「cmp process」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The conductive film 5 and the barrier film 4 as portions projected from the wiring groove 3 are removed by a CMP process.例文帳に追加

配線溝３からはみ出した部分の導電膜５、バリア膜４をＣＭＰ工程により除去する。 - 特許庁

To provide appropriate polishing characteristics without lowering productivity, in a planarization process by a CMP method.例文帳に追加

ＣＭＰ法による平坦化工程において，生産性を低下させることなく好適な研磨特性を得る。 - 特許庁

Then the interconnections and MIM capacitor are completed with only one planarization process (e.g. CMP).例文帳に追加

次いで、ただ１回の平坦化工程（たとえばＣＭＰ）で、相互接続とＭＩＭキャパシタを完成させる。 - 特許庁

To realize a CMP apparatus and a method, whereby the temperature distribution of the surface of a wafer present in the process of polishing can be measured.例文帳に追加

研磨中のウエハの表面の温度分布を測定できるＣＭＰ装置及び方法の実現。 - 特許庁

In certain preferred embodiments, the process solution of the present invention may reduce defects when employed as a rinse solution either during or after the development of the CMP processing.例文帳に追加

いくつかの好ましい実施態様においては、本発明のプロセス溶液は、CMP処理の間又はその後にすすぎ溶液として用いた場合、欠陥を低減することができる。 - 特許庁

To provide a wafer for CMP peeling analysis which can evaluate quantitatively peeling of a low dielectric constant film in a CMP (chemical mechanical polishing) process, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ＣＭＰ（化学機械研磨法）工程における低誘電率膜の剥離を定量的に評価できるＣＭＰ剥離解析用ウェハ及びその製造方法を得る。 - 特許庁

To appropriately perform CMP without generating dishing, or the like even if performing CMP in the manufacturing process of a semiconductor device in an STI structure.例文帳に追加

ＳＴＩ構造の半導体装置の製造過程においてＣＭＰを行う場合であっても、そのＣＭＰをディッシング等が生じることなく良好に行えるようにする。 - 特許庁

In a CMP process, a photolithographic process and an anisotropic etching process which are performed for preventing the problem wherein the insulating film is left after CMP are performed, and the insulating film on the trench 15 is previously eliminated by a prescribed depth.例文帳に追加

ＣＭＰ工程において、ＣＭＰ後に埋込み用絶縁膜が残留する問題を防止するために行われるフォトリソグラフィ工程及び異方性エッチング工程を用い、トレンチ１５上の埋込み用絶縁膜を予め所定の深さだけ除去する。 - 特許庁

The CMP process and the film deposition process when manufacturing a semiconductor predicts the amount of polishing, where the residual level difference generated after CMP polishing becomes not more than a prescribed value, by an information processing unit, and deposits the same thickness film as or a thicker film than the amount of polishing in advance before polishing by a CMP apparatus.例文帳に追加

半導体製造におけるＣＭＰプロセスおよび膜堆積プロセスにおいて、ＣＭＰ研磨後に生じる残留段差が規定値以内となる研磨量を情報処理装置で予測し、その研磨量と同一もしくはより厚い膜をＣＭＰ装置で研磨する以前に予め堆積させる。 - 特許庁

To provide a manufacturing technique of semiconductor devices capable of setting a residual level difference in CMP polishing to not more than a prescribed value, improving the manufacturing throughput of a film deposition process and a CMP process, and suppressing costs.例文帳に追加

ＣＭＰ研磨における残留段差を規定値以下としつつ、膜堆積プロセスとＣＭＰプロセスの製造スループット向上とコスト抑制を実現することができる半導体装置の製造技術を提供する。 - 特許庁

To provide a device for treating a CMP process wastewater, capable of treating a CMP process wastewater containing PEG and PPG at a high concentration with a simple device at a relatively low cost, in which a continuous operation for a long period of time is possible.例文帳に追加

ＰＥＧやＰＰＧを高濃度で含有するＣＭＰ工程排水を、簡易な装置で、比較的低コストでしかも長期間の連続運転が可能なＣＭＰ工程排水処理装置を提供すること。 - 特許庁

CERIUM OXIDE POLISHING PARTICLE AND ITS PRODUCTION PROCESS, SLURRY COMPOSITION FOR CMP AND ITS PRODUCTION PROCESS, AND SUBSTRATE POLISHING METHOD UTILIZING IT例文帳に追加

酸化セリウム研磨粒子及びその製造方法と、ＣＭＰ用スラリー組成物及びその製造方法と、それらを利用した基板研磨方法 - 特許庁

In the semiconductor device, the metal seed films 24 and 26 are not exposed and removed in a planarization process by CMP.例文帳に追加

このためＣＭＰによる平坦化工程において、金属シード膜２４、２６は露出せず、除去されない - 特許庁

By adjusting the thickness of the low-k CMP protective layer 5, it is possible to respond to a large change in the CMP process without seriously affecting the effective permittivity of a structure 9.例文帳に追加

低ｋＣＭＰ保護層５の厚さを調節して当該構造９の有効誘電率に著しい影響を与えることなしにＣＭＰプロセス内の大きな変化に対応できる。 - 特許庁

To provide a slurry supply pipe and a retention preventing method which can reduce costs for CMP by reducing the amount of slurry to be discarded and by reducing a process time for CMP.例文帳に追加

廃棄するスラリーの量を減少し、しかもＣＭＰの工程時間を短縮することによってＣＭＰのコストを軽減できるスラリー供給管及び滞留防止方法を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing cloth for CMP processing, a CMP device and a method for manufacturing a semiconductor device, wherein a change of a thickness of a polishing layer can be monitored in a wafer polishing or dress process.例文帳に追加

ウェハ研磨またはドレス工程による研磨層の厚さ変化をモニタすることのできるＣＭＰ加工用研磨布、ＣＭＰ装置並びに半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A CMP stopper film is formed on the recessed face of a layer whose surface is rugged, and the layer in a disused region is polished through a CMP method in a polishing process.例文帳に追加

凹凸面を備えている層の特定の凹面にＣＭＰ用ストッパ膜を形成した後に、ＣＭＰ法を使用して、不要な領域の層を研磨する工程を有するものである。 - 特許庁

Alternatively, a silicon carbide substrate preliminarily subjected to a CMP process and a process of forming a silicon carbide film by epitaxial growth can be used as the seed crystal 1.例文帳に追加

また、予めＣＭＰ処理及びエピタキシャル成長による炭化珪素皮膜を施した炭化珪素基板を種結晶１として使用してもよい。 - 特許庁

To provide cerium oxide polishing particles and its production process, a slurry composition for CMP and its production process, and a substrate polishing method utilizing it.例文帳に追加

酸化セリウム研磨粒子及びその製造方法と、ＣＭＰ用スラリー組成物及びその製造方法と、それらを利用した基板研磨方法を提供する。 - 特許庁

To realize a method for manufacturing an SOI wafer for improving uniformity of the thickness of a semiconductor layer, using an oxidizing process and a wet etching process instead of a CMP process.例文帳に追加

ＣＭＰ工程の代りに酸化工程とウェットエッチング工程を用いることにより、半導体層の厚さの均一度を向上させることができるＳＯＩウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide liquid used for a CMP method which effectively cleans a polisher and a wafer in a polishing process by the CMP method and a process to clean the polisher, and to provide the manufacturing method of a semiconductor device including the effective cleaning process.例文帳に追加

ＣＭＰ法による研磨工程や、研磨装置を洗浄する工程において、研磨装置やウェハの洗浄を効率的に行なうことができるＣＭＰ法に用いる液体、および効率的な洗浄が可能な工程を備えた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Moreover, a crucible 3 can be assembled by preliminarily adhering and fixing the seed crystal 1 with a graphite-based adhesive to the upper lid 4 of the graphite crucible 3, and then subjecting the surface of the adhered seed crystal 1 to a CMP process or a CMP process and a process of forming a silicon carbide by epitaxial growth.例文帳に追加

さらに、予め黒鉛坩堝３の上部蓋４と、種結晶１をグラファイト系接着剤により接着固定し、その後接着された種結晶１の表面にＣＭＰ処理、もしくはＣＭＰ処理及びエピタキシャル成長による炭化珪素皮膜を施して坩堝３を組み立ててもよい。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which restrains wiring metals on the polished surface of a wafer from being corroded by eliminating a time spent for exposing the polished surface of a wafer to an atmosphere from a CMP (chemical mechanical polishing) process up to a cleansing process, to provide a polishing device that realizes the above CMP process, and to provide a polishing system.例文帳に追加

ＣＭＰ終了から洗浄までの間に、ウエーハの研磨面が雰囲気に暴露される時間をなくすことで、研磨面に表出する配線金属の腐食を抑制した半導体装置の製造方法、かかるＣＭＰを実現する研磨装置及び研磨システムを提供する。 - 特許庁

To prevent the corrosion of a conductive film in a CMP process when a wiring is formed by a Damascene method.例文帳に追加

ダマシン法により配線を形成する際に、ＣＭＰ工程における導電膜の腐食を防止できるようにする。 - 特許庁

To realize a high-accurate alignment in high contrast even when an alignment mark that is low in a level difference is used in a CMP process.例文帳に追加

ＣＭＰプロセス等における段差の低いアライメントマークに対しても高いコントラストで高精度なアライメントを達成する。 - 特許庁

To prepare a film with a low dielectric constant of 2.0-3.0 and which can resist to a CMP process of an LSI.例文帳に追加

比誘電率が２．０〜３．０で、ＬＳＩのＣＭＰ工程に耐える機械強度を有する低誘電率膜を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing apparatus which can unload a wafer in a chemical mechanical polishing (CMP) process with stability.例文帳に追加

化学的機械的平坦化ＣＭＰ過程でウェーハを安定的にアンローディングすることができるポリッシング装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device that decreases a scratch and a variation in polishing amount occurred in a CMP process.例文帳に追加

ＣＭＰ処理で発生するスクラッチと研磨量ばらつきを低減した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A CMP process is used to polish the surface of the semiconductor wafer during the step for forming an interconnecting line or a via.例文帳に追加

ＣＭＰ工程は、相互接続線やビアを形成するステップの間に半導体表面を研磨するために用いられる。 - 特許庁

To provide a method of substantially enhancing the selectivity of the chemical-mechanical polishing(CMP) planarizing process.例文帳に追加

本発明は、化学機械研磨（ＣＭＰ）プレーナー化処理の選択性を実質的に増加させる方法の提供を目的とする。 - 特許庁

Then, a smoothing process of smoothing the surface of the wafer W by polishing it into a mirror face by a CMP(chemical mechanical polishing) device 3 is carried out.例文帳に追加

そして、ウエハＷ表面をＣＭＰ装置３で鏡面研磨して平滑化する平滑化工程を実行する。 - 特許庁

Then, by a CMP treatment using a polishing pad 24, a solidified layer breaking process is performed which breaks the solidified layer 43.例文帳に追加

その後、研磨パッド２４を用いたＣＭＰ処理によって、硬化層４３を破壊する硬化層破壊工程が行われる。 - 特許庁

To provide a CMP abrasive slurry-containing waste water treating device capable of flocculating fine abrasive grain or the like contained in the CMP abrasive slurry-containing waste water discharged from a CMP process and solid/liquid separating to easily recover water containing no solid matter.例文帳に追加

ＣＭＰ工程より排出されるＣＭＰ用研磨スラリー含有排水に含まれる微細な砥粒などを凝集させて固液分離し、固形分を含まない水を容易に回収することができるＣＭＰ用研磨スラリー含有排水処理装置を提供する。 - 特許庁

The SOC film 160 can be processed at low temperature, a fall problem can be prevented by minimizing stress applied to the vertical type transistor 150, and a CMP process can be eliminated because a surface roughening phenomenon supposed to occur in a high-temperature annealing process does not occur.例文帳に追加

SOC膜160は低温処理が可能であり、垂直型トランジスタ150に加えるストレスを最小化して倒れ問題を防止することができ、高温アニーリング工程で発生する表面の粗化現象がないので、CMP工程を省略することができる。 - 特許庁

To satisfactorily perform CMP without generating a remaining film, dishing, or the like even if performing CMP by a fixed abrasive grain method in a process for manufacturing a semiconductor device having an STI structure.例文帳に追加

ＳＴＩ構造の半導体装置の製造過程において固定砥粒方式によるＣＭＰを行う場合であっても、残膜やディッシング等が生じることなく良好にＣＭＰを行えるようにする。 - 特許庁

A spin-on low-k CMP protective layer 5 prevents a damage which may occur on the low-k dielectric 3 due to an uneven CMP process from the center to an edge or in an area varied in metal density.例文帳に追加

スピンオン低ｋＣＭＰ保護層５は、中央部からエッジへのまたは金属密度が変化する領域におけるＣＭＰプロセスの非均一性のために生じ得る低ｋ誘電体３へのダメージを阻止する。 - 特許庁

The device 10A for treating the CMP process wastewater includes a raw water feeding device 1A for feeding the CMP process wastewater containing 10^3-10^5 mg/l of polyethylene glycol or polypropylene glycol to an evaporation concentration device 4; and the evaporation concentration device 4 in which the fed CMP process wastewater is subjected to an evaporation concentration treatment to obtain a concentrated liquid and condensed water of evaporation part.例文帳に追加

ポリエチレングリコール又はポリプロピレングリコール１０^^3〜１０^5ｍｇ／ｌを含有するＣＭＰ工程排水を蒸発濃縮装置４に供給する原水供給装置１Ａと、供給された前記ＣＭＰ工程排水を蒸発濃縮処理して濃縮液と蒸発分の凝縮水を得る蒸発濃縮装置４と、を含むＣＭＰ工程排水処理装置１０Ａ。 - 特許庁

In the landing plug contact forming method, an existing CMP process is not used for a poly-silicon recess for isolating the landing plug contact (LPC), but an etch-back process of two steps is used.例文帳に追加

本発明では、ランディングプラグコンタクト(ＬＰＣ)の分離のためのポリシリコンリセス(Ｒｅｃｅｓｓ)のために、既存のＣＭＰ工程を用いず、２ステップのエッチバック工程を用いる。 - 特許庁

To provide a chemical mechanical polishing composition accelerating removal of silicon oxide and silicon nitride used in the final process of a 3-process CMP-STI (Chemical Mechanical Polishing-Shallow Trench Isolation) method.例文帳に追加

３工程ＣＭＰ−ＳＴＩ法の最終工程で使用するための、酸化ケイ素及び窒化ケイ素の両方の除去を促進するケミカルメカニカル研磨組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a design and a manufacturing technology of a semiconductor device capable of optimizing the design and process of each product to materialize a flatness after a CMP process.例文帳に追加

製品毎に設計及びプロセスを最適化して、ＣＭＰ加工後の平坦化を実現することができる半導体デバイスの設計及び製造技術を提供する。 - 特許庁

To efficiently design a dummy pattern to be formed on a wiring layer for eliminating the surface step of polished surfaces after a chemical mechanical polishing(CMP) process in a production process of semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造過程でＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）工程後の研磨面の表面段差を解消するために配線層に形成するダミーパターンを効率よく設計する。 - 特許庁

To provide an element for confirmation and an inspection method thereof for determining the end point of polishing process in the CMP process to form an embedded conductive layer within the recessed area of an insulation film.例文帳に追加

絶縁膜の凹部内に導電層を埋め込み形成するＣＭＰ工程おける研磨終点を判断できる確認用素子及びその検査方法を提供する。 - 特許庁

The polarity of slurry is controlled to keep the equilibrium of a material removing rate from respective crystal faces during a CMP process.例文帳に追加

スラリーの極性は、ＣＭＰプロセスの間それぞれの結晶面からの材料除去速度を平衡に保つように制御される。 - 特許庁

To provide a method of acquiring planarity of a wafer which is more useful and higher in accuracy to manage a state of a CMP process.例文帳に追加

ＣＭＰ工程の状態を管理する上で、より有用で、より精度の高いウェーハの平坦度を取得する方法の提供。 - 特許庁

PROCESS FOR MANUFACTURING TWO KINDS OF DIFFERENT GATE DIELECTRIC THICKNESSES USING POLYSILICON MASK AND CHEMICAL MECHANICAL POLISHING(CMP) PLANARIZATION例文帳に追加

ポリシリコン・マスクと化学機械研摩（ＣＭＰ）平坦化を使用して２通りの異なるゲート誘電体厚を製作するためのプロセス - 特許庁