「ashing process」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

After anneal process, resist removal process (ashing) for removing resist by plasma treatment is carried out.例文帳に追加

アニール工程の後、プラズマ処理によりレジストを除去するレジスト除去工程（アッシング）を行う。 - 特許庁

In this way, the etching process and the subsequent ashing process are continuously performed by one processor.例文帳に追加

このように、エッチング工程とその後のアッシング工程とを一つの処理装置で連続的に行う。 - 特許庁

Then the resist mask 26 is removed by full-ashing in an oxygen plasma process.例文帳に追加

次に、レジストマスク２６を酸素プラズマ処理によるフルアッシングにより除去する。 - 特許庁

Then, a process gas for ashing is brought into contact with the resist layer 93 by being expelled through a discharge space 13 at near atmospheric pressure (atmospheric pressure remote plasma ashing process).例文帳に追加

次に、アッシング用処理ガスを、大気圧近傍の放電空間１３に通して吹出し、レジスト層９３に接触させる（大気圧リモートプラズマアッシング工程）。 - 特許庁

In a process S108, plasma ashing for removing etching residues is started.例文帳に追加

工程Ｓ１０８では、エッチング残さを除去するためのプラズマアッシングを開始する。 - 特許庁

To provide a plasma ashing method and a plasma ashing apparatus capable of promptly removing resist residue while preventing fault occurrence due to the resist residue by applying a plasma ashing process to an ion-implanted resist.例文帳に追加

イオン注入されたレジストをプラズマアッシング処理により、レジスト残渣による欠陥発生を抑制しつつ迅速に除去することが可能なプラズマアッシング方法及びプラズマアッシング装置を得る。 - 特許庁

On the other hand, it promotes the growth of the foreign matter so that an ashing process excluding H_2O is provided.例文帳に追加

その反面、異物の成長を促すので、Ｈ_２Ｏを除いたアッシング処理を設ける。 - 特許庁

In order to make the ashing rate constant, the reduction is indirectly monitored on the number of oxygen atoms in the ashing gas inside a process chamber 101, and the ashing gas is fed in volume equivalent to the reduced number of the oxygen atom.例文帳に追加

アッシングレートを一定にするために、プロセスチャンバ１０１内のアッシングガス中の酸素原子の数の減少を間接的にモニタして、減少した酸素原子の数に相当するアッシングガスを供給する。 - 特許庁

The resist processing apparatus and a resist processing method are constituted in such a way that processing is implemented by a first process of ashing chiefly taking oxygen ion and a second process of ashing chiefly taking oxygen radical.例文帳に追加

酸素イオンを主体としたアッシングの第一の工程と酸素ラジカルを主体としたアッシングの第二の工程によって処理を行うレジスト処理装置およびレジスト処理方法。 - 特許庁

To make it possible to decrease the variations in ashing rates in a resist ashing treatment of a batch type in a production process for semiconductor products.例文帳に追加

半導体製品製造工程におけるバッチ式のレジストアッシング処理において、アッシングレートのばらつきを低減させることが可能なアッシング装置を提供する。 - 特許庁

To provide a simple and practical means by which to decrease resist residue and shorten the ashing time in the ashing process for removing photoresist.例文帳に追加

フォトレジストを除去するアッシング工程において、レジスト残渣を低減し、アッシング時間を短縮することのできる簡便かつ実用的な手段を提供する。 - 特許庁

The ashing process step ST4 of removing the resist mask 400 is performed every time the etching process step ST3 is performed and the etching process step ST3 and the ashing process step ST4 are continuously performed without removing the substrate 10b from a chamber with the same treating equipment.例文帳に追加

エッチング工程ＳＴ３を行うたびにレジストマスク４００を除去するアッシング工程ＳＴ４を行うが、エッチング工程ＳＴ３とアッシング工程ＳＴ４については、同一の処理装置で基板１０ｂをチャンバーから出すことなく連続して行う。 - 特許庁

To provide an improved plasma ashing process for removing a photoresist and a postetched residue.例文帳に追加

フォトレジストおよびポスト・エッチ残留物を除去するための改良されたプラズマアッシングプロセスを提供すること。 - 特許庁

By the introduction of high temperature gas, an ashing process of a resist and the removal of the remaining chlorine-based gas are simultaneously performed.例文帳に追加

高温ガスの導入により、レジストのアッシングと残存する塩素系ガスの除去を同時に行う。 - 特許庁

After forming a film 132 including a substance having a high selectivity for a medium used in an ashing process on an interlayer insulation film 121, a dual damascene structure is formed by deforming the film 132 through the ashing process.例文帳に追加

アッシング工程で使われる媒体に対して高い選択性を有する物質を含む膜１３２を層間絶縁膜１２１上に形成した後で、それをアッシング工程で変成させてデュアルダマシン構造を作る。 - 特許庁

Further, a dry-ashing process is performed to reform surfaces of the plating resists 22a, 22b, 23a, 23b with these resists wholly left over thereupon, and an electrolytic copper plating process is performed to form wiring-pattern layers 28a, 29a at the openings of the plating resists 22a, 22b, 23a, 23b.例文帳に追加

この後、電解銅めっきを行ってめっきレジスト２２ａ，２２ｂ，２３ａ，２３ｂの開口部に配線パターン層２８ａ，２９ａを形成する。 - 特許庁

In the resist film ashing process for lower electrode processing in the MIM capacitor, the proportion of the oxygen gas for ashing at the predetermined temperature without a bias is set to the proportion of the oxygen at which the oxidation amount of a first metal film is independent of the ashing time.例文帳に追加

ＭＩＭキャパシタの下部電極加工のレジスト膜アッシング工程において、バイアス無しで所定の温度で行う際の酸素ガスの割合が、第１の金属膜の酸化量がアッシングする時間に依存しない酸素の割合以下に設定する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor device which can reduce contamination of metal generated in the ashing process.例文帳に追加

アッシング工程において発生する金属汚染を低減できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To properly ashing-process resist where a transformed layer is formed by the implantation of high dozed ions with high throughput.例文帳に追加

高ドーズイオンの注入により変質層が形成されたレジストを高スループットにて適切にアッシング処理する。 - 特許庁

To cause less change of quality of an inorganic anti-reflective film even when subjected to a wetting (wet peeling-off) process or a plasma ashing process when it is desired to reprocess the film.例文帳に追加

再工事が必要な場合に、ウェット処理（湿式剥離）や、プラズマアッシング処理を行っても、無機反射防止膜の膜質が変化しにくいようにする - 特許庁

Thus, a via contact of single damascene structure without defects such as the recess can be formed utilizing the ashing process.例文帳に追加

これにより、リセスなどの欠陥のないシングルダマシン構造のビアコンタクトをアッシング工程を活用して容易に形成できる。 - 特許庁

To provide a plasma stripping method, having a high selective ratio and a high processing capacity and a dry ashing process.例文帳に追加

高選択比で、高処理能力を有したプラズマストリッピング処理方法および乾式アッシングプロセスを提供すること。 - 特許庁

When an organic copolymer is used as a solid component, the structure is released from a mold by a conventional ashing process.例文帳に追加

固体成分として有機重合体を使う場合、従来のアッシング・プロセスによって構造を再び離型することが出来る。 - 特許庁

To suppress damage which an ashing process gives to a low dielectric constant film when forming a dual damascene structure on the low dielectric constant film.例文帳に追加

低誘電率膜にデュアルダマシン構造を形成する際に、アッシング工程が低誘電率膜に与えるダメージを抑制する。 - 特許庁

A process for forming the metal film on the carrier surface is provided before a process for attaching the depositing substrate to the carrier after a process for removing by ashing the carbon protective film deposited and adhered to the carrier surface.例文帳に追加

また、キャリア表面に堆積付着したカーボン保護膜をアッシング除去する工程の後、キャリアに成膜用基板を装着する工程の前に、キャリア表面に金属膜を成膜する工程を設ける。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an electro-optic device which is capable of efficiently performing an etching process step and an ashing process step, an electro-optic device and an electronic apparatus.例文帳に追加

エッチング工程およびアッシング工程を効率よく行うことのできる電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器を提供すること。 - 特許庁

This treatment method for paper waste includes: (a) a process of burning paper waste for ashing; (b) a process of heating the ash generated in the process (a) to generate a molten body; and (c) a process of quenching the molten body to form a glass solid matter.例文帳に追加

紙廃棄物の処理方法は、（ａ）紙廃棄物を燃焼させ、灰化する工程と、（ｂ）工程（ａ）で生じた灰を加熱して、溶融体を生じさせる工程と、（ｃ）前記溶融体を急冷し、ガラス固形物とする工程と、を含む。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing film carrier in which a resist pattern is stably formed using a batch type vacuum laminator for adhesion of dry film and a batch type vacuum ashing device for the ashing process and plating failure and adhesion failure in the mounting process are never generated.例文帳に追加

ドライフィルムの貼り合わせにバッチ式の真空ラミネータ装置、アッシングにバッチ式の真空アッシング装置を用いて、レジストのパターンを安定して形成し、まためっき不良や実装時の密着不良を発生させないフィルムキャリアの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an efficient method and apparatus for ashing through a convenient arrangement wherein a stabilized discharge state can be realized under conditions of atmospheric pressure in the ashing step of a semiconductor production process.例文帳に追加

半導体製造工程におけるアッシング工程において、大気圧条件下で安定した放電状態を実現させることができ、簡便な装置でアッシングをすることができる効率的な方法及び装置の提供。 - 特許庁

The method for regenerating the mold for forming optical glass on the formed surface of which a carbon-based film is formed includes: (a) a process for removing the carbon-based film by oxygen-plasma ashing, (b) a process for cleaning the formed surface by argon-plasma ashing, and (c) a process for newly forming a carbon-based film on the cleaned formed surface.例文帳に追加

成形面に炭素系膜が形成された光学ガラス成形用金型の再生方法であって、(a) 前記炭素系膜を酸素プラズマアッシングにより除去する工程と、(b) 前記成形面をアルゴンプラズマアッシングにより洗浄する工程と、(c) 洗浄された成形面に前記炭素系膜を新たに形成する工程を有する方法。 - 特許庁

To provide a plasma process device, a temperature control device, and its control method used in ashing for removing a photoresist or residue.例文帳に追加

フォトレジストや残留物を取り去るアッシング処理に用いるプラズマ処理装置、温度制御装置及びその制御方法を提供すること。 - 特許庁

High rate processing is made possible even for the radical ashing by implementing the second process by raising the temperature of the substrate to be processsed.例文帳に追加

これにより、被処理基板温度を上昇させて第二の工程を行うことでラジカルのアッシングでも高レートの処理を可能とする。 - 特許庁

To provide an oxygen-free hydrogen plasma ashing process that is particularly useful for low-k dielectric materials, based on hydrogenated silicon oxycarbide materials.例文帳に追加

水素化シリコンオキシカーバイド材料に基づく低−ｋ誘電体材料に特に有用な酸素フリーの水素プラズマアッシングプロセスを提供する。 - 特許庁

The removal of the damage layer 7 on the rear surface of the semiconductor substrate 1 and a process for planarizing the inner wall surface of the via hole 9 are continuously performed from the ashing process by the same device.例文帳に追加

次に、半導体基板１の裏面のダメージ層７の除去及び、ビアホール９の内壁面の平坦化工程についても、上記アッシング工程と同一装置で連続的に行う。 - 特許庁

To provide a resist underlayer film material for a multilayer resist process improved in ashing speed after substrate etching, whereby a substrate just beneath a resist underlayer film can be prevented from changing in quality during ashing.例文帳に追加

多層レジストプロセス用のレジスト下層膜材料であって、基板エッチング後に行うアッシングの速度が速く、このため、アッシング中にレジスト下層膜の直下の基板が変質するのを防ぐことのできるレジスト下層膜材料を提供する。 - 特許庁

Then after half-ashing a resist mask 107 formed with bumps, an altered layer removing process is performed for removing an altered layer 108.例文帳に追加

次に、段状に形成されたレジストマスク１０７を途中までアッシングした後、変質層１０８を除去する変質層除去工程を行う。 - 特許庁

The photoresist peeling process includes three processes: a metal wiring exposure process of performing full ashing by using a mixed gas with a fluorocarbon gas containing oxygen and hydrogen; a cleaning process of cleaning by pure water; and an ashing process by a plasma using oxygen.例文帳に追加

塩素ガス又は塩素を含む反応ガスを用いるドライエッチング工程である金属配線形成工程と、ホトレジストを剥離するホトレジスト剥離工程とを有し、このホトレジスト剥離工程は、酸素と水素を含むフッ化炭素との混合ガスを用いフルアッシングする金属配線露出工程と、純水により洗浄する洗浄工程と、酸素を用いるプラズマでアッシングと、の３つの工程からなる。 - 特許庁

The process of ashing the surface of the target material is to remove various reaction products generated in the plasma chamber and sticking on the surface of the target material.例文帳に追加

ターゲット材の表面のアッシング工程は、プラズマチャンバ内で生成され、かつターゲット材の表面に付着した各種反応生成物の除去を目的とする。 - 特許庁

To provide a plasma ashing process for reducing the temperature at an impingement portion i.e., center portion, of a baffle plate, while maintaining or enhancing the photoresist removal rate.例文帳に追加

フォトレジスト除去速度を維持又は増進しながら、バッフルプレートの衝突部分、すなわち、中心部分で、温度を低下させるプラズマアッシング法を提供する。 - 特許庁

To provide a new, useful method of manufacturing electronic device that prevents Si digging defects due to an ashing process after phosphorus ion implantation.例文帳に追加

燐のイオン注入後のアッシング工程に起因するＳｉ掘られ欠陥の発生を抑制する新規で有用な電子デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

To suppress the peel-off of a TiN film from Al alloy wiring in an ashing process when the TiN film is used as an antireflection film.例文帳に追加

反射防止膜としてＴｉＮ膜を用いる場合において、アッシング工程にてＴｉＮ膜がＡｌ合金配線から剥離するのを抑制できるようにする。 - 特許庁

Before a plasma ashing section 12 performs an ashing process, a wafer W is carried in a chemical cleaner section 13 and is subjected to resist-surface reforming treatment applied to softening a hard layer formed on the surface of a resist pattern on the surface of the wafer W with a liquid chemical.例文帳に追加

プラズマアッシング部１２によるアッシング処理に先立って、ウエハは、薬液洗浄部１３に搬入されて、ウエハＷ上のレジストパターンの表面に形成されている硬質層を薬液で軟化するためのレジスト表面改質処理を受ける。 - 特許庁

To protect carbon from separation from the exposed surface of a recess area due to the plasma used for the ashing when such ashing of a resist film at the upper part of a SiOCH film is conducted to a wafer having the SiOCH film to which the recess area is formed by the etching process.例文帳に追加

エッチングによって凹部の形成されたＳｉＯＣＨ膜を有するウェハに対してＳｉＯＣＨ膜の上方のレジスト膜のアッシングを行うにあたり、アッシングに用いられるプラズマによって前記凹部の露出面から炭素を脱離させないこと。 - 特許庁

Organic substances and foreign substances are removed by mounting a plasma ashing apparatus 200, which covers the wafer holder 7 when cleaning and generates a plasma on the exposure system used in the photolithographic process for semiconductor manufacturing, and then by plasma- ashing the wafer holder.例文帳に追加

半導体製造のホトリソグラフィ工程で使用される露光装置に、ウェーハホルダ７のクリーニング時にウェーハホルダを覆ってプラズマを発生させるプラズマアッシング装置２００を装着して、ウェーハホルダをプラズマアッシングすることにより、有機物・異物を除去する。 - 特許庁

The method has: a step in which SiOC films are formed on Si substrates 1 or on foundation films 2 and 3 formed on the Si substrates and containing Si; a step in which an ashing process is carried out to the SiOC films; and a step in which the SiOC films 4' receiving the ashing treatment are removed selectively by a wet process containing F.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上又は前記Ｓｉ基板上に形成されたＳｉを含む下地膜２、３上に、ＳｉＯＣ膜を形成する工程と、前記ＳｉＯＣ膜に、アッシング処理を施す工程と、前記アッシング処理を施したＳｉＯＣ膜４’を、Ｆを含むウエット処理により選択的に除去する工程を備える。 - 特許庁