「cmp process」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device, by which even a step bunching with large unevenness is flattened and the need for a polishing process such as CMP (Chemical Mechanical Polishing) for the flattening is eliminated.例文帳に追加

凹凸の大きいステップバンチングに対しても平坦化可能で、かつ平坦化にあたりＣＭＰ研磨などの研磨工程を必要としない炭化珪素半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a CMR layer of a CMOS integrated circuit by a method that can be commercially achieved in a manufacturing method of the CMR layer in the CMOS integrated circuit, including CMP of the CMR layer in a manufacturing process.例文帳に追加

製造工程にＣＭＲ層のＣＭＰを含むＣＭＯＳ集積回路中のＣＭＲ層の製造方法であって、商業的に実現可能な方法でＣＭＯＳ集積回路のＣＭＲ層を提供する。 - 特許庁

A multi-layer disk overcoat is used to protect the recording layer, and at least one of the overcoat layers functions as a stop layer in order to terminate a chemical-mechanical polishing (CMP) process to practically planarize the disk.例文帳に追加

記録層を保護するために多層ディスクオーバーコートが使用され、オーバーコート層の少なくとも１つは、ディスクをほぼ平坦化する化学機械研磨（ＣＭＰ）処理を終了するための停止層として機能する。 - 特許庁

Since the height of the SiO_2 protruding part 14 agrees with the total thickness of the dielectric film 18 and the upper electrode film 20, the lower electrode film 16 is exposed from the SiO_2 protruding part 14 by a CMP process.例文帳に追加

ＳｉＯ_２凸部１４の高さが、誘電体膜１８及び上部電極膜２０の合計の厚さと一致しているため、ＣＭＰプロセスにより、ＳｉＯ_２凸部１４上に下部電極膜１６が露出するようになる。 - 特許庁

In this case, the surface of the insulating film 2 between the wiring grooves 3 is scratched in the CMP process, and a portion of the conductive film 5(conductive film materials 6) are embedded in the scratch, and a short status may be generated between wiring.例文帳に追加

ここで、ＣＭＰ時に配線溝３間の絶縁膜２表面に傷が付き、その傷中に導電膜５の一部分（導電膜材料６）が埋め込まれ、配線間でショート状態となる場合がある。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a damascene gate or a replaced gate, wherein the uneven gate pattern density is small, and in a CMP process of exposing the upper surface of a dummy gate, dishing does not occur.例文帳に追加

ダマシン型ゲートあるいはリプレース型ゲートを有する半導体装置において、ゲートパターン密度の偏りを小さくし、ダミーゲートの上面を露出させるＣＭＰ工程において、ディッシングが発生しないようにする。 - 特許庁

The stopper films 26 in lower polishing rate by CMP process than that of the copper film 25 are formed on the surface of the copper film 24 (a) and (d) so as to polish the copper film 25 and the stopper films 26.例文帳に追加

銅膜２５の表面にそのＣＭＰ法による研磨速度が銅膜２５の研磨速度よりも小さいストッパ膜２６を形成し（（ａ）および（ｄ））、ＣＭＰ法により銅膜２５およびストッパ膜２６を研磨する。 - 特許庁

Then, nano-columns 6 uniform in height are formed through a rotation polishing process using a silicon CMP technique (Figure 1 (b)), a p-type GaN substrate 7 is laminated on the p-type GaN nano-columns 5 and pasted together by heating/pressing (Figure 1 (c)).例文帳に追加

次に、シリコンＣＭＰ技術を用いて回転研磨を行い、均一な高さのナノコラム６を形成し（図１（ｂ））、ｐ型ＧａＮナノコラム５上に、ｐ型ＧａＮ基板７を積層し、加熱・加圧して貼合わせる（図１（ｃ））。 - 特許庁

The semiconductor surface treating agent in this invention is useful as a developing solution, remover, or cleaning solution used for a semiconductor manufacturing process, and also useful as a polishing solution of CMP and its post-treatment cleaning solution.例文帳に追加

本発明の半導体表面処理剤は、半導体製造工程で用いられる現像液、剥離液あるいは洗浄液として有用であるほか、ＣＭＰの研磨液やその後処理洗浄液としても有用である。 - 特許庁

A sloped surface is formed, after the first insulating layer has been polished by CMP, and a planarization process further levels off this nonuniform surface, so that a uniform insulator thickness having a preferable sensor function is formed.例文帳に追加

第一絶縁層が、ＣＭＰにより研磨された後、傾斜表面が形成され、更に、平坦化工程によりこの不均一表面を除去し、好ましいセンサー機能を有する均一な絶縁体厚さを形成する。 - 特許庁

To provide a new manufacturing method which eliminates the need of posterior processes such as CMP in wiring formation process when manufacturing a wiring board having at least one conductor layer and one resin insulation layer.例文帳に追加

導体層と樹脂絶縁層とをそれぞれ少なくとも一層有する配線基板を製造するに際し、配線形成プロセスにおいてＣＭＰ等の後加工を必要としない新規な製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing slurry preferably used for a CMP process, which can prevent the occurrence of dishing or erosion by having high polishing selectivity and high clear performance while maintaining a high polishing speed significant in the industrial field.例文帳に追加

工業的に意味のある研磨速度を維持しつつ、高い研磨選択性と高いクリア性を有することでディッシングやエロージョンの発生を抑制した、ＣＭＰ工程に好適に用いられる研磨用スラリーを提供する。 - 特許庁

To provide a polishing slurry preferably used for a CMP process, which can suppress the generation of dishing or erosion by having high polishing selectivity and high clear performance while maintaining a high polishing speed significant in the industrial field.例文帳に追加

工業的に意味のある研磨速度を維持しつつ、高い研磨選択性と高いクリア性を有することでディッシングやエロージョンの発生を抑制した、ＣＭＰ工程に好適に用いられる研磨用スラリーを提供する。 - 特許庁

In the process of forming the STI layer 10, trenches are formed on the Si substrate 1, a SiO_2 film is embedded in the trenches, and a CMP treatment is applied to the SiO_2 film by using the SiN film 9 for a stopper.例文帳に追加

また、上記のＳＴＩ層１０を形成する工程では、Ｓｉ基板１にトレンチを形成し、トレンチ内にＳｉＯ_2膜を埋め込み、その後、ＳｉＮ膜９をストッパーに用いてＳｉＯ_2膜にＣＭＰ処理を施す。 - 特許庁

To provide a polishing end point detector and a CMP apparatus equipped therewith, capable of improving the throughput of a polishing process by detecting the polishing end point of the identical film type more exactly in a substrate to be polished.例文帳に追加

被研磨基板の同一膜種の研磨終点をより的確に検出することにより、研磨工程のスループットを向上できる研磨終点検出装置及びそれを備えたＣＭＰ装置を提供する。 - 特許庁

To reduce unevenness of gate pattern density in a semiconductor device having a damascence-type or replacement-type gate and to prevent dishing from occurring in a CMP process for making an upper face of a dummy gate exposed.例文帳に追加

ダマシン型ゲートあるいはリプレース型ゲートを有する半導体装置において、ゲートパターン密度の偏りを小さくし、ダミーゲートの上面を露出させるＣＭＰ工程において、ディッシングが発生しないようにする。 - 特許庁

Even if the groove is not perfectly filled by the first insulating film due to the presence of a foreign matter, the groove is perfectly filled by the subsequent formation of the second insulating film after removing the foreign matter by the first CMP process.例文帳に追加

異物の存在によって第１の絶縁膜で溝を完全に埋設できない場合でも、第１のＣＭＰ工程により異物を除去し、その後における第２の絶縁膜によって溝を完全に埋設する。 - 特許庁

To provide an alignment pattern and its forming method in which a peak can be read out readily by detecting a level difference surely through scanning even when planarization is performed by CMP without requiring any extra process.例文帳に追加

新たな工程を付加することなく、ＣＭＰによる平坦化を行った場合でも、スキャンにより段差を確実に検出して容易にピークを読み取ることができる目合わせパターン及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing composition of high selectivity that the polishing rate of a tantalum compound is small though a copper polishing rate is large in the CMP processing process of a semiconductor device having a copper film and a tantalum compound.例文帳に追加

銅膜とタンタル化合物を有する半導体デバイスのＣＭＰ加工プロセスにおいて、銅の研磨レートは大きいがタンタル化合物の研磨レートが小さいという選択性の高い研磨用組成物を提供する。 - 特許庁

To uniformly flatten the entire surface of a wafer and to replace a conventional CMP process by spraying a fume of an etching liquid with high pressure to the surface of a wafer rotating at a high speed.例文帳に追加

高圧の蝕刻液の蒸気を高速で回転するウェハ表面に噴霧することで、ウェハの全面を均一に平坦化することができて、従来のＣＭＰ工程を取り替えることができるウェハの平坦化方法を提供する。 - 特許庁

For this reason, as a rough machining polishing operation and a finishing polishing operation can be carried out by a set of platen, it is possible to prevent scratches on the surface of the material to be polished without lowering the throughput in the CMP process.例文帳に追加

このため、１台のプラテン上で粗削り研磨と仕上げ研磨とを行うことができるので、ＣＭＰ工程におけるスループットを低下させることなく、被研磨材の表面に生ずるスクラッチを防ぐことができるようになっている。 - 特許庁

To provide an abrasive material recovery device for efficiently recovering abrasive particles from waste water which contains abrasive material and is discharged out in a CMP process, which is employed in a semiconductor manufacturing factory or the like.例文帳に追加

半導体製造工場などで使用されるＣＭＰ工程から排出される研磨材を含有する研磨工程排水から、研磨材粒子を効率的に回収して再利用するための研磨材の回収装置を提供する。 - 特許庁

Further, the method may include a flattening process for removing the step bunching 3 generated on the surface of the SiC epitaxial film 2 by CMP (chemomechanical polishing), gas etching in a hydrogen atmosphere, or the like, for producing a device.例文帳に追加

また、デバイスを作製するために、このＳｉＣエピタキシャル膜２の表面に発生させたステップバンチング３をＣＭＰ（化学的機械研磨）あるいは水素雰囲気中でのガスエッチング等により除去する平坦化工程を追加しても良い。 - 特許庁

The cupper film polishing method comprises a step of forming a copper film on a substrate, and a step of polishing the copper film in a chemical mechanical polishing (CMP) process using a slurry allowing a copper film polishing speed of at least 10,000 Å/min or higher.例文帳に追加

基板上に銅膜を形成する段階と、前記銅膜を銅膜の研磨速度が少なくとも１００００Å／分以上になるようなスラリを用いた化学的機械的研磨（ＣＭＰ）工程にて研磨する段階とを含む。 - 特許庁

To solve the problem in generation of peeling and crack which are generated in the CMP process to form damascene and in the heat cycle, by eliminating mismatch of dynamics characteristic among inorganic system insulation films used for copper diffusion preventing layer, wiring layer and via layer.例文帳に追加

銅拡散防止層と配線層、ビア層に用いられる無機系絶縁膜間の力学特性のミスマッチを解消し、ダマシン形成におけるＣＭＰ工程やヒートサイクル時に生じる剥離、亀裂発生などの問題点を解決する。 - 特許庁

In the laminating process, before required magnetic characteristics are effected by the lowering in the flatness of the laminated film, the film forming operation is temporarily interrupted, and the surface of the insulating layer 14 is polished and flattened with a CMP device.例文帳に追加

前記積層過程において、積層膜の平坦性の低下が、所望の磁気特性に影響を与える前に、成膜作業を一時中断し、ＣＭＰ装置により絶縁層１４の表面を研磨して平坦化処理を施す。 - 特許庁

As the result of the actual measurement, when variations of the film thickness are large, a layout of a circuit pattern, an area rate or layout of a dummy pattern, and a layout, a film forming amount and a polishing amount of a reverse pattern are optimized to materialize the flatness after the CMP process.例文帳に追加

実測の結果、膜厚のばらつきが大きい場合は、回路パターンの配置、ダミーパターンの面積率や配置、リバースパターンの配置及び成膜量、研磨量を最適化して、ＣＭＰ加工後の平坦化を実現する。 - 特許庁

After a step of the CMP process of polishing the formed film on the semiconductor wafer by the polishing cloth, while the slurry containing polishing particles is supplied, a step of hydrophile-processing the surface of the polishing cloth is executed.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、研磨粒子を含むスラリーを供給しながら研磨布により半導体ウェーハ上の成膜をポリッシングするＣＭＰ処理工程の後に、研磨布表面を親水性処理する工程を実施する。 - 特許庁

To provide a low dielectric constant porous silica film suited to layer insulation films which stably reveals a low dielectric constant and has a mechanical strength durable against the latest high degree integration process, including the CMP method and various chemicals resistances.例文帳に追加

低誘電率を安定的に示すと共に、ＣＭＰ法をはじめとする最新の高集積化プロセスに耐えうる機械的強度と各種の耐薬品性を兼ね備えた層間絶縁膜に適した多孔質シリカ質膜を提供すること。 - 特許庁

Then, before the formation of a second insulating film 19, a metal diffusion preventive layer 16 which is on the first insulating layer 11 and is unintentionally generated due to partially selective breakage, or remaining metal ions 17 or the like is removed through CMP process.例文帳に追加

その後、第２の絶縁膜１９形成前に、第１の絶縁膜１１上に存在する部分的選択破れにより意図せず生じた金属拡散防止膜１６や、残留金属イオン１７等を除去するＣＭＰ工程をする。 - 特許庁

To provide a treating method of waste liquid which can efficiently treat waste liquid discharged from in a chemical mechanical polish process (CMP waste liquid), containing colloidal silica, copper compounds, hydrogen peroxide, and COD components, and stably obtain high-quality treated water at a low cost.例文帳に追加

コロイド状シリカ，銅化合物，過酸化水素およびＣＯＤ成分を含有するＣＭＰ廃液等を効率よく処理でき、安定して、安価で高品質な処理水を得ることができる廃液の処理方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, where a layer is improved in uniformity through its surface so as to be enhanced in performance and reliability when the layer in a disused region is polished in a process where a CMP(chemical mechanical polishing) method is used.例文帳に追加

ＣＭＰ法を使用して、不要な領域の層を研磨する工程を有する場合、面内均一性が向上できて、層の高性能化および高信頼度化ができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a chemical mechanical polishing (CMP) process employing chemically active slurry having polarity selected to have an effect on the relative oxidation rate of respective crystal faces of a polished polycrystalline surface.例文帳に追加

研磨されている多結晶表面のそれぞれの結晶面の相対的酸化速度に影響を及ぼすように選択された極性を有する、化学的に活性なスラリーを用いる化学機械研磨（ＣＭＰ）プロセスを提供すること。 - 特許庁

The CMP process polishing liquid is used, which consists of abrasives (A), having a 1 to 95 nm volume mean particle size (D) and containing ≤10 particles of ≥0.56 μm in diameter per 1 ml, and water.例文帳に追加

１ｎｍ以上９５ｎｍ以下の体積平均粒径（Ｄ）を有し、直径０．５６μｍ以上の粒子数が１ｍｌあたり１０万個以下である研磨材（Ａ）と水とからなることを特徴とするＣＭＰプロセス用研磨液を用いる。 - 特許庁

To accurately detect the finish point of a CMP process for a second metal film in the case that the second metal film is accumulated on a first metal film and thereafter the CMP method is performed for the laminated film of the first metal film and the second metal film after the first metal film is accumulated on the bottom face and the wall face of a recess part formed on the insulation film and the insulation film.例文帳に追加

絶縁膜に形成された凹部の底面及び壁面並びに絶縁膜の上に第１の金属膜を堆積した後、該第１の金属膜の上に第２の金属膜を堆積し、その後、第１の金属膜と第２の金属膜との積層膜に対してＣＭＰ法を行なう場合に、第２の金属膜に対するＣＭＰ工程の終点を精度良く検出できるようにする。 - 特許庁

In a process for polishing silicon wafer using chemical mechanical polishing(CMP), an abrasive containing water as a main component, 0.5 wt.% or more of cerium oxide, and 0.5 wt.% or more of organic compounds is used, and the process for polishing comprises at least two polishing processes.例文帳に追加

ケミカルメカニカルポリッシング（ＣＭＰ）によりシリコンウエハを研磨する工程において、水を主成分とし酸化セリウム粒子を０．５重量％以上、有機化合物を０．５重量％以上含有する研磨材を用い、少なくとも２つの研磨工程からなる研磨を行うことを特徴とする半導体用基板の研磨方法。 - 特許庁

A silicon oxide film 5 is accumulated in a HDP-CVD method, and continuously a polysilicon film 6 is accumulated in the thickness, in which the polysilicon film 6 in a region over a projecting part region is removed in a first CMP process, meanwhile the polysilicon film 6 in a recessed part region remains, and further the polysilicon film 6 functions as a mask of etching process in the later stage.例文帳に追加

ＨＤＰ−ＣＤＶ法によるシリコン酸化膜５の堆積に続いて、第１のＣＭＰ処理時に凸部領域の上部領域のポリシリコン膜６が除去され、凹部領域のポリシリコン膜６が残存し、かつポリシリコン膜６が後段のエッチング処理のマスクとして機能する膜厚でポリシリコン膜６を堆積する。 - 特許庁

To provide a CMP polishing liquid which can inhibit aggregation and sedimentation of abrasive grains significantly when compared with prior art, even when it is kept not at low temperature but at about the room temperature, and can accommodate the process or cost reduction flexibly while having high storage convenience.例文帳に追加

低温ではなく室温程度で保管した場合でも、従来よりも砥粒の凝集・沈降を大幅に抑制することができ、保存利便性が高く、プロセスやコスト低減に柔軟に対応できるＣＭＰ研磨液を提供する。 - 特許庁

When an opening is shaped in the insulation films 10, 30, an insulation film in a part which becomes island-like insulation films 11i, 31i is precluded from etching removal so that flattening in a CMP process can be carried out properly.例文帳に追加

ここにおいて、絶縁膜１０，３０への開口に際しては、ＣＭＰ工程における平坦化を好適に行うことを可能とすべく、島状絶縁膜１１ｉ、３１ｉとなる部分の絶縁膜はエッチング除去される対象から外される。 - 特許庁

To obtain a coating composition for producing an electrical insulating thin film, capable of producing such a porous silica thin film that is low in relative dielectric constant, has mechanical strength sufficiently endurable to a CMP (chemical-mechanical polishing) operation in a copper wiring process for a semiconductor device, and scarcely generates gas when viae are formed.例文帳に追加

多孔性シリカ薄膜の比誘電率が低く、半導体素子の銅配線工程におけるＣＭＰ工程に十分耐える機械的強度を有し、かつビア形成時のガス発生の少ない多孔性シリカ薄膜を提供する。 - 特許庁

To obtain a coating composition for producing an electrical insulating thin film, capable of producing such a porous silica thin film that is low in relative dielectric constant, has mechanical strength sufficiently endurable to a CMP (chemical-mechanical polishing) operation in a copper wiring process for a semiconductor device, and scarcely generates contaminant gas when viae are formed.例文帳に追加

多孔性シリカ薄膜の比誘電率が低く、半導体素子の銅配線工程におけるＣＭＰ工程に十分耐える機械的強度を有し、かつビア形成時の汚染ガス発生量の少ない、多孔性シリカ薄膜を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing agent and a polishing method allowing efficient and uniform polishing at high speed without scratch and also allowing easy process management in the CMP technology of smoothening an interlayer dielectric film, BPSG film, and insulation film for shallow trench isolation.例文帳に追加

層間絶縁膜、ＢＰＳＧ膜、シャロートレンチ分離用絶縁膜を平坦化するＣＭＰ技術において、研磨を研磨傷なく、効率的、高速、均一にかつ研磨プロセス管理も容易に、行うことができる研磨剤及び研磨方法を提供する。 - 特許庁

To provide a chemical mechanical polishing method capable of attaining high planarization as well as having high polishing speed even under a low pressure condition, in a chemical mechanical polishing (CMP) method for such as a film to be processed in the manufacturing process of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイスの製造工程における被加工膜等の化学的機械的研磨（ＣＭＰ）において、低圧条件下であっても、高い研磨速度を有し、且つ、高い平坦化を達成しうる化学的機械的研磨方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a low-permittivity film which has a high mechanical strength, improves the CMP resistance by applying as a layer insulation film for semiconductor elements, can ensure a wide process margin, and attains a high performance, high reliability and high yield of LSI.例文帳に追加

高い機械強度を有し、半導体素子の層間絶縁膜として適用することにより、ＣＭＰ耐性が向上し、広いプロセスマージンを確保でき、ＬＳＩの高性能化、高信頼性、高歩留りが達成される低誘電率膜を提供する。 - 特許庁

Thus the thickness is minimized in the film deposited by the film deposition process, the amount of polishing is minimized at a stage for performing the CMP polishing of the deposited film, and throughput and suppressing costs are improved in manufacture.例文帳に追加

これにより、膜堆積プロセスで堆積する膜の厚さを最小限に抑制でき、また堆積した膜をＣＭＰ研磨する段階においても最小限の研磨量とすることができ、製造時のスループット向上とコスト抑制が可能となる。 - 特許庁