| 意味 | 例文 |
breakdown-voltageの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2614件
HIGH BREAKDOWN VOLTAGE SCHOTTKY DIODE例文帳に追加
高耐圧ショットキーダイオード - 特許庁
HIGH BREAKDOWN VOLTAGE HIGH SPEED DIODE例文帳に追加
高耐圧高速ダイオード - 特許庁
LATERAL HIGH BREAKDOWN VOLTAGE TRANSISTOR例文帳に追加
横型高耐圧トランジスタ - 特許庁
HIGH BREAKDOWN VOLTAGE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
高耐圧半導体装置 - 特許庁
HIGH BREAKDOWN-VOLTAGE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
高耐電圧半導体装置 - 特許庁
BREAKDOWN VOLTAGE INPUT BUFFER CIRCUIT例文帳に追加
耐圧入力バッファ回路 - 特許庁
HIGH BREAKDOWN VOLTAGE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
高耐圧型半導体装置 - 特許庁
HIGH BREAKDOWN VOLTAGE TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
高耐圧型半導体装置 - 特許庁
BREAKDOWN VOLTAGE EVALUATION EQUIPMENT FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF BREAKDOWN VOLTAGE SIMULATION例文帳に追加
半導体デバイス耐圧評価装置及び耐圧シミュレーション方法 - 特許庁
HIGH BREAKDOWN VOLTAGE MOS TRANSISTOR DEVICE例文帳に追加
高耐圧MOSトランジスタ装置 - 特許庁
LATERAL HIGH BREAKDOWN VOLTAGE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
横型高耐圧半導体装置 - 特許庁
HIGH BREAKDOWN VOLTAGE VERTICAL MOS TRANSISTOR例文帳に追加
高耐圧縦型MOSトランジスタ - 特許庁
HIGH-BREAKDOWN VOLTAGE SEMICONDUCTOR SWITCHING DEVICE例文帳に追加
高耐圧半導体スイッチング素子 - 特許庁
To inexpensively provide a high breakdown voltage NMOS having high breakdown voltage and high reliability, in a semiconductor integrated circuit device in which a low breakdown voltage NMOS and a high breakdown voltage NMOS are simultaneously integrated.例文帳に追加
低耐圧NMOS・高耐圧NMOSを同時集積する半導体集積回路装置において、高耐圧と高信頼性の高耐圧NMOSを安価に提供する。 - 特許庁
LOW VOLTAGE TRANSISTOR WITH HIGH BREAKDOWN VOLTAGE TO SUBSTRATE例文帳に追加
基板への降伏電圧が高い低電圧トランジスタ - 特許庁
HORIZONTAL TYPE HIGH BREAKDOWN VOLTAGE JUNCTION TYPE TRANSISTOR例文帳に追加
横形高耐圧接合型トランジスタ - 特許庁
SOI HIGH BREAKDOWN VOLTAGE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
SOI型高耐圧半導体装置 - 特許庁
To provide a high breakdown-voltage semiconductor device capable of making compatible both of high breakdown voltage and low resistance, and to provide a method of manufacturing the high breakdown-voltage semiconductor device.例文帳に追加
高耐圧と低オン抵抗を両立する高耐圧半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To improve the drain breakdown voltage during operation.例文帳に追加
動作時のドレイン耐圧を向上させる。 - 特許庁
BREAKDOWN VOLTAGE TREATMENT METHOD AND BREAKDOWN VOLTAGE TREATMENT DEVICE OF SUBSTRATE FOR PICTURE DISPLACE DEVICE例文帳に追加
画像表示装置に用いる基板の耐圧処理方法および耐圧処理装置 - 特許庁
HIGH BREAKDOWN VOLTAGE SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE例文帳に追加
高耐圧半導体集積回路装置 - 特許庁
The breakdown voltage of the element region is set lower than the breakdown voltage (a breakdown voltage line 29) of the peripheral voltage-resistant region by applying a negative voltage to the trench gate electrode, and the breakdown voltage of the element region is measured.例文帳に追加
トレンチゲート電極に負の電圧を印加することによって、素子領域の耐圧を周辺耐圧領域の耐圧(耐圧直線29)よりも低くし、素子領域の耐圧を測定する。 - 特許庁
EVALUATION METHOD FOR HIGH-BREAKDOWN-VOLTAGE SEMICONDUCTOR CHIP, HIGH-BREAKDOWN-VOLTAGE ELECTRONIC APPARATUS BOARD AND ITS MANUFACTURE AS WELL AS HIGH- BREAKDOWN-VOLTAGE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
高耐圧半導体チップの評価方法、高耐圧電子機器基板およびその製造方法、および高耐圧半導体装置 - 特許庁
MANUFACTURING METHOD OF HIGH BREAKDOWN VOLTAGE MOS TRANSISTOR例文帳に追加
高耐圧MOSトランジスタの製造方法 - 特許庁
PROCESS FOR FABRICATING HIGH BREAKDOWN VOLTAGE SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加
高耐圧半導体素子の製造方法 - 特許庁
HIGH BREAKDOWN VOLTAGE TRANSISTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME, AND MANUFACTURING METHOD OF HIGH BREAKDOWN VOLTAGE TRANSISTOR例文帳に追加
高耐圧トランジスタ、これを用いた半導体装置及び高耐圧トランジスタの製造方法 - 特許庁
To improve both forward and reverse breakdown voltage characteristics in a high breakdown voltage semiconductor device.例文帳に追加
高耐圧半導体装置において、正逆双方における耐圧特性を向上させる。 - 特許庁
OPTICAL ASSEMBLY WITH ENHANCED ELECTROSTATIC BREAKDOWN WITHSTAND VOLTAGE例文帳に追加
静電破壊耐圧を高めた光アセンブリ - 特許庁
HIGH BREAKDOWN VOLTAGE FIELD EFFECT SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
高耐圧電界効果型半導体装置 - 特許庁
The high-breakdown-voltage insulating film IH1 is formed as a gate insulating film of a high-breakdown-voltage MIS transistor, and the intermediate-breakdown-voltage insulating film IM1 is formed as a gate insulating film of an intermediate-breakdown-voltage MIS transistor.例文帳に追加
高耐圧絶縁膜IH1は高耐圧MISトランジスタのゲート絶縁膜として、中耐圧絶縁膜IM1は中耐圧MISトランジスタのゲート絶縁膜として形成する。 - 特許庁
To provide HFET (Heterojunction-FET) having high breakdown voltage.例文帳に追加
耐圧が高いHFET(Heterojunction−FET)を提供する。 - 特許庁
BIDIRECTIONAL HIGH BREAKDOWN VOLTAGE PLANER SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
双方向高耐圧プレーナ型半導体装置 - 特許庁
HIGH BREAKDOWN VOLTAGE TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
高耐圧トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁
POWER SEMICONDUCTOR MODULE AND HIGH BREAKDOWN VOLTAGE IC例文帳に追加
パワー半導体モジュールおよび高耐圧IC - 特許庁
To provide a circuit which prevents breakdown by boosting an ON-breakdown voltage, taking into consideration the ON-breakdown voltage of a level shift circuit.例文帳に追加
レベルシフト回路のオン耐圧について配慮し、オン耐圧を高めて破壊を防止する回路を提供することにある。 - 特許庁
To maintain a power supply voltage even when the breakdown voltage of an FET is drops.例文帳に追加
FETの耐圧が低下しても電源電圧を保つ。 - 特許庁
HIGH BREAKDOWN VOLTAGE SEMICONDUCTOR DEVICE AND HIGH VOLTAGE INTEGRATED CIRCUIT DEVICE例文帳に追加
高耐圧半導体装置および高電圧集積回路装置 - 特許庁
To stably maintain a high breakdown voltage at a low cost in a semiconductor device maintaining the high breakdown voltage.例文帳に追加
高耐圧を保持する半導体装置において、安価で、安定的に高耐圧を保持する。 - 特許庁
To vary an intrinsic breakdown voltage and a soft breakdown voltage without varying the area of a transistor.例文帳に追加
トランジスタの面積を変更することなく、真性耐圧及びソフトブレークダウン耐圧を変更する。 - 特許庁
NEGATIVE VOLTAGE LEVEL SHIFT CIRCUIT FREE OF ELECTRIC FIELD BREAKDOWN例文帳に追加
電界降伏しない負電圧レベルシフト回路 - 特許庁
The breakdown detection part 3 detects the breakdown of the breakdown measurement circuit element 11 and the test voltage determination part 4 determines the voltage as the test voltage.例文帳に追加
ブレークダウン検出部3は、耐圧測定回路素子11のブレークダウンを検出し、試験電圧決定部4は当該電圧を試験電圧として決定する。 - 特許庁
A first low breakdown voltage NMOS, a first high breakdown voltage PMOS, sixth and third high breakdown voltage NMOS and second low breakdown voltage NMOS, a second high breakdown voltage PMOS, fifth and fourth high breakdown voltage NMOS are connected, respectively, in series between the high potential of the low voltage power supply and the low potential of the high voltage power supply on the negative side.例文帳に追加
第1の低耐圧型NMOS、第1の高耐圧型PMOS、第6および第3の高耐圧型NMOSと、第2の低耐圧型NMOS、第2の高耐圧型PMOS、第5および第4の高耐圧型NMOSとが、各々低電圧の電源の高電位と負側の高電圧の低電位との間に直列に接続されている。 - 特許庁
ELECTRIC DOUBLE-LAYER CAPACITOR SUBJECTED TO BREAKDOWN VOLTAGE COUNTERMEASURE例文帳に追加
耐電圧対策を施した電気二重層コンデンサ - 特許庁
To obtain a thin high breakdown voltage flat transformer exhibiting excellent long term insulation performance in high breakdown voltage region.例文帳に追加
高耐電圧領域での長期の絶縁性能に優れた薄型の高耐電圧平面トランスを得る。 - 特許庁
HIGH BREAKDOWN VOLTAGE SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURE THEREOF例文帳に追加
高耐圧半導体装置及びその製造方法 - 特許庁
HIGH BREAKDOWN VOLTAGE TRANSFORMER AND ELECTRONIC APPARATUS USING THE SAME例文帳に追加
高耐圧トランス及びそれを用いた電子装置 - 特許庁
LAYOUT OF HIGH BREAKDOWN VOLTAGE WIRING AND FORMATION METHOD THEREFOR例文帳に追加
高耐圧配線レイアウト及びその形成方法 - 特許庁
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