dry-ashingとは 意味・読み方・使い方

The method may include an ashing stage (B) of cleaning the surface exposed by the dry etching before the stage (A).例文帳に追加

工程（Ａ）の前にドライエッチングにより露出した面の清浄化を行なうアッシング工程（Ｂ）を設けてもよい。 - 特許庁

This method for peeling the resist left on a substrate 5 after dry etching includes a step of dry ashing the resist left on the substrate 5 and a step of wet-peeling the resist left on the substrate 5 after dry ashing with ozone water excited by ultraviolet rays.例文帳に追加

ドライエッチング後に、基板に残留するレジストを除去するレジスト剥離方法において、上記基板５に残留するレジストをドライアッシングする工程と、ドライアッシングによって基板に残留するレジストを紫外線で励起されたオゾン水によってウエット剥離する工程とを具備する。 - 特許庁

To provide a plasma stripping method, having a high selective ratio and a high processing capacity and a dry ashing process.例文帳に追加

高選択比で、高処理能力を有したプラズマストリッピング処理方法および乾式アッシングプロセスを提供すること。 - 特許庁

In a first dry etching step, dry etching is applied to the substrate for the master disk with the upper layer resist 13 as a mask and in a first ashing step, ashing is applied to an area exposed with a weak beam up to the glass substrate 1 with the intermediate layer 12 as a mask.例文帳に追加

第１のドライエッチング工程で、上層レジスト１３をマスクにして原盤用基板をドライエッチングし、第１のアッシング工程で、上記中間層１２をマスクにして弱いビームで露光された領域を硝子基板１までアッシングする。 - 特許庁

After ashing the first organic film 8, the stopper film 3 is dry-etched to form a via hole which reaches a copper interconnection layer 1.例文帳に追加

第１の有機膜８をアッシングした後、ストッパー膜３をドライエッチングして銅配線層１に達するビアホールを形成する。 - 特許庁

The removing solution for ashing residue formed by dry etching and/or ashing on a Cu/low-k multilevel interconnection structure comprises 0.007 to 0.04 mol/kg of acid, a nonmetallic fluoride salt having a concentration ≥20 times as great as that of the acid, and water.例文帳に追加

0.007〜0.04mol/kgの酸、前記酸の２０倍以上の濃度の非金属フッ化物塩および水を含む、ドライエッチング及び／又はアッシングにより生じたCu/low-k多層配線構造のアッシング残渣の剥離液。 - 特許庁

To provide a dry processing device which is small in storage of charge and at the same time fast in reaction speed, and is suitable for etching and ashing treatment, or the like.例文帳に追加

電荷の蓄積が少なくかつ反応速度が速い、エッチング処理やアッシング処理等に適したドライプロセッシング装置を提供する。 - 特許庁

The residue removing liquid of the copper deteriorated layer contains copper oxide damaged by dry etching and/or ashing consisting of monocarboxylic acid and water.例文帳に追加

モノカルボン酸と水からなるドライエッチング及び／又はアッシングによる損傷を受けた、銅酸化物を含む銅変質層の残渣除去液。 - 特許庁