「cmp process」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a dresser capable of suppressing the decline of dressing capability by suppressing the deflected abrasion of abrasive grains of the dresser and to provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of suppressing the generation of scratches and the generation of polishing amount fluctuation in the CMP(chemical mechanical polishing) process of the surface of a semiconductor substrate by the dresser.例文帳に追加

ドレッサの砥粒の偏摩耗を抑制することにより、ドレス能力の低下を抑制可能なドレッサを提供し、また、上記ドレッサにより、半導体基板の表面のＣＭＰ工程において、スクラッチの発生および研磨量ばらつきの発生を抑制可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

When fabricating the protected pole structure 88, by forming a non-magnetic protective layer 82 to wrap around the P3 pole sidewall after ion milling or pole ion milling but before to forming the encapsulating material layer 74, the pole structure 80 is protected from chemical attack during the CMP process.例文帳に追加

この被保護磁極構造８８の作製に際し、イオンミリングを施した後または磁極のイオンミリングの後であるが、封止材料層７４を形成する前に、非磁性保護層８２を形成してＰ３磁極の側壁を包み込むことによって、ＣＭＰプロセスの間の化学的作用から磁極構造８０を保護する。 - 特許庁

To provide an abrasive composition that can reduce the erosion, caused when a wiring concentrating area is polished excessively as compared with a non-wiring area to ≤30 nm in an area having a narrow wiring width, during the course of a CMP process performed on a semiconductor device, having a copper film, a barrier layer composed of a tantalum compound, and an SiO_2 insulating layer.例文帳に追加

銅膜、タンタル化合物のバリア層、ＳｉＯ_2の絶縁層を有する半導体デバイスのＣＭＰ加工プロセスにおいて、配線幅が細い領域において、配線密集領域が無配線領域比べて過剰に研磨され起こるエロージョンを３０ｎｍ以下にすることのできる研磨用組成物を提供する。 - 特許庁

In a process for manufacturing a semiconductor device by chemical-machine-polishing with the use of a tantalum nitride film, a wafer 22 is performed in CMP with a laser beam radiated from a Raman spectroscope 23 irradiated onto the wafer 22 and a slully switched in response to a Raman peak intensity of 180 to 200 cm2 derived from the bonding of tantalum and nitrogen.例文帳に追加

バリアメタルとして窒化タンタル膜を用い、化学機械研磨により半導体装置を製造する工程において、ラマン分光装置２３から出射されたレーザー光をウェハー２２に照射し、タンタルと窒素との結合に由来する１８０〜２００ｃｍ^-1のラマンピークの強度に応じてスラリーを切換えて、ウェハー２２をＣＭＰ研磨する。 - 特許庁

To provide an interlayer dielectric planarization process in manufacturing a semiconductor device having no factor of specific variations in rotational polishing such as CMP method and using no planarization film such as an inorganic SOG film risking a shrink or an impurity gas generation with an etch back method or the like.例文帳に追加

半導体装置の製造における層間絶縁膜の平坦化プロセスとして、ＣＭＰ法のように回転研磨固有のばらつき要因を有したりせず、かつ、エッチバック法のように収縮や不純物ガスを発生させたりするおそれのある無機ＳＯＧ膜のような平坦化膜を使用することのない、新しい層間絶縁膜平坦化プロセスを提供する。 - 特許庁