「boron diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for preventing diffusion of boron between a first region and a second region adjoining to the first region of a semiconductor component element containing boron as the dopant, when the semiconductor component element is formed.例文帳に追加

半導体構成要素の製造時に、ドーパントとしてホウ素を含む半導体構成要素の第１の領域と該第１の領域に隣接する構成要素の第２の領域の間でのホウ素の拡散を防止する方法の提供。 - 特許庁

In the method of manufacturing a diffusion wafer where boron ions are implanted into a principal plane of a silicon single-crystal wafer, and then drive-in oxidation is conducted on the principal plane to diffuse the boron ions into the silicon single-crystal wafer, the drive-in oxidation is conducted for 40 or longer hours, immediately after the ion implantation of boron, and then a resistance value is measured.例文帳に追加

シリコン単結晶ウェーハの主面にボロンをイオン注入し、続いてドライブイン酸化を施してボロンをシリコン単結晶ウェーハに拡散する拡散ウェーハの製造方法において、ボロンをイオン注入した直後から４０時間以上経過後にドライブイン酸化を施し、その後に抵抗値を測定する。 - 特許庁

An insulating film composed of the silicon oxide film 111 and the silicon nitride film 112 is used as a mask, and an epitaxial layer 115 having doped boron is formed in a portion where the trench 114 is formed by a selective epitaxial growth, and simultaneously, boron is diffused through the epitaxial layer 115 to obtain a boron diffusion layer 116.例文帳に追加

シリコン酸化膜１１１およびシリコン窒化膜１１２からなる絶縁膜をマスクにして、選択エピタキシャル成長により、トレンチ１１４を形成した部分に、ボロンをドープしたエピタキシャル層１１５を形成すると同時に、エピタキシャル層１１５を通じてボロンを拡散させてボロン拡散層１１６を得る。 - 特許庁

To reduce damage to an Si substrate by uniforming thermal diffusion of boron during boron doping in a vertical furnace and to realize formation of an insulating film with high insulation withstand pressure on a surface of the Si substrate, when an ink-jet head is formed with use of anisotropic etching and a high-density boron etching stop to the Si substrate.例文帳に追加

Ｓｉ基板の異方性エッチングおよび高濃度ボロンエッチングストップを利用して形成されるインクジェットヘッドにおいて、縦型炉にてボロンドープを行う場合、ボロンの熱拡散を均一することでＳｉ基板へのダメージを軽減し、Ｓｉ基板表面に高絶縁耐圧の絶縁膜を形成することを可能とする。 - 特許庁

The graphite-hexagonal boron nitride composite sintered compact is formed by integrating a graphite sintered compact and a hexagonal boron nitride sintered compact having 1.0-1.9 g/cm^3 density, ≤0.5 mass% oxygen content and ≥5 MPa bending strength with a diffusion layer of the graphite and the hexagonal boron nitride interposed.例文帳に追加

具体的には、黒鉛焼結体と、密度が１．０〜１．９g／ｃｍ^3、酸素含有量が０．５質量％以下で、且つ曲げ強度が５Ｍｐａ以上を有する六方晶窒化ほう素焼結体とを、該黒鉛及び該六方晶窒化ほう素の拡散層を介在させ、一体化してなる黒鉛—六方晶窒化ほう素複合焼結体である。 - 特許庁

In the horizontal direction of the semiconductor substrate 11, the source diffusion later 17A and the drain diffusion layer 17B are not expanded in the transverse direction, and in the depth direction, a boron concentration near each boundary between the silicide layer 21A and the source diffusion layer 17A and between the silicide layer 21B and the drain diffusion layer 17B become larger than that near the surface of the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

半導体基板１１の水平方向には、ソース拡散層１７Ａおよびドレイン拡散層１７Ｂが横方向に拡がらず、深さ方向には、シリサイド層２１Ａとソース拡散層１７Ａ、シリサイド層２１Ｂとドレイン拡散層１７Ｂのそれぞれの境界付近のボロンの濃度が半導体基板１１の表面付近の濃度より大きくなる。 - 特許庁

The oxide film 46 becomes a nitride oxide film, which suppresses the deterioration of transistor characteristics caused by the diffusion of impurities, such as boron, etc., from a gate electrode 48 into the silicon region 42.例文帳に追加

この酸化膜４６は窒化酸化膜となり、ボロンなどの不純物がゲート電極４８からシリコン領域４２に拡散してトランジスタ特性を劣化させることを抑制する。 - 特許庁

In a region 15C to form a pn-junction therein, a resist 9B is formed on a p-type diffusion region 8D into which B (boron) ions of a first dosing amount are implanted.例文帳に追加

ｐｎ接合が形成される領域１５Ｃにおいて、第１のドーズ量のＢ（ボロン）がイオン注入されたｐ型拡散領域８Ｄ上にレジスト９Ｂが形成される。 - 特許庁

Further, after a resist pattern 21 that covers an NMIS region has been formed and the polysilicon germanium film 18 in the PMIS region has been implanted with boron ions, heat treatment for diffusion is conducted.例文帳に追加

ＮＭＩＳ領域を覆うレジストパターン２１を形成した後、ＰＭＩＳ領域のポリシリコンゲルマニウム膜１８にボロンイオンを注入した後、拡散用の熱処理を行う。 - 特許庁

Si substrates 41 placed facing each other in the vertical direction of a diffusion source 51 of a solid principally comprising B2O3 is thermally diffused with high density boron in a vertical furnace.例文帳に追加

縦型炉によってB_2O_3を主成分とする固体の拡散源５１の上下方向に対向して配置したＳｉ基板４１へ高濃度のボロンを熱拡散させる。 - 特許庁

In such a constitution, the outer diffusion of boron from the substrate region of MOSFET to the STI structured buried-in oxide films 34 is suppressed, thereby making feasible of obviating the kink defect due to the decline in the threshold value by the decrease in the boron concentration in the MOSFET substrate region.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴの基板領域からＳＴＩ構造の埋め込み酸化膜３４中へのボロンの外方拡散が抑制され、ＭＯＳＦＥＴの基板領域のボロン濃度の低下によるしきい値電圧の低下に起因するキンク特性を抑えることができる。 - 特許庁

The die becomes more easily releasable caused by a good lubricity of the amorphous boron nitride, is enhanced in mechanical strength of the shaping face caused by an extremely high hardness of the cubic lattice boron nitride particle, and the ultra-hard coating film can inhibit diffusion of the metal element of the die base.例文帳に追加

金型は、非晶質窒化ホウ素の良好な潤滑性により離型し易くなり、立方格子窒化ホウ素粒子の極高の硬度により成形面の機械強度が増加し、また、該超硬被膜は金型ベースの金属元素の拡散を防止することができる。 - 特許庁

A liquefied impurity source 3, composed of a mixture of aluminum, boron, and an organic solvent, is coated on the silicon oxide film 2, and this is heated at temperatures lower than the diffusion temperatures of aluminum, and the organic solvent is evaporated to form a layer containing aluminum and boron.例文帳に追加

シリコン酸化膜２の上にアルミニウムとホウ素と有機溶剤との混合物から成る液状不純物源３を塗布し、これをアルミニウムの拡散温度よりも低い温度で加熱して有機溶剤を蒸発させてアルミニウムとホウ素を含む層を形成する。 - 特許庁

To dope with high precision impurities such as carbon when a silicon/ germanium mixed crystal film is grown to effectively suppress diffusion of impurities such as boron.例文帳に追加

シリコン−ゲルマニウム混晶膜を成長させる際に、所望の領域に炭素等の不純物を高精度にドープし、ボロン等の不純物が拡散するのを効果的に抑制できるようにする。 - 特許庁

The ferroelectric storage element having the structure covering at least a part of the ferroelectric thin film (4) and further covering an interlayer insulation film of BPSG(boron phosphorous silicate glass) small in the diffusion coefficient of hydrogen is provided by the lamination of Ti (9), the oxidation films (8) and (8').例文帳に追加

また、水素を吸蔵するＴｉ（９）と酸化膜（８）および（８’）の積層で強誘電体薄膜（４）の少なくとも一部を覆い、さらに水素の拡散係数が小さいＢＰＳＧ（boron phosphorus silicate glass）（１２）の層間絶縁膜で覆う構造を有する強誘電体記憶素子を提供する。 - 特許庁

A low-temperature long-time heat treatment which is the first heat treatment for activating the impurity implanted into gate electrodes 20, 21 is performed so that boron diffusion occurs along crystal grain boundaries though boron is scarcely diffused into polysilicon crystal grains.例文帳に追加

ゲート電極２０，２１に注入された不純物の活性化のための第１の熱処理として、ポリシリコンの各結晶粒内へのボロンの拡散はほとんど生じることがなく、かつ、結晶粒界におけるボロンの拡散が生じるような低温長時間の熱処理を行なう。 - 特許庁

In this manufacturing method, a liquid impurity material source 2 composed of mixed material of aluminum, boron and organic solvent is spread on the surface of an N-type semiconductor substrate 1 and heated at a temperature lower than the diffusion temperature of aluminum, the organic solvent is vaporized, and a layer containing aluminum and boron is formed.例文帳に追加

アルミニウムとホウ素と有機溶剤との混合物から成る液状不純物源２をＮ形半導体基板１の表面に塗布し、これをアルミニウムの拡散温度よりも低い温度で加熱して有機溶剤を蒸発させてアルミニウムとホウ素を含む層を形成する。 - 特許庁

For an epitaxial wafer in which boron concentration in an epitaxial layer is ≤1/100 of boron concentration in a wafer substrate, a minority carrier diffusion length measuring method for forming an oxide film of 10-100nm thickness on the surface of the epitaxial layer of 1-20μm thickness and then measuring the diffusion length of minority carriers by using a surface light voltage method is used.例文帳に追加

エピタキシャル層中のホウ素濃度が、ウエハ基板中のホウ素濃度の１／１００以下であるエピタキシャルウエハにおいて、厚さが１〜２０μｍである前記エピタキシャル層表面に、厚さ１０〜１００ｎｍの酸化膜を形成した後、表面光電圧法を用いて、少数キャリア拡散長を測定することを特徴とするエピタキシャルウエハの少数キャリア拡散長の測定方法を用いる。 - 特許庁

Thereby, the enhanced diffusion of the boron can be prevented, and the occurrence of a short channel effect of a miniaturized semiconductor element can be suppressed by allowing the halo region 306 to be formed with high precision.例文帳に追加

これにより、ホウ素が増速拡散することを防ぎ、ハロー領域３０６を高い精度で形成することを可能とすることで、微細化された半導体素子の短チャネル効果の発生を抑制する。 - 特許庁

Boron and phosphorus are injected into the drain diffusion region 20a of a PMOS transistor 20 with pouring rates of 3×1015/cm2 and 3×1014 to 1.5×1015/cm2 respectively.例文帳に追加

ＰＭＯＳトランジスタ２０のドレイン拡散領域２０ａには、ホウ素が３×１０^15個／ｃｍ^2の注入量で、及びリンが３×１０^14〜１．５×１０^15個／ｃｍ^2の注入量で注入されている。 - 特許庁

A boron concentration in the diffusion layer (12) is set to be 1×10^17 to 1×10^20 atoms/cm^3, and a film thickness thereof is set to be 0.1 to 10 μm.例文帳に追加

拡散層（１２）中のボロン濃度は１×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上１×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、また、その膜厚は０．１μｍ以上１０μｍ以下となるようにする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which improves reverse short channel effect by terminating Frenkel crystal defects formed during impurity ion implantation, and suppressing enhanced diffusion of boron.例文帳に追加

不純物イオン注入時に形成されたフレンケル型結晶欠陥を終端させ、ボロンの増速拡散を抑制することで、逆短チャンネル効果を改善した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Phosphorus and boron are injected into the drain diffusion region 22a of an NMOS transistor 22 with pouring rates of 6×1015/cm2 and 6×1014 to 3×1015/cm2 respectively.例文帳に追加

ＮＭＯＳトランジスタ２２のドレイン拡散領域２２ａには、リンが６×１０^15個／ｃｍ^2の注入量で、及びホウ素が６×１０^14〜３×１０^15個／ｃｍ^2の注入量で注入されている。 - 特許庁

To inhibit a ceramics member from being contaminated by diffusion of boron from a graphite member of a high-temperature furnace during high-temperature heat treatment while suppressing effects on an environment by a simple method and simple equipment.例文帳に追加

簡単な方法及び設備により環境への影響を抑えながら、高温熱処理時に高温炉の黒鉛部材からのボロンの拡散によってセラミックス部材が汚染されることを抑制する。 - 特許庁

To provide a PN junction interface that prevents enhanced diffusion caused by an uneven stress during high temperature annealing for recovering from implantation damage after boron ion implantation into a wafer and achieves a superior flatness.例文帳に追加

ウェーハへのボロンのイオン注入後における、注入損傷回復の高温アニールにおいて、応力の不均一から生ずる増速拡散を防止し、平坦性の良いＰＮ接合界面の提供。 - 特許庁

Silicon substrates 1 are arranged by 300sl, and boron additive silicon powder 2, aluminum fluoride 3 and non-doped silicon powder 4 of diffusion sources are arranged at both sides, and arranged between the substrates at 100sl intervals.例文帳に追加

シリコン基板１を３００ｓｌ並べ、その両側に拡散源となるボロン添加シリコン粉末２、弗化アルミニウム３、ノンドープシリコン粉末４を配置し、さらに基板間にも１００ｓｌ間隔で配置する。 - 特許庁

A surface diffusion process is applied to the article (1) to enrich the at least one grain boundary with grain boundary strengthening elements of one or a combination of boron, hafnium, zirconium without forming brittle precipitates.例文帳に追加

物品（１）に表面拡散法を適用し、ホウ素、ハフニウム、ジルコニウムの１種または組み合わせからなる粒界強化元素で少なくとも１個の粒界が富化され、脆弱な沈積物が形成されない。 - 特許庁

To provide a semiconductor device operative at high speeds by using as an insulating film of a Cu wiring structure of a material contg. boron nitride, having a Cu diffusion blocking function as a main component.例文帳に追加

銅の拡散防止機能を有する窒化ホウ素を主成分とする材料を銅配線構造の絶縁膜として使用することにより、高速動作可能な半導体装置を提供することである。 - 特許庁

To form a deep diffusion layer such as a field stop layer using phosphorous and boron used in a normal silicon process as a dopant, and to form a trench gate structure having a satisfactory characteristic.例文帳に追加

通常のシリコンプロセスで用いられるリンやボロンをドーパントとして用いてフィールドストップ層などの深い拡散層を形成するとともに、良好な特性を有するトレンチゲート構造を形成すること。 - 特許庁

Boron ion 5 is implanted selectively to a region for isolation region formation via a thermal silicon oxide film on a P-type semiconductor substrate 1, boron 6 is added to an epitaxial layer 2, a silicon oxide film 10 of a low temperature is formed on the semiconductor substrate 1, and an isolation region 8 is formed by drive-in diffusion.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１上の熱シリコン酸化膜を介して分離領域形成用の領域に選択的にボロンイオン５を注入しエピタキシャル層２にボロン６を添加し、半導体基板１上に低温のシリコン酸化膜１０を形成し、ドライブイン拡散をして分離領域８を形成する。 - 特許庁

As for the manufacturing method, a composite is constituted which is composed of laminating a boron (B) layer so as to contact a magnesium (Mg)-lithium (Li) alloy layer, and after processing this to a wire shape or a tape shape, the magnesium boride (MgB_2) superconducting layer is formed by heat-treating this at a diffusion reaction temperature of magnesium (Mg) and boron (B).例文帳に追加

製造方法は、マグネシウム（Ｍｇ）−リチウム（Ｌｉ）合金層と接触する形でボロン（Ｂ）層を積層してなる複合体を構成し、これを線状あるいはテープ状に加工した後、マグネシウム（Ｍｇ）とボロン（Ｂ）の拡散反応温度で熱処理することによって二硼化マグネシウム（ＭｇＢ２）超伝導層を生成させる。 - 特許庁

The surface of an N-type semiconductor wafer 1 is coated with a liquid-state impurity source 2 composed of the mixture of an aluminum compound, boron compound, organic polymer material and organic solvent and heated at a temperature lower than the diffusion temperature of aluminum, and the organic solvent is evaporated so that a layer containing aluminum and boron can be formed.例文帳に追加

アルミニウム化合物とホウ素化合物と有機高分子物質と有機溶剤との混合物から成る液状不純物源２をＮ型半導体基板１の表面に塗布し、これをアルミニウムの拡散温度よりも低い温度で加熱して有機溶剤を蒸発させてアルミニウムとホウ素を含む層を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a diffusion wafer, fabricated by implanting and diffusing boron ions into a silicon single crystalline wafer, where a measured resistance value is stable, showing only little variation.例文帳に追加

シリコン単結晶ウェーハにボロンをイオン注入・拡散して製造される拡散ウェーハの製造方法において、抵抗値が、ばらつきの小さい安定した測定結果となる拡散ウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

In a silicon-based power semiconductor device having a super junction structure where an N-type column and a P-type column are repeated alternately, an element having a boron diffusion-suppressing effect is added to the P-type column.例文帳に追加

本願発明は、Ｎ型カラムとＰ型カラムが交互に繰り返されるスーパジャンクション構造を有するシリコン系パワー半導体装置において、前記Ｐ型カラムには、ボロン拡散抑制効果を有する元素が添加されている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silicon carbide semiconductor element, capable of maintaining an ion implanted impurity profile, by preventing external or internal diffusion of the ion implanted impurities or particularly a boron (B) at a high-temperature annealing time.例文帳に追加

イオン注入された不純物、特にほう素（Ｂ）の高温アニール時の外方、内方への拡散を防止し、注入された不純物プロフィルを維持できる炭化けい素半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

An insulated gate type semiconductor device having a trench gate forms a dummy trench by nearing to a trench gate, diffuses boron or the like from the bottom part, and forms a P+ diffusion region 112 so as to include the deepest part of the trench gate.例文帳に追加

トレンチゲートを有する絶縁ゲート型半導体装置において、トレンチゲートに近接してダミートレンチを形成し、その底部よりボロン等を拡散し、トレンチゲートの最深部を含むようにＰ＋拡散領域１１２ を形成した。 - 特許庁

To prevent diffusion of boron frame a p-type polysilicon film and penetration through a gate oxide film and to stabilize the characteristics of a P-channel MOS transistor, when polysilicon film is contained in the gate electrode of the P-channel MOS transistor and the polysilicon film coexists with a silicon nitride film.例文帳に追加

ＰＭＯＳのゲート電極７にｐ型ポリシリコン膜５が含まれ、かつ窒化シリコン膜１３と共存する場合に、該ｐ型ポリシリコン膜５からのホウ素の拡散やゲート酸化膜４の突抜けを防止し、ＰＭＯＳ特性を安定化させる。 - 特許庁

The area of a region in which boron is diffused is limited in the area of the p^+-type buried diffusion layer because the opening section corresponding to the scribing line is not formed, and the area of the region is made largely smaller than the case when the opening section corresponding to the scribing line is formed.例文帳に追加

スクライブラインに対応する開口部を形成しないことで、ボロンを拡散する領域の面積がＰ^＋型埋め込み拡散層の面積に限られ、スクライブラインに対応する開口部を形成した場合に比べて大幅に削減される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method for eliminating the hardness of gate working due to the employment of an embedded type element isolation insulation film while restraining the fluctuation of characteristics due to the mutual diffusion of conductive impurities or the penetration of boron.例文帳に追加

導電性不純物の相互拡散や、ホウ素の突き抜けによる特性の変動を抑制しつつ、埋め込み型の素子分離絶縁膜を採用することによるゲート加工の困難性を解消することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Infrared ray emitted from an external infrared light source is transmitted by the Pyrex cap, absorbed by a boron diffusion layer 3 formed on a surface of the capillary group 2, and converted to heat to form the temperature gradient between the irradiated surface and the reverse side of the capillary group 2.例文帳に追加

外部の赤外光源から照射された赤外光７は、パイレックスガラス製キャップを透過し、キャピラリ群２の表面に形成されたボロン拡散層３に吸収され、熱に変換され、キャピラリ群２の光照射面と裏側の間に温度勾配が形成される。 - 特許庁

To provide a method for forming a silicon nitride oxide film which can stably form a thin silicon nitride oxide film having excellent characteristics, and can reliably suppress diffusion of boron atoms during formation of a gate electrode of a P type semiconductor element.例文帳に追加

優れた特性を有する薄いシリコン窒化酸化膜を安定して形成することができ、しかも、ｐ形半導体素子のゲート電極形成におけるボロン原子の拡散を確実に抑制することを可能にするシリコン窒化酸化膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

To solve the problem that a process for decreasing a leak current caused by an influence of defect in an implantation of a fluorine ion is required for a p-channel MOS transistor which suppresses diffusion of a boron ion to channel regions in a lateral direction by the fluorine ion to prevent an occurrence of a short channel effect.例文帳に追加

フッ素イオンによりボロンイオンのチャネル領域への横方向拡散を抑制して短チャネル効果の発生を防止するｐチャネル型ＭＯＳトランジスタには、フッ素イオン注入時の欠陥による影響起因のるリーク電流を減らすプロセスが必要となっている。 - 特許庁

Two kinds of p-type impurities of boron having higher solid solubility with respect to silicon, and indium having lower solid solubility with respect to silicon, are diffused into a body region 10 while the ratio of concentration of indium in a site near the source diffusion layer 12a of the body region 10 is specified so as to be higher than that in the other sites.例文帳に追加

シリコンに対する固溶限度のより高いボロンとより低いインジウムとの２つのＰ型不純物をボディ領域１０に拡散するとともに、そのボディ領域１０のソース拡散層１２ａ近傍の部位におけるインジウムの濃度比を該ボディ領域１０の他の部位に比して高くする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a low breakdown voltage transistor having a stable characteristic without diffusion of boron in a polycrystalline silicon film which becomes a gate electrode to a semiconductor substrate and a high breakdown voltage transistor, having a gate insulting film whose film thickness is controlled on the same substrate.例文帳に追加

ゲート電極となる多結晶シリコン膜中のボロンの半導体基板中への拡散がなく安定な特性を有する低耐圧トランジスタと、膜厚制御されたゲート絶縁膜を有する高耐圧トランジスタを同一基板上に持つ半導体装置を提供する。 - 特許庁

A nitride-based compound semiconductor including nitrogen atoms and group III atoms that include at least gallium atoms selected from aluminum atoms, gallium atoms, indium atoms, and boron atoms comprises a diffusion-promoting material for diffusing interstitial atoms of the group III atoms as an additive.例文帳に追加

アルミニウム原子、ガリウム原子、インジウム原子およびボロン原子から選択される、少なくともガリウム原子を含むＩＩＩ族原子と、窒素原子とを含む窒化物系化合物半導体であって、前記ＩＩＩ族原子の格子間原子を拡散させる拡散促進物質を添加物としてドープしたものである。 - 特許庁