「dry-ashing」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

In a second dry etching step, dry etching is applied to the substrate for the master disk with the lower layer resist 11 as a mask and in a second ashing step, the lower layer resist 11 is removed.例文帳に追加

第２のドライエッチング工程で、下層レジスト１１をマスクにして原盤用基板をドライエッチングし、第２のアッシング工程で、下層レジスト１１を除去する。 - 特許庁

After this, the resist is removed by dry ashing using a plasma or wet processing, using a resist-peeling liquid.例文帳に追加

その後、プラズマを用いたドライアッシングまたはレジスト剥離液を用いたウエット処理により、前記レジストを除去する。 - 特許庁

The method may include an ashing stage (B) of cleaning the surface exposed by the dry etching before the stage (A).例文帳に追加

工程（Ａ）の前にドライエッチングにより露出した面の清浄化を行なうアッシング工程（Ｂ）を設けてもよい。 - 特許庁

This method for peeling the resist left on a substrate 5 after dry etching includes a step of dry ashing the resist left on the substrate 5 and a step of wet-peeling the resist left on the substrate 5 after dry ashing with ozone water excited by ultraviolet rays.例文帳に追加

ドライエッチング後に、基板に残留するレジストを除去するレジスト剥離方法において、上記基板５に残留するレジストをドライアッシングする工程と、ドライアッシングによって基板に残留するレジストを紫外線で励起されたオゾン水によってウエット剥離する工程とを具備する。 - 特許庁

To provide a plasma stripping method, having a high selective ratio and a high processing capacity and a dry ashing process.例文帳に追加

高選択比で、高処理能力を有したプラズマストリッピング処理方法および乾式アッシングプロセスを提供すること。 - 特許庁

In a first dry etching step, dry etching is applied to the substrate for the master disk with the upper layer resist 13 as a mask and in a first ashing step, ashing is applied to an area exposed with a weak beam up to the glass substrate 1 with the intermediate layer 12 as a mask.例文帳に追加

第１のドライエッチング工程で、上層レジスト１３をマスクにして原盤用基板をドライエッチングし、第１のアッシング工程で、上記中間層１２をマスクにして弱いビームで露光された領域を硝子基板１までアッシングする。 - 特許庁

After ashing the first organic film 8, the stopper film 3 is dry-etched to form a via hole which reaches a copper interconnection layer 1.例文帳に追加

第１の有機膜８をアッシングした後、ストッパー膜３をドライエッチングして銅配線層１に達するビアホールを形成する。 - 特許庁

The removing solution for ashing residue formed by dry etching and/or ashing on a Cu/low-k multilevel interconnection structure comprises 0.007 to 0.04 mol/kg of acid, a nonmetallic fluoride salt having a concentration ≥20 times as great as that of the acid, and water.例文帳に追加

0.007〜0.04mol/kgの酸、前記酸の２０倍以上の濃度の非金属フッ化物塩および水を含む、ドライエッチング及び／又はアッシングにより生じたCu/low-k多層配線構造のアッシング残渣の剥離液。 - 特許庁

To provide a dry processing device which is small in storage of charge and at the same time fast in reaction speed, and is suitable for etching and ashing treatment, or the like.例文帳に追加

電荷の蓄積が少なくかつ反応速度が速い、エッチング処理やアッシング処理等に適したドライプロセッシング装置を提供する。 - 特許庁

The residue removing liquid of the copper deteriorated layer contains copper oxide damaged by dry etching and/or ashing consisting of monocarboxylic acid and water.例文帳に追加

モノカルボン酸と水からなるドライエッチング及び／又はアッシングによる損傷を受けた、銅酸化物を含む銅変質層の残渣除去液。 - 特許庁

As a method for projecting the CNT on the surface, polishing is used here, but dry etching, ashing, or processing using chemicals is applicable.例文帳に追加

ＣＮＴを表面に突出させる方法としては、ここでは研磨を用いたが、その他、ドライエッチングやアッシング、薬液による処理でもかまわない。 - 特許庁

Further, a dry-ashing process is performed to reform surfaces of the plating resists 22a, 22b, 23a, 23b with these resists wholly left over thereupon, and an electrolytic copper plating process is performed to form wiring-pattern layers 28a, 29a at the openings of the plating resists 22a, 22b, 23a, 23b.例文帳に追加

この後、電解銅めっきを行ってめっきレジスト２２ａ，２２ｂ，２３ａ，２３ｂの開口部に配線パターン層２８ａ，２９ａを形成する。 - 特許庁

To provide a method for peeling resist by which such a resist not removable completely by dry ashing can be removed surely and efficiently.例文帳に追加

この発明はドライアッシングでは除去しきれないレジストを効率よく確実に除去できるようにしたレジスト剥離方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a remover composition having low corrosion behavior to a wiring layer and superior performance to remove residue formed by dry etching and ashing.例文帳に追加

配線層の腐食性が低く、しかもドライエッチングやアッシングで生成する残留物の除去性がさらに優れた剥離剤組成物を提供する。 - 特許庁

After removing the barrier metal film 106, the organic resin film 103 is removed by dry etching using a halogen gas or by ashing using an oxygen-based gas.例文帳に追加

バリアメタル膜１０６を除去した後、ハロゲン系ガスを用いたドライエッチングまたは酸素系ガスによるアッシングにて有機系樹脂膜１０３を除去する。 - 特許庁

Next, a trench 9a leading to the connection hole 4 is made using dry etching method, and then the polyimide film within the connection hole 4 is removed by ashing.例文帳に追加

次にこのシリコン酸化膜６に、ドライエッチング法を用いて、接続孔４に通じるトレンチ９ａを形成した後、接続孔４内のポリイミド膜５をアッシング除去する。 - 特許庁

To provide an organic substance removing method for removing a hardened resist film generated after dry etching, a BARC film remaining on a lower layer of the resist film, and a residue or the like after dry etching present on a semiconductor substrate without executing ashing treatment.例文帳に追加

半導体基板に存在する、ドライエッチング後に生成する硬化したレジスト膜、その下層に残留するＢＡＲＣ膜、及びドライエッチング残渣等の除去において、アッシング処理を行わずに除去する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing film carrier in which a resist pattern is stably formed using a batch type vacuum laminator for adhesion of dry film and a batch type vacuum ashing device for the ashing process and plating failure and adhesion failure in the mounting process are never generated.例文帳に追加

ドライフィルムの貼り合わせにバッチ式の真空ラミネータ装置、アッシングにバッチ式の真空アッシング装置を用いて、レジストのパターンを安定して形成し、まためっき不良や実装時の密着不良を発生させないフィルムキャリアの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a rinsing solution used particularly for rinsing a substrate after the treatment of residue on ashing with a removing solution in the treatment of the substrate subjected to ashing after dry etching through a photoresist pattern formed on the substrate as a mask and a method for treating a substrate with the rinsing solution.例文帳に追加

特に、基板上に設けたホトレジストパターンをマスクとしてドライエッチング、アッシングが施された基板の処理において、該アッシング後の残渣物を剥離液で処理した後の基板の洗浄（リンス）に用いられるリンス液およびこれを用いた基板の処理方法を提供する。 - 特許庁

Resist 6 is patterned on the NSG film 5, the NSG film 5, the titanium nitride film 4 and the tantalum oxide film 3 are dry-etched by using the resist 6 as a mask, and then the resist 6 is removed by plasma ashing.例文帳に追加

ＮＳＧ膜５上にレジスト６をパターニングし、それをマスクとしてＮＳＧ膜５、チタン窒化膜４、タンタル酸化膜３をドライエッチングし、レジスト６を酸素プラズマアッシングにより除去する。 - 特許庁

Then, a groove is formed on the non-porous insulation film by dry-etching with a resist pattern as a mask, and after the resist pattern is removed by ashing, the surface of the semiconductor substrate is cleaned.例文帳に追加

次に、レジストパターンをマスクとしたドライエッチングにより非多孔質絶縁膜に溝を形成し、アッシングによりレジストパターンを除去した後、半導体基板の表面を洗浄する。 - 特許庁

After first dry etching are carried out on the third insulating film 4 and the second insulating film 3 with the resist film 6 as a mask, the resist film 6 and the anti-reflection film 5 are removed by ashing.例文帳に追加

レジスト膜６をマスクとして、第３の絶縁膜４および第２の絶縁膜３に第１のドライエッチングを行った後、レジスト膜６および反射防止膜５をアッシングにより除去する。 - 特許庁

After removing a deposition film 105 on the sidewall of the recess 104 by ashing, second time dry etching is performed to form a structure including a level difference shape of two steps.例文帳に追加

次に、凹部１０４の側壁に堆積されたデポ膜１０５をアッシングにより除去してから、２回目のドライエッチングを行い、２段の段差形状を含む構造体を形成する。 - 特許庁

To provide a dry distillation gasification incineration method of wastes capable of shortening the time required for ashing the wastes without making the combustion state of a combustion furnace unstable in switching two gasification furnaces.例文帳に追加

２台のガス化炉の切換の際に燃焼炉の燃焼状態を不安定にせず、廃棄物の灰化に要する時間を短縮できる廃棄物の乾留ガス化焼却処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a removing liquid which selectively removes a copper deteriorated layer containing copper oxide and/or copper oxide damaged by dry etching and/or ashing while suppressing the corrosion of copper.例文帳に追加

銅酸化物、及び/又は、ドライエッチング及び/又はアッシングによる損傷を受けた、銅酸化物を含む銅変質層を、銅の腐食を抑制し選択的に除去するための除去液を提供する。 - 特許庁

The surface of the treated object is exposed to the vapor of the treatment liquid introduced in the treatment room, the surface reforming such as the wettability improvement or the surface treatment such as the ashing, the etching or a dry cleaning can be performed.例文帳に追加

被処理物表面は、処理室内に導入された処理液蒸気に曝露され、濡れ性向上などの表面改質、アッシング、エッチング、ドライ洗浄などの表面処理が行われる。 - 特許庁

To provide a post-ashing treatment solution which prevents the corrosion of metallic wiring and reliably removes residue such as a degenerated photoresist film and a metallic deposition from a substrate subjected a ashing after dry etching under severer conditions in an ultrafine patterning process and a treatment method using the solution.例文帳に追加

超微細パターン化プロセスにおけるより過酷な条件のドライエッチング、続いてアッシングが施された基板において、金属配線に対する腐食を防止し、かつホトレジスト変質膜、金属デポジション等の残渣物を確実に除去し得るアッシング後の処理液およびこれを用いた処理方法を提供する。 - 特許庁

To make it possible to remove efficiently only a resist preventing change in properties of a chrome film and etching thereto, when the resist is removed from blanks prior to exposure and those posterior to exposure and development by means of dry ashing using O_2 gas.例文帳に追加

露光前および露光・現像後のブランクスからレジストをＯ_2ガスを用いたドライアッシングにより除去する場合に、クロム膜の変質やエッチングを防ぎつつレジストだけを能率良く除去することを可能にする。 - 特許庁

The polarizing layer can be washed on a substrate 6 with a polarizing layer without using water or a washing solution by removing impurities 42 or residues 40 stuck on the surface altogether with the surface layer region of the polarizing layer by a dry ashing method.例文帳に追加

偏光層付き基板６に対して、ドライアッシング法により偏光層の表層領域ごと表面に付着した不純物４２や残渣４０を取り除くことで、水ないし洗浄液を用いずに偏光層の洗浄を行うことができる。 - 特許庁

A photoresist 17 is coated on the substrate, the photoresist 17 is exposed by a laser beam 15 of an electron beam 21 to record a signal, a pattern is formed by developing the photoresist 17 so as to be dry-etched using the pattern as a mask, and the stamper is manufactured by removing the photoresist 17 by ashing.例文帳に追加

この基板にフォトレジスト１７を塗布し、レーザ光１５または電子ビーム２１で露光して信号を記録し、現像してパターンを形成し、このパターンをマスクにしてドライエッチングを行い、アッシングによりフォトレジスト１７を除去してスタンパを作製する。 - 特許庁

To provide a resist stripper composition by which a resist residue left after dry etching and ashing treatment in the wiring steps of semiconductor devices such as an IC, an LSI and liquid crystal panel elements is completely removed at low temperature and in a short period of time, and corrosion of a material is reduced.例文帳に追加

ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子や液晶パネル素子の配線工程におけるドライエッチングやアッシング後に残存するレジスト残渣物を、低温、短時間で完全に除去でき、且つ材質の腐蝕の少ないレジスト用剥離液組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a resist stripping solution composition capable of thoroughly removing resist residue which remains after dry etching or ashing in a step for wiring a semiconductor device such as IC or LSI or a liquid crystal panel element at a low temperature in a short period of time and less liable to affect a low dielectric constant film.例文帳に追加

ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子や液晶パネル素子の配線工程におけるドライエッチング、アッシング後に残存するレジスト残渣を低温、短時間で完全に除去でき、低誘電率膜への影響の少ないレジスト用剥離液組成物を提供する。 - 特許庁

After first-layer wiring L1 having a conductor film 16d using aluminum as a main constituent is subjected to patterning by a dry etching method, a sidewall protection film 18 of the machining sidewall and a photoresist pattern 17a used as an etching mask are removed by plasma ashing treatment.例文帳に追加

アルミニウムを主成分とする導体膜１６ｄを有する第１層配線Ｌ１をドライエッチング法によってパターニングした後、その加工側壁の側壁保護膜１８およびエッチングマスクとして使用したフォトレジストパターン１７ａをプラズマアッシング処理によって除去する。 - 特許庁

To provide a fabrication method by which a fine wiring structure is formable without using dry etching or ashing process of a wiring trench for a multiple layer fine wiring in a semiconductor device, at the same time the simplification of wiring process, the improvement of wiring reliability, and cost reduction are achieved.例文帳に追加

半導体装置における微細な多層配線において、配線溝のドライエッチングやアッシングプロセスを用いることなく、微細な配線構造の形成が可能であって、配線工程の簡略化、配線信頼性向上、低コスト化を同時に達成する製造方法を提供する。 - 特許庁

In a cleaning process being performed later than a process for forming a ferroelectric thin film 110 becoming a part of a ferroelectric thin film capacitor, dry cleaning, e.g. ashing, Ar aerosol cleaning, CO_2 cleaning, cleaning with CO_2 in a supercritical state, or UV cleaning, is employed.例文帳に追加

強誘電体薄膜キャパシタの一部となる強誘電体薄膜１１０を形成する工程よりも後に行なわれる洗浄工程において、アッシング、Ａｒエアロゾル洗浄、ＣＯ_2 洗浄、超臨界状態のＣＯ_2 による洗浄又はＵＶ洗浄等のドライ洗浄を用いる。 - 特許庁

To provide a wiring structure of simple wiring process, for improving wiring reliability, and realizing cost reduction, where a minute wiring structure is formed without the use of dry-etching or ashing process with a wiring groove, related to a fine multilayer interconnection of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置における微細な多層配線において、配線溝のドライエッチングやアッシングプロセスを用いることなく、微細な配線構造の形成が可能であって、配線工程の簡略化、配線信頼性向上、低コスト化を同時に達成する配線構造を提供する。 - 特許庁

In a cleaning process being performed later than a process for forming a ferroelectric thin film 110 becoming a part of a ferroelectric thin film capacitor, dry cleaning, e.g. ashing, Ar aerosol cleaning, CO_2 cleaning, cleaning with CO_2 in supercritical state, or UV cleaning, is employed.例文帳に追加

強誘電体薄膜キャパシタの一部となる強誘電体薄膜１１０を形成する工程よりも後に行なわれる洗浄工程において、アッシング、Ａｒエアロゾル洗浄、ＣＯ_2 洗浄、超臨界状態のＣＯ_2 による洗浄又はＵＶ洗浄等のドライ洗浄を用いる。 - 特許庁

To provide semiconductor substrate cleaning solution capable of surely removing residues existing on a semiconductor substrate after dry etching and/or ashing at semiconductor production, and suppressing corrosion on a semiconductor substrate having a Low-k film deterioration layer, and the like, and to provide a semiconductor substrate cleaning method that uses the solution.例文帳に追加

半導体製造におけるドライエッチング及び／又はアッシング後の半導体基板に存在する残渣を確実に除去できると共に、Ｌｏｗ−ｋ膜変質層等を有する半導体基板に対する腐食を抑制することができる半導体基板洗浄液、及びそれを用いた半導体基板の洗浄方法を提供する。 - 特許庁

To provide a resist stripping liquid composition with which a resist residue remaining after dry etching or ashing in a wiring step of a semiconductor device such as an IC and an LSI or a liquid crystal panel device can be completely removed at a low temperature in a short time and influences with time are less such as increase in corrosion in an oxide film or a metal wiring material.例文帳に追加

ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子や液晶パネル素子の配線工程におけるドライエッチング、アッシング後に残存するレジスト残渣を低温、短時間で完全に除去でき、酸化膜や金属配線材料への腐食増大などの経時変化による影響の少ないレジスト剥離組成物を提供すること。 - 特許庁

Thereafter, after the photoresist residue 14 adhered to the bottom of the opening 12 of the photoresist pattern1 1a is removed by a light ashing process, a through hole is bored through the insulating film 7b by a dry etching process using an etching gas, etc. containing C_5F_8, O_2 and Ar gas with the photoresist pattern 11a used as an etching mask.例文帳に追加

その後、フォトレジストパターン１１ａの開口部１２の底に付着したフォトレジスト残渣１４を軽いアッシング処理により除去した後、フォトレジストパターン１１ａをエッチングマスクとして、Ｃ_５Ｆ_８、Ｏ_２およびＡｒガスを有するエッチングガス等を用いたドライエッチング処理により絶縁膜７ｂにスルーホールを穿孔する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor device by which the influence of damages given to a low-k film by a dry etching plasma used for forming via holes or wiring grooves or ashing performed for peeling a photoresist can be eliminated at the time of forming metallic wiring of Cu, etc., by burying the wiring in the low-k film.例文帳に追加

Ｌｏｗ−ｋ膜にＣｕなどの金属配線を埋め込み形成する際に、ビアホールや配線溝を形成するためのドライエッチング用プラズマあるいはフォトレジストを剥離するためのアッシングによって受けるＬｏｗ−ｋ膜に対するダメージの影響をなくした半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A resist pattern formation method forms a resist pattern 2, forms a protection film 3 for protecting the resist from ozone ashing on the resist pattern, irradiates the resist pattern with electron beam 4 via the protection film in an atmosphere in which oxygen exists like in the air, and then forms the resist pattern where dry etching resistance is improved by removing the protection film.例文帳に追加

レジストパターン２を形成した後に、前記レジストパターンの上に、オゾンアッシングからレジストを保護する保護膜３を形成し、次に、大気中のように、酸素が存在する雰囲気中において、前記保護膜を介して前記レジストパターンに電子線４を照射し、その後、前記保護膜を除去してドライエッチング耐性が向上した前記レジストパターンを形成する。 - 特許庁

This residual liquid for removing the residue existing on the semiconductor substrate after dry etching and/or ashing does not contain a fluorine compound, and contains at least one kind of a neutral organic compound having two or more oxygen atoms which can be coordinated to copper and/or mono alcohol with C4 or more and water, or contains perchlorate and water.例文帳に追加

ドライエッチング及び／又はアッシング後の半導体基板に存在する残渣の除去液であって、フッ素化合物を含まず、銅に配位し得る２以上の酸素原子を有する中性有機化合物及び／又はＣ４以上のモノアルコールのうち少なくとも１種と、水とを含むことを特徴とする残渣除去液、或いは、過塩素酸塩と水とを含むことを特徴とする残渣除去液に関する。 - 特許庁