「difference gate」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

The amplification apparatus having a carrier amplifier and peak amplifier for amplifying an input signal to be outputted as an output signal includes a comparator for comparing a potential difference between both edges of a resistor disposed in a gate bias circuit of the peak amplifier with a predetermined threshold value, and a failure detection circuit for outputting the signal for indicating whether or not the failure has occurred based on the signal outputted from the comparator.例文帳に追加

キャリア増幅器及びピーク増幅器を有し、入力信号を増幅して出力信号として出力する増幅装置において、ピーク増幅器のゲートバイアス回路に配置された抵抗の両端電位差を所定の閾値と比較する比較器と、この比較器から出力される信号に基づいて故障の有無を示す信号を出力する故障検出回路と、を備える増幅装置に関する。 - 特許庁

The organic semiconductor thin-film transistor of a bottom gate/bottom contact type comprises a flattening layer 7 formed continuously between a source electrode 5 and a drain electrode 6 for moderating a height-level difference between both electrode ends, wherein the flattening layer 7 has control over crystal orientation, thereby forming an organic semiconductor layer over a predetermined portion of the top of the flattened source electrode, the flattening layer, and the drain electrode.例文帳に追加

ボトムゲート・ボトムコンタクト型の有機半導体薄膜トランジスタであって、ソース電極５とドレーン電極６との間に、両電極端の段差を平坦化するように連続的に設けられた平坦化層７をさらに備え、平坦化層７は、結晶配向規制力を有し、平坦化されたソース電極、平坦化層、およびドレーン電極の上部の所定部分に渡って有機半導体層が形成される。 - 特許庁

In a semiconductor substrate after STI formation as element isolation, a channel dope step is performed on the memory cell of a memory region before gate oxidation, and wet etching is performed for adjusting an STI step using a hydrofluoric acid containing solution in a state with a resist after a predetermined impurity is completely injected, so that a difference between the STI protruding amounts of the memory region and the logic region becomes approximately equal.例文帳に追加

素子分離としてのＳＴＩ形成後の半導体基板において、メモリ領域のメモリセル部に対するチャネルドープ工程をゲート酸化前に行い、所定の不純物注入完了後にレジスト付きの状態にてフッ酸含有の溶液によりＳＴＩ段差を調整するためウエットエッチングを行い、メモリ領域とロジック領域のＳＴＩ突き出し量の差が同程度になるようにした。 - 特許庁