「co sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

METHOD FOR MANUFACTURING SPUTTERING TARGET MATERIAL OF Co-Cr BASED ALLOY例文帳に追加

Ｃｏ−Ｃｒ系合金スパッタリングターゲット材の製造方法 - 特許庁

Fe-Co-BASED ALLOY SPUTTERING TARGET MATERIAL FOR FORMING SOFT MAGNETIC FILM例文帳に追加

軟磁性膜形成用Ｆｅ−Ｃｏ系合金スパッタリングターゲット材 - 特許庁

Co-Ta ALLOY SPUTTERING TARGET AND ITS PRODUCTION例文帳に追加

Ｃｏ−Ｔａ系合金スパッタリングターゲット及びその製造方法 - 特許庁

HIGH PURITY Co-Fe ALLOY SPUTTERING TARGET, MAGNETIC THIN FILM DEPOSITED BY USING SAME SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR PRODUCING SAME HIGH PURITY Co-Fe ALLOY SPUTTERING TARGET例文帳に追加

高純度Ｃｏ−Ｆｅ合金スパッタリングターゲット及び同スパッタリングターゲットを用いて形成した磁性薄膜並びに高純度Ｃｏ−Ｆｅ合金スパッタリングターゲットの製造方法 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING Fe-Co-Ni-BASED ALLOY SPUTTERING TARGET MATERIAL例文帳に追加

Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ系合金スパッタリングターゲット材の製造方法 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING Co-Fe-Ni-BASED ALLOY SPUTTERING TARGET MATERIAL例文帳に追加

Ｃｏ−Ｆｅ−Ｎｉ系合金スパッタリングターゲット材の製造方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING Co-BASED SPUTTERING TARGET MATERIAL CONTAINING OXIDE例文帳に追加

酸化物を含有したＣｏ基スパッタリングターゲット材の製造方法 - 特許庁

Fe-Co-BASED ALLOY SPUTTERING TARGET MATERIAL, AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME例文帳に追加

Ｆｅ−Ｃｏ系合金スパッタリングターゲット材およびその製造方法 - 特許庁

Co-Fe-BASED ALLOY SPUTTERING TARGET MATERIAL, AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME例文帳に追加

Ｃｏ−Ｆｅ系合金スパッタリングターゲット材およびその製造方法 - 特許庁

Co-Fe-BASED ALLOY SPUTTERING TARGET MATERIAL AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME例文帳に追加

Ｃｏ−Ｆｅ系合金スパッタリングターゲット材およびその製造方法 - 特許庁

SINTERED SPUTTERING-TARGET MATERIAL OF Co-Zr-BASED ALLOY AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

Ｃｏ−Ｚｒ系合金焼結スパッタリングターゲット材およびその製造方法 - 特許庁

Co-Fe-Zr-BASED ALLOY SPUTTERING TARGET MATERIAL AND PROCESS FOR PRODUCTION THEREOF例文帳に追加

Ｃｏ−Ｆｅ−Ｚｒ系合金スパッタリングターゲット材およびその製造方法 - 特許庁

In addition, multicomponent films are coated on a substrate by way of magnetron co-sputtering.例文帳に追加

そしてマグネトロン同時スパッタリングによって複合膜を基板上に成膜する。 - 特許庁

Co-Cr-Pt-B-BASED ALLOY SPUTTERING TARGET AND ITS PRODUCTION METHOD例文帳に追加

Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ系合金スパッタリングターゲット及びその製造方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING Co-TYPE SPUTTERING TARGET MATERIAL WITH LOW MAGNETIC PERMEABILITY FOR MAGNETIC RECORDING MEDIUM例文帳に追加

磁気記録媒体用低透磁率スパッタリングＣｏ系ターゲット材の製造方法 - 特許庁

Both sources are arranged, so that a plasma region of the Si sputtering source 3 and a plasma region of the Co sputtering source 4 overlap each other.例文帳に追加

そして、Ｓｉスパッタ源３のプラズマ領域とＣｏスパッタ源４のプラズマ領域とが重なるように配置されている。 - 特許庁

A sputtering apparatus using a complex target of a silicon target 2 and an Eu_2O_3 sintering member 1 in order to deposit this luminant by co-sputtering is provided.例文帳に追加

この発光体を共スパッタで成膜するために、シリコンターゲット２とＥｕ_2Ｏ_3焼結体１との複合ターゲットを用いたスパッタ装置。 - 特許庁

This forming device of the electrode for the lithium secondary battery has an Si sputtering source 3 for sputtering Si, for constituting the active material layer on the surface of a collector 1; and a Co-sputtering source 4 for sputtering Co, constituting the active material layer on the surface of the current collector 1.例文帳に追加

このリチウム二次電池用電極の形成装置は、集電体１の表面上に、活物質層を構成するＳｉをスパッタするためのＳｉスパッタ源３と、集電体１の表面上に、活物質層を構成するＣｏをスパッタするためのＣｏスパッタ源４とを備えている。 - 特許庁

First, a Co-Zr-Ta magnetic film 14 is formed on a substrate 10 by sputtering.例文帳に追加

まず、基板１０上にＣｏ−Ｚｒ−Ｔａ系の磁性膜１４をスパッタリングにより形成する。 - 特許庁

Co-BASE SINTERED ALLOY SPUTTERING TARGET FOR FORMATION OF MAGNETIC RECORDING FILM WHICH IS LESS LIKELY TO GENERATE PARTICLE例文帳に追加

パーティクル発生の少ない磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲット - 特許庁

Co ALLOY TARGET, ITS PRODUCTION, APPARATUS FOR SPUTTERING, MAGNETIC RECORDING FILM AND DEVICE FOR MAGNETIC RECORDING例文帳に追加

Ｃｏ合金系ターゲット、その製造方法、スパッタリング装置、磁気記録膜および磁気記録装置 - 特許庁

To provide a sputtering target for depositing a Co-based magnetic film having excellent coercive force and less medium noise by the sputtering method.例文帳に追加

保磁力に優れ、媒体ノイズの少ないＣｏ系合金磁性膜をスパッタリング法によって形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide an Fe-Co alloy sputtering target material by which machinability of an Fe-Co alloy sputtering target material for deposition of soft magnetic films used for a perpendicular magnetic recording medium can be improved and sputtering of the soft magnetic films can be stably done.例文帳に追加

垂直磁気記録媒体に用いられる軟磁性膜形成用のＦｅ−Ｃｏ系合金スパッタリングターゲット材の機械加工性を向上させるとともに、軟磁性膜を安定してスパッタリング可能なＦｅ−Ｃｏ系合金スパッタリングターゲット材を提供する。 - 特許庁

A normal cleaning step and HF processing are performed, and a Co film is deposited on a substrate face through sputtering.例文帳に追加

通常の洗浄工程、ＨＦ処理を施し、Ｃｏ膜をスパッタリングにより基板面に堆積させる。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF Co-BASE SINTERED ALLOY SPUTTERING TARGET FOR FORMING MAGNETIC RECORDING FILM OF LOW RELATIVE MAGNETIC PERMEABILITY例文帳に追加

比透磁率の低い磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法 - 特許庁

Otherwise, the Co-based sputtering target material containing the oxide may be formed at a forming temperature of 1,000-1,350°C.例文帳に追加

また、上記成形温度を１０００〜１３５０℃とする酸化物を含有したＣｏ基スパッタリングターゲット材。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING Co-BASED SINTERED ALLOY SPUTTERING TARGET FOR FORMING MAGNETIC RECORDING FILM HAVING LOW MAGNETIC PERMEABILITY例文帳に追加

低透磁率を有する磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法 - 特許庁

To provide an Fe-Co based alloy sputtering target material which can stably sputter a soft magnetic film.例文帳に追加

軟磁性膜を安定してスパッタリング可能なＦｅ−Ｃｏ系合金スパッタリングターゲット材を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering target material of a Co-Cr based alloy, which can reduce the irregularity of a Co-Cr based alloy film that is formed with a sputtering technique and is used for an intermediate layer of a perpendicular magnetic recording medium.例文帳に追加

スパッタリングによって成膜される垂直磁気記録媒体の中間層用Ｃｏ−Ｃｒ系合金膜のバラツキを抑制することが可能なＣｏ−Ｃｒ系合金スパッタリングターゲット材を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING Co-BASE SINTERED ALLOY SPUTTERING TARGET FOR FORMATION OF MAGNETIC RECORDING FILM WHICH IS LESS LIKELY TO GENERATE PARTICLE例文帳に追加

パーティクル発生の少ない磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法 - 特許庁

Further, the Co-based sputtering target material containing the oxide may be formed under a forming pressure of 500-1,000 MPa.例文帳に追加

さらに、上記成形圧力を５００〜１０００ＭＰａとする酸化物を含有したＣｏ基スパッタリングターゲット材。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING Co-BASED SINTERED ALLOY SPUTTERING TARGET TO BE USED IN FORMING MAGNETIC RECORDING FILM WITH LITTLE PARTICLE GENERATION例文帳に追加

パーティクル発生の少ない磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING Co BASED SINTERED ALLOY SPUTTERING TARGET FOR FORMING MAGNETIC RECORDING FILM WHICH IS LESS LIKELY TO GENERATE PARTICLE例文帳に追加

パーティクル発生の少ない磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法 - 特許庁

The Co thin-film layer 13 has a thickness of approximately 10 to 800 nm, and the Co thin-film layer 13 of this thickness can be formed by a vapor deposition method or a sputtering method.例文帳に追加

Ｃｏ薄膜層１３は、１０ｎｍ〜８００ｎｍ程度の厚さであり、この厚さのＣｏ薄膜層１３は、蒸着法、スパッタリング法によって形成することができる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a Co-base sintered alloy sputtering target for forming a magnetic recording film of low relative magnetic permeability.例文帳に追加

低透磁率を有する磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing Co-based sintered alloy sputtering target for forming magnetic recording film having low relative magnetic permeability.例文帳に追加

比透磁率の低い磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering target material of an Fe-Co-Ni-based alloy having low magnetic permeability, which can improve the efficiency of use in the magnetron sputtering, and can increase the plate thickness of the target.例文帳に追加

マグネトロンスパッタリングにおける使用効率改善やターゲット板厚を厚くすることが可能である透磁率の低いＦｅ−Ｃｏ−Ｎｉ系合金スパッタリングターゲット材を提供する。 - 特許庁

To provide a method of fabricating a precious metal magnetic sputtering target comprising multiphase Co-Cr-B-Pt and having enhanced sputtering target characteristics from manufacturing and applications standpoints.例文帳に追加

製造と応用の観点から優れたスパッタリングターゲット特性を有する、多相のＣｏ−Ｃｒ−Ｂ−Ｐｔからなる貴金属磁気スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

In the sputtering film deposition method, a metal target is sputtered by a sputtering gas in the presence of a reactive gas of CO_2 and/or CO, and the transparent thin film composed of the oxide of the metal is deposited on the substrate by setting the reaction mode during the sputtering as an oxidation mode.例文帳に追加

ＣＯ_２及び／又はＣＯの反応性ガスの存在下で金属ターゲットをスパッタガスによりスパッタリングし、当該スパッタリング中の反応モードを酸化モードとして基板上に前記金属の酸化物からなる透明薄膜を成膜する。 - 特許庁

Co atoms 31, Pt atoms 32 and SiO_2 molecules 33 are poured onto the surface of a substrate 21 mounted on a sputtering device.例文帳に追加

スパッタリング装置に装着された基板２１の表面には、Ｃｏ原子３１、Ｐｔ原子３２およびＳｉＯ_2 分子３３が降り注がれる。 - 特許庁

After that, a co-sputtering process that uses the copper target and the silicon oxide target or a sputtering process that uses the composite target is performed to deposit a compound film on a surface of the substrate.例文帳に追加

その後、銅ターゲットおよびシリコン酸化物ターゲットを使用して同時スパッタリングプロセスを行うか、あるいは、複合ターゲットを使用してスパッタリングプロセスを行って、基板の表面に混合膜を沈積させる。 - 特許庁

To produce a Co alloy sputtering target and a method for producing it in which a Co-Ta alloy magnetic material target is produced by a melting method, the producing process of the target is reduced, its uniformity is made satisfactory as well, and a magnetic sputtering thin film having higher coercive force can be obtained.例文帳に追加

Ｃｏ−Ｔａ系合金磁性材ターゲットを溶解法によって作製し、ターゲットの製造工程及を短縮化するとともに、ユニフォ−ミティ−を良好にし、さらに高い保磁力を有する磁性スパッタリング薄膜を得ることができるＣｏ系合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法を得る。 - 特許庁

The recording layer is film-deposited by a sputtering method using a target formed by mixing an alloy containing at least Co and a crystalline SiO_2 powder.例文帳に追加

少なくともＣｏを含む合金と、結晶質ＳｉＯ_2粉末を混合したターゲットを用いてスパッタリング法を用いて記録層を成膜する。 - 特許庁

To provide a method of producing a Co based sputtering target consisting of cobalt or a cobalt based alloy which has high magnetic anisotropy and is hard to be cracked.例文帳に追加

高い磁気異方性を有し且つヒビ割れしにくいコバルトまたはコバルト基合金からなるＣｏ系スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a technique for reducing the generation of splashes, particularly, initial splashes in the case an Al-(Ni, Co)-(La, Nd) based alloy or an Al-(Ni, Co)-(La, Nd)-(Cu, Ge) based alloy is used as a sputtering target.例文帳に追加

スパッタリングターゲットとしてＡｌ−（Ｎｉ，Ｃｏ）−（Ｌａ，Ｎｄ）系合金またはＡｌ−（Ｎｉ，Ｃｏ）−（Ｌａ，Ｎｄ）−（Ｃｕ，Ｇｅ）系合金を用いた場合にスプラッシュ、特に初期スプラッシュの発生を低減し得る技術を提供する。 - 特許庁