「cmp process」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

The tungsten film 6 has pillar-shaped grains 6a of fine diameters, such that the abrasives 50 used in the CMP process are difficult to adhere between the grains.例文帳に追加

タングステン膜６は、ＣＭＰ処理に用いる研磨材５０がグレイン間に付着し難い程度に粒径が細かい柱状のグレイン６ａを有している。 - 特許庁

To provide a formation method for wiring wherein a wiring formation time is shortened by shortening a CMP process using an electroless plating method.例文帳に追加

無電解めっき法を用いてＣＭＰ工程を短時間化することにより配線形成時間を短縮できる配線の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a technique capable of preventing the polishing residues of a conductive film from being left in a CMP process so as to improve the manufacturing yield of the semiconductor device.例文帳に追加

ＣＭＰ工程における導電性膜の研磨残りを防いで、半導体装置の製造歩留まりを向上することのできる技術を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing pad which is hardly be clogged and has a small variation in polishing performance in polishing processes, particularly in a CMP process.例文帳に追加

研磨分野、その中でも特にＣＭＰプロセスにおいて、目詰まりしにくく、かつ研磨性能ばらつきの小さい研磨パッドを提供することである。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device, which can make smooth the supply of slurry to between a wafer and abrasive cloth and the interaction between abrasives and the wafer surface and increase a CMP speed, and to provide a semiconductor manufacturing equipment which performs a CMP process.例文帳に追加

ウェハと研磨布の間へのスラリの供給・砥粒とウェハ表面の相互作用が円滑に行われ、ＣＭＰ速度を増大させることが可能な半導体装置の製造方法及びＣＭＰ処理を行う半導体製造装置を提供する。 - 特許庁

The manufacturing process of a capacitor of a ferroelectric memory element comprises a step for separating the storing electrode by performing CMP for an insulating film until the Pt layer of the storing electrode is exposed by using acidic CMP slurry comprising organic acid.例文帳に追加

強誘電体メモリ素子のキャパシタの製造工程において、有機酸を含む酸性のＣＭＰスラリーを利用し、貯蔵電極のＰｔ層が露出するまで絶縁膜をＣＭＰして貯蔵電極を分離する段階を含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide slurry for CMP with which an excellent polished surface can be obtained through a CMP process of a manufacturing process of a semiconductor device and the throughput and yield of the manufacture of the semiconductor device can be improved as a result, and to provided a manufacturing method of the semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造工程におけるＣＭＰ工程において、良好な被研磨面を得ることができ、ひいては、半導体装置の製造におけるスループットの改善と歩留り向上を実現することのできるＣＭＰ用スラリーと、該スラリーを用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a coating composite for producing an interlayer insulation film in which a high Young's modulus, a low dielectric constant, and a high breakdown voltage durable sufficiently in the CMP process of the copper interconnection process of a semiconductor element can be achieved simultaneously.例文帳に追加

半導体素子の銅配線工程におけるＣＭＰ工程に十分耐える高いヤングモジュラスと、低い比誘電率と、高いブレークダウン電圧を同時に達成する層間絶縁膜製造用の塗布組成物の提供。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a porous silica thin film having mechanical strength sufficiently enduring a CMP process in a copper wiring process of a semiconductor element by having a low dielectric constant of the porous silica thin film.例文帳に追加

多孔性シリカ薄膜の比誘電率が低く、半導体素子の銅配線工程におけるＣＭＰ工程に十分耐える機械的強度を有する多孔性シリカ薄膜を製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can reduce the number of times of exposure processing in an element isolation process applying CMP and subsequent process of poly-Si deposition.例文帳に追加

ＣＭＰを適用した素子分離工程ならびにその後のｐｏｌｙ−Ｓｉデポジションまでの工程における露光工程の回数を低減することを可能とする半導体装置の製造方法を実現することにある。 - 特許庁

To provide solid persulfate for a CMP polishing solution, wherein an insoluble component to hotwater is not contained which component gives a bad influence on a product at the time of manufacturing a semiconductor device, and complicated procedure such as a pulverization process is also unnecessary at the time of preparing the CMP polishing solution.例文帳に追加

半導体装置の製造に際して製品に悪影響を与えるような水に不溶性の成分を含有せず、且つＣＭＰ研磨液の調製時に粉砕工程等の煩雑な手順も必要としないＣＭＰ研磨液用固体過硫酸塩を提供する。 - 特許庁

To provide a CMP polishing agent capable of efficient and high-speed polishing with reduced influence of pattern density dependency and easy polishing process management without polishing scratches, with respect to CMP technology for smoothening an interlayer dielectric film, a BPSG film, and a shallow-trench-isolation insulation film.例文帳に追加

層間絶縁膜、ＢＰＳＧ膜、シャロートレンチ分離用絶縁膜を平坦化するＣＭＰ技術において、パターン密度依存の影響を少なく、効率的、高速に、研磨傷なく、かつ研磨プロセス管理も容易に、研磨できるＣＭＰ研磨剤を提供する。 - 特許庁

By adopting a lift-off technique using a flattening technique by CMP to form a track width and height of an element, and a structure and a process for locating a CMP dummy film 16, the defects of shape and short-circuiting are reduced and a high yield is secured even in the narrow track width.例文帳に追加

トラック幅や素子高さ形成にＣＭＰによる平坦化技術を用いたリフトオフ技術と、ＣＭＰダミー膜１６を配置する構造及びプロセスを採用することで形状不良や短絡不良を低減し、狭トラック幅でも高歩留まりを確保する。 - 特許庁

To provide a method of polishing a semiconductor substrate capable of obtaining a steady, high polishing rate while maintaining polishing characteristics, by making a surface state of a CMP polishing pad appropriate using an existing CMP polishing pad and an existing polishing agent in a low-pressure polishing process.例文帳に追加

ＣＭＰ用研磨パッドの表面状態を適正化し、低圧研磨プロセスにおいて、既存のＣＭＰ用研磨パッド及び研磨剤を用いて、研磨特性を維持しながら、安定して高い研磨速度を得られる半導体基板の研磨方法を提供する。 - 特許庁

To provide a silica-based coating film excellent in adhesive properties (particularly, adhesive properties in the CMP process) and a semiconductor device which causes less delay of signals and is of a high quality and a high reliability.例文帳に追加

接着性（特にＣＭＰ工程における接着性）に優れたシリカ系被膜及び信号遅延が少ない高品位で、高信頼性の半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a power semiconductor device capable of reducing unevenness in characteristics by reducing unevenness in thickness of an insulating film after a CMP process.例文帳に追加

本発明は、ＣＭＰ処理後の絶縁膜の膜厚のバラツキを低減して特性のバラツキを低減させることが可能な電力半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for designing a dummy pattern for preventing dishing and errosion phenomena due to the CMP process in an optimum density and arrangement.例文帳に追加

ＣＭＰプロセスによって生じるディッシングおよびエロージョン現象を抑制するためのダミーパターンを最適密度かつ最適配置で形成するダミーパターン設計方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that does not decrease a process margin even at the time of CMP treatment during manufacturing in a region resistant to high pressure and a region resistant to low pressure.例文帳に追加

高耐圧領域および低耐圧領域において製造時にＣＭＰ処理時でも加工マージンを減少させることのない半導体装置を提供する。 - 特許庁

In this CMP process and products thereof, alumina is used including α-alumina particles with a particle size of less than 50 nm and a surface area of at least 50 m^2/g.例文帳に追加

粒子幅が５０ｎｍ未満で且つ表面積が少なくとも５０ｍ^2／ｇのα−アルミナ粒子を含むアルミナを使用するＣＭＰプロセス及び生成物とする。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device as an embodiment of the present invention is characterized by using the CMP slurry as the embodiment of the present invention for a touch-up polishing process.例文帳に追加

また、本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、タッチアップ研磨工程に本発明の一態様のＣＭＰスラリーを用いることを特徴とする。 - 特許庁

A flat layer is formed by damascence process or by polishing an insulating film stacked after a first metal layer is formed by CMP between the first metal layers.例文帳に追加

第１金属層間を、ダマシン法、もしくは、第１金属層を形成した後に積層する絶縁膜をＣＭＰにより研磨することで平坦な層を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a method for manufacturing it, in which the thickness of an interlayer insulating film of higher controllability is secured, related to a planarization process using a CMP technology.例文帳に追加

ＣＭＰ技術による平坦化工程において、より制御性の高い層間絶縁膜の厚さを確保できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To early find a wafer of element isolation level difference abnormality and to control a polishing amount in a CMP process to an appropriate size by a simple configuration and with good accuracy.例文帳に追加

素子分離段差異常ウェハの早期発見を可能とし、ＣＭＰ工程における研磨量を簡便な構成でしかも精度良く適切な大きさに制御する。 - 特許庁

Next, the metal oxide layer 22 is polished using a CMP process while using a slurry, and the nitride layer 31 on the upper surface of the metal structure 21 is exposed.例文帳に追加

次に、スラリを用いて、金属酸化物層２２が化学機械研磨（ＣＭＰ）プロセスにより研磨され、金属構造２１の上面上の窒化物層３１が露出される。 - 特許庁

After being polished by means of CMP, the upper surface of the upper electrode 112 of the capacitor is doped by the same doping process as that of the lower electrode 106a of the capacitor.例文帳に追加

キャパシター上部電極１１２の上部表面がＣＭＰにポリシングされた後、キャパシター下部電極１０６ａと同一なドーピング工程によりドーピングされる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a nano SOI wafer having extremely excellent uniformity in thickness without using a CMP process and a wafer manufactured by the method.例文帳に追加

ＣＭＰ工程を使用しなくても厚さ均一度が非常に優秀なナノＳＯＩウェーハを製造する方法及びそれにより製造されたウェーハを提供する。 - 特許庁

To obtain an abrasive material capable of abrading a silicon wafer with high abrading efficiency and corresponding to a fine pattern on the silicon wafer in a CMP process of semiconductor manufacture.例文帳に追加

半導体製造のＣＭＰ工程において高い研磨効率でシリコンウェハーを研磨でき、シリコンウェハー上パターンの微細化に対応できる研磨材を提供する。 - 特許庁

A layer structure of a sample is obtained from frequency spectral intensity to dispersion waveform of reflection light from a sample in CMP process and a measurement position of a sample is specified.例文帳に追加

ＣＭＰ加工中、試料からの反射光の分光波形に対する周波数スペクトル強度から試料の層構造を求め、試料の計測位置を特定する。 - 特許庁

Since the alignment mark structure protects the alignment mark against damage and prevents the alignment mark from being deteriorated through CMP process, definite quality of the alignment mark 102 can be sustained visually.例文帳に追加

このアライメントマーク構造によってアライメントマークが損なわれかつＣＭＰプロセスによって劣化するのを防止するため、アライメントマークの視覚的に明瞭な品質が保たれる。 - 特許庁

To prevent dishing in a CMP process, and to prevent chipping failure by reducing clogging of a dicing blade in separating a semiconductor substrate (wafer).例文帳に追加

ＣＭＰ工程におけるディッシングを防止できると共に、半導体基板（ウェハ）を個片化する際のダイシングブレードの目詰まりを低減してチッピング不良を防止できるようにする。 - 特許庁

To make the surface of a substrate, whose recesses such as wiring grooves, etc., are filled with wiring metal, flat and suppress dishing defects produced in a CMP process afterwards.例文帳に追加

配線溝等の凹部に配線金属を埋め込んだ後の基板表面を平坦化すると共に、その後のＣＭＰ処理で生じるディッシング欠陥を抑制すること。 - 特許庁

To provide a silica coating film excellent in adhesiveness (especially in adhesiveness in CMP process) and a high quality semiconductor unit little in signal delay and high in reliability.例文帳に追加

接着性（特にＣＭＰ工程における接着性）に優れたシリカ系被膜及び信号遅延が少ない高品位で、高信頼性の半導体装置を提供する。 - 特許庁

Using this method, conductive electrodes are bonded to the rotor wafer media side before the wafer thinning process by polishing or by CMP, and the electrodes are protected from polishing or the like.例文帳に追加

本発明では、研磨やＣＭＰによるウェーハの薄層化処理の前にロータウェーハの媒体側に導電性電極を被着させ、電極を研磨等から保護する。 - 特許庁

To provide a technology that minimizes delamination in the CMP process while increasing the polishing speed which has decreased as the polishing pressure decreased.例文帳に追加

ＣＭＰ工程における膜剥がれを抑制すると共に、研磨圧力の低下に伴う減少した研磨速度を高めることが出来る技術を提供することである。 - 特許庁

To provide an alignment mark structure in which an alignment mark on a wafer is not damaged or deteriorated through CMP process but definite quality of the alignment mark can be sustained visually.例文帳に追加

ウェハ上のアライメントマークがＣＭＰプロセスによって損なわれたり劣化することなく視覚的に明瞭な品質を保つことの出来るアライメントマーク構造を提供する。 - 特許庁

To provide a wafer polishing device and a wafer polishing method which can restrain the occurrence of fine scratches caused by polishing a conducting film in a CMP treatment process.例文帳に追加

ＣＭＰ処理工程において導電膜を研磨した場合に生じる微小スクラッチの発生を抑制可能なウエハ研磨装置及びウエハ研磨方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for precisely modelling an influence by which a wiring film thickness is affected from a CMP process, and reducing errors to the wiring film thickness in a conventional procedure.例文帳に追加

配線膜厚がＣＭＰ工程から受ける影響を精度良くモデル化し、従来手法における配線膜厚に対する誤差を削減する方法を提供すること。 - 特許庁

When the removal of the barrier metal film 7 on the outside of a recessed part 5 is finished and a surface 4a of an insulation film 4 on the outside of the recessed part 5 is exposed, the CMP process is finished.例文帳に追加

そして、凹部５外のバリアメタル膜７の除去が完了して、絶縁膜４の凹部５外の表面４ａが露出すると、ＣＭＰ処理を終了する。 - 特許庁

To easily manufacture a semiconductor device which can restrain increase of via resistance which is to be caused by a CMP(chemical mechanical polishing) process and corrosion of a copper wiring and is excellent in element characteristic and reliability.例文帳に追加

ＣＭＰ工程に起因するビア抵抗の増大や銅配線の腐食を抑制でき、素子特性および信頼性に優れた半導体装置を容易に作製する。 - 特許庁

To provide abrasives and a polishing method in which in a CMP technology of flattening an interlayer dielectric, a BPSG film, and a shallow trench isolating insulating film, a selection ratio of a silicon oxide film to a silicon nitride film and a flatness are enhanced, whereby a CMP process can be efficiently and fast performed, and a process management can be easily performed.例文帳に追加

本発明は、層間絶縁膜、ＢＰＳＧ膜、シャロー・トレンチ分離用絶縁膜を平坦化するＣＭＰ技術において、酸化珪素膜と窒化珪素膜の選択比、平坦性を向上させることにより、ＣＭＰプロセスを効率的、高速に、かつプロセス管理も容易に行うことができる研磨剤及び研磨法を提供するものである。 - 特許庁

This pad conditioner includes abrasive grains for pad polishing and grinding used in a semiconductor planarization CMP process, a bond layer holding the abrasive grains; and a bed to which the bond layer is fixed, wherein the abrasive grains or coating material coating the abrasive grains is a material having durability against CMP slurry.例文帳に追加

パッドコンディショナーは、半導体平坦化ＣＭＰプロセスに用いるパッド研磨研削用の砥粒と、この砥粒を保持するボンド層と、このボンド層を固着した台とよりなり、砥粒あるいは砥粒を被覆する被膜物質がＣＭＰスラリーに対して耐久性を持つ物質である。 - 特許庁

To provide an abrasive composition for CMP (chemical mechanical polishing) work having a high selectivity, that is, high in abrasion rate of copper but low in that of tantalum, and also excellent in the smoothness of the copper film surface, in the CMP work process of a semiconductor device having a copper film and a tantalum compound.例文帳に追加

銅膜とタンタル化合物を有する半導体デバイスのＣＭＰ加工プロセスにおいて、銅の研磨レートは大きいがタンタル化合物の研磨レートが小さいという選択性の高い研磨用組成物であり、銅膜表面の平滑性にも優れたＣＭＰ加工用の研磨用組成物を提供する。 - 特許庁

In the design and the manufacturing technology of a thin film device in which a film is formed and a CMP is effected under conditions depending on design information to manufacture through an inspection, a wafer after the CMP is measured in a film thickness in detail, and the design and process are altered based on actually measured film thickness data to optimize.例文帳に追加

設計情報に基づいた条件で成膜およびＣＭＰを実施し、検査を経て製造される薄膜デバイスの設計、製造技術において、ＣＭＰ後のウェハに対して詳細に膜厚を計測し、実測した膜厚データに基づいて設計及びプロセスを変更して最適化する。 - 特許庁

Continuously, the metal wiring film 6 on the recessed part 3 is shaved chemically and physically by performing CMP(chemical-mechanical polishing) process, and when the surface of the metal wiring film 6 is almost flush with the surface of the exterior part of the recessed part 3 of an insulation film 2 as shown in figure (i), the CMP processing is finished.例文帳に追加

つづいて、ＣＭＰ処理が行われることにより、凹部３上の金属配線膜６が化学的および物理的に削られていき、図１(i) に示すように、金属配線膜６の表面と絶縁膜２の凹部３外の表面とがほぼ面一になると、このＣＭＰ処理が終了される。 - 特許庁

To optimize process conditions and to supervise CMP equipment by enabling residual slurry map detection equipment to detect the state of slurries etc. adhered on wafers after CMP with high accuracy, in order to, for example, realize a semiconductor device having high-reliablility Cu interconnections.例文帳に追加

スラリー残マップ検出装置に関し、ＣＭＰ後のウェーハに付着したスラリー等の状態を精度良く検出できるようにし、プロセス条件の最適化やＣＭＰ装置の状態を監視できるようにして、例えば、信頼性が高いＣｕ配線をもつ半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁