「boron diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

To enhance reliability on a gate insulating film by preventing the diffusion of hydrogen to the gate insulating film, too, in making the gate insulating film the stack type of a silicon oxide film and a silicon nitride film so as to prevent boron atoms from diffusing to a silicon semiconductor substrate.例文帳に追加

ゲート絶縁膜を通してボロン原子がシリコン半導体基板へ拡散することを防止するために、ゲート絶縁膜をシリコン酸化膜と窒化シリコン膜の積層型とする場合に、水素のゲート絶縁膜への拡散も防止し、ゲート絶縁膜の信頼性を向上させる。 - 特許庁

This gas diffusion layer is filled with a conductive agent including boron denaturation carbon black in a fiber porous base material and only having one peak in an Log differential pore volume distribution graph measured by a mercury intrusion method and that peak exists within a range of a pore diameters of 0.01 to 1 μm.例文帳に追加

本発明のガス拡散層は、繊維多孔質基材にホウ素変性カーボンブラックを含む導電剤が充填されているガス拡散層であり、水銀圧入法により測定したＬｏｇ微分細孔容積分布グラフにおいて、ピークを１つだけ有し、そのピークが細孔直径０．０１〜１μｍの範囲に存在する。 - 特許庁

An n-conductivity-type first transistor Q1 formed in a memory region RM on a silicon substrate 1 has: a memory channel region CH1 containing boron; and n-type memory extension regions ET1 and diffusion preventing regions PA1 containing oxygen which are formed below both side walls of a memory gate electrode GE1.例文帳に追加

シリコン基板１上のメモリ領域ＲＭに形成された、ｎ型導電型である第１トランジスタＱ１は、ホウ素を含むメモリ用チャネル領域ＣＨ１と、メモリ用ゲート電極ＧＥ１の両側壁側下に形成された、ｎ型のメモリ用エクステンション領域ＥＴ１および酸素を含む拡散防止領域ＰＡ１とを有している。 - 特許庁

Thus, the semiconductor region 8 containing nitrogen ions disposed between the element separation portion and the semiconductor substrate 1 can prevent diffusion of impurities (particularly, boron constituting the p-type well) constituting the wells and thus can prevent reduction in the impurities concentration in the vicinity of the element separation portion, thereby ensuring pressure resistance at the element separation portion.例文帳に追加

このように素子分離と半導体基板１との境界に窒素イオンを含有する半導体領域８を設けたので、ウエルを構成する不純物（特に、ｐ型ウエルを構成するホウ素）の拡散を防止し、素子分離近傍の不純物濃度の低下を防止することができ、分離耐圧を確保することができる。 - 特許庁

This device has an opening 32 formed on an underlying substrate 10, an insulating barrier layer 34 for prevention of Cu diffusion, and an electrically conductive layer 36 comprising a Cu layer formed inside the opening 32, wherein the insulating barrier layer 34 is either of a silicon base insulating layer containing carbon and fluorine, an organic film, or a C-axis-oriented BN(boron nitride) film.例文帳に追加

下地基板１０上に形成され、開口部３２を有し、Ｃｕの拡散を防止するバリア絶縁層３４と、開口部３２内に形成されたＣｕ層より成る導電層３６とを有し、バリア絶縁層３４は、炭素とフッ素とを含むシリコン系絶縁層、有機膜、又はＣ軸方向に配向されたＢＮ膜のいずれかである。 - 特許庁