for forming a thermally decomposable lower layer film for a multi-layered resist process used to form the thermally decomposable lower layer film which eliminates the need for an ashing treatment, can be decomposed and removed through a simple heat treatment, and never damages an inorganic film such as a Low-K film.例文帳に追加

アッシング処理の必要がなく、簡便な熱処理により分解除去でき、Low-Ｋ膜などの無機被膜にダメージを与えることがない熱分解性下層膜の形成に用いられる多層レジストプロセス用熱分解性下層膜形成組成物を提供する。 - 特許庁

Further, a metal substance scattered during the etching of the metal material 104 never sticks directly on the polysilicon film 105 because of the protective film 107 of the carbon polymer, and is thereby easily removed through an ashing process together with the protective wall 107 of the carbon polymer.例文帳に追加

また、このカーボンポリマによる保護膜１０７により、金属材料１０４をエッチングする際に飛散した金属物質はポリシリコン膜１０５に直接付着することなく、アッシング工程によりカーボンポリマの保護壁１０７とともに簡単に取り除くことができる。 - 特許庁

To provide a liquid composition for removing resist which can completely remove a resist residue remaining after etching or ashing in the process of wiring a semiconductor device or a liquid crystal panel device at a low temperature in a short time and which does not corrode the wiring material or an inner wiring material.例文帳に追加

半導体素子や液晶パネル素子の配線工程におけるエッチングまたはアッシング後に残存するレジスト残渣物を、低温、短時間で完全に除去でき、且つ配線材料、内部配線材料を腐食しないレジスト剥離液組成物を提供する。 - 特許庁

This quantitative analyzing method of a very small amount of a metal element being a harmful substance such as lead or cadmium in the resin material has a process for decomposing a target substance in vitreous carbon by an oxidizing acid, a process for removing organic matter by low temperature ashing and a quantifying process for subsequently quantifying residual metal impurities.例文帳に追加

本発明の金属属元素の定量分析方法は、樹脂材料中に存在する鉛やカドミウムなどの有害物質微量金属元素を測定する方法であって、対象物質をガラス状カーボン内にて酸化性酸により分解する工程と、低温灰化により有機物を除去する工程と、次いで残存する金属不純物を定量する定量工程を具備することを特徴とする。 - 特許庁