意味 | 例文 (13件) |
cglを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 13件
To provide an optical writing recording medium of dual CGL structure having high photosensitivity.例文帳に追加
光感度が高いデュアルCGL構造の光書き込み型記録媒体を提供する。 - 特許庁
In one block, a control gate line CGL is disposed and memory cells are connected to this line CGL to form a page.例文帳に追加
1ブロックには、1本のコントロールゲート線CGLが配置され、1本のコントロールゲート線CGLに接続されるメモリセルにより1ページが構成される。 - 特許庁
To provide a high-strength hot-dip galvanized steel sheet that even on the premise of ordinary CGL heat cycle, has a low yield stress and excels in resistance to natural aging and baking hardenability without reliance on the use of expensive Mo; and a process for producing the same.例文帳に追加
通常のCGL熱サイクルを前提とした場合でも、高価なMoを活用することなく、低降伏応力でかつ耐常温時効性および焼付硬化性に優れた高強度溶融亜鉛めっき鋼板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide an optical switching element to improve display characteristics and driving power by dissolving restrictions on a CGL application solvent so as to easily fabricate a dual CGL structure and to suppress asymmetry of electrical response characteristics in the dual CGL structure and an optical writing type display medium using the element.例文帳に追加
CGL塗布溶剤の制約を解消し、デュアルCGL構造を容易に作製することを可能とし、且つデュアルCGL構造における電気応答特性の非対称性を抑制し、表示特性や駆動能力を向上させることが可能な光スイッチング素子及びそれを用いた光書き込み型表示媒体を提供することである。 - 特許庁
A control gate line CGL is connected to a plurality of memory cells MC arrayed in a y direction side by side in common and arrayed extending in the y direction, and the control gate line CGL has a first width D2 on the element region 10 and a second width D1 wider than the first width D2 on the element isolation region 20.例文帳に追加
y方向に並んで配列された複数のメモリセルMCに共通に接続されy方向に延びるように制御ゲート線CGLが配列され、制御ゲート線CGLは素子領域10上では第1の幅D2を有する一方素子分離領域20上では第1の幅D2より広い第2の幅D1を有する。 - 特許庁
A control gate line CGL is selectively electrically connected with at least one of a plurality of control gate electrodes among the plurality of blocks.例文帳に追加
コントロールゲート線CGLは、複数のブロックのうちの少なくとも1つの複数のコントロールゲート電極と選択的に電気的に接続される。 - 特許庁
The gate of the memory cell transistor MT0 is connected to a cell control line CGL, the drain is connected to a bit line BL0 which is a data reading line, and the source is connected to the drain of the select transistor ST0.例文帳に追加
メモリセルトランジスタMT0のゲートはセル制御線CGLと接続され、ドレインはデータ読み出し線であるビット線BL0と接続され、ソースは選択トランジスタST0のドレインと接続されている。 - 特許庁
To provide an optical switching element capable of suppressing asymmetry of electrical characteristics in a Dual CGL structure and enhancing display characteristics and driving capability and to provide a device using the optical switching element, an optical writing type display medium and a display device.例文帳に追加
Dual CGL構造における電気特性の非対称性を抑制し、表示特性や駆動能力を向上させることが可能な光スイッチング素子、並びに、それを用いたデバイス、光書き込み型表示媒体、及び表示装置を提供すること。 - 特許庁
When a display medium 1 is initialized, charges to be accumulated on a CGL in application of negative electrode voltage is reduced by performing positive electrode voltage application+reset light irradiation → negative electrode voltage application+reset light non-irradiation so that the decrease in reflectance during continuous repeated driving is reduced.例文帳に追加
表示媒体1の初期化時において、正極電圧印加+リセット光照射→負極電圧印加+リセット光非照射とすることで、負極電圧印加時における上CGLに蓄積される電荷を抑制し、連続繰り返し駆動時の反射率低下を軽減する。 - 特許庁
To provide an optical switching element having a photoconductive layer of a dual CGL structure, in which the upper charge generation layer has optical sensitivity equal to that of the lower charge generation layer even without adding a charge transport material upon formation of charge generation layer when performing lamination formation by using extrinsic charge generation material as a charge generation material.例文帳に追加
デュアルCGL構造の光導電層を有し、電荷発生材料としてエクストリンシック系電荷発生材料を用い積層形成した場合に、電荷発生層形成時に電荷輸送材料を添加しなくても、上部電荷発生層が下部電荷発生層と同等の光感度を有する光スイッチング素子および光書き込み型表示媒体を提供することである。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing an electrophotographic photoreceptor with which a dip coating method of an overflow system capable surely forming an excellent photosensitive layer free of coating unevenness on a substrate can be performed in the case a wipe-up treatment of a bottom end and a drying process are not carried out after the dip coating of a charge generation layer (CGL) and the photoreceptor.例文帳に追加
電荷発生層(CGL)を浸漬塗布した後に、下端の拭き取り処理および乾燥工程を行わない場合において、基体に塗布ムラのない優れた感光層を確実に形成することができるオーバーフロー方式の浸漬塗布ができる電子写真感光体の製造方法及びその感光体を提供すること。 - 特許庁
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