「difference gate」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

As the film thickness of the gate electrode GT, such a film thickness that is considered to have no level difference to a gate insulating film to be formed on the gate electrode GT is obtained.例文帳に追加

ゲート電極ＧＴの膜厚は、上層に形成するゲート絶縁膜に対しては段差レスとも看做される膜厚が得られる。 - 特許庁

To automatically open/close a gate by utilizing a water level difference while forcibly opening/closing the gate as required.例文帳に追加

水位差を利用してゲートを自動的に開閉する一方で、必要に応じて強制的にゲートを開閉できるようにする。 - 特許庁

Thus, the insulating film between the control gate 26 and the floating gate 9 is provided with a sufficient difference in film-thickness.例文帳に追加

これにより、コントロールゲート２６とフローティングゲート９との間の絶縁膜に十分な膜厚差を持たせることができる。 - 特許庁

To minimize a difference in the work function between a gate electrode and a semiconductor film and reduce the resistance of the gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極と半導体薄膜との間の仕事関数差を小さくし、且つ、ゲート電極の抵抗を小さくする。 - 特許庁

This induces difference in a gate-source voltage Vgs of drive transistors in the horizontal direction of the panel when the threshold correction is finished, so as to offset the difference in the gate voltage drop immediately before light emission.例文帳に追加

これにより閾値補正終了時にパネル左右で駆動トランジスタのゲート・ソース間電圧Ｖｇｓに差を持たせ、発光直前でのゲート電圧低下の差と相殺する。 - 特許庁

Each of gate insulating films 31, 66 is then dry etched to give a predetermined difference of film thickness.例文帳に追加

各ゲート絶縁膜31，66のそれぞれを、所定の膜厚差となるまでドライエッチングする。 - 特許庁

To provide a gate opening and closing operation method of a river structure and its device capable of automatically opening a gate when an actual difference between inside and outside water levels detected by a difference sensor provided to the lower part of the gate becomes larger than a set point set in advance.例文帳に追加

ゲートの下部に設けられた内外水位差センサで検出された実際の内外水位差が予め設定された設定値より大きくなったときに前記ゲートを自動的に開らかせるようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of reducing a difference of a threshold voltage depending on a gate length of a silicide gate electrode.例文帳に追加

シリサイドゲート電極のゲート長に依存する閾値電圧の差異を小さくすることが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

When difference in stress in the tensile direction between a gate insulating film 6 and a gate electrode 7 exceeds approximately 2×109 dyn/cm2 or more, only the gate electrode 7 tends to deform and the surrounding of the gate electrode 7 is peeled off from the gate insulating film 6.例文帳に追加

ゲート絶縁膜６にゲート電極７が引張方向の応力差が２×１０^9ｄｙｎ／ｃｍ^2 程度以上になるとゲート電極７だけが変形しようとしてゲート電極７の周囲がゲート絶縁膜６から剥離する。 - 特許庁

The difference between the first distance and the second distance determines the final gate length of a device.例文帳に追加

第１の距離と第２の距離との間の差が、最終的なデバイスのゲート長を定める。 - 特許庁

At that time, the height difference between the surface of the first silicon film and the surface of the second silicon film is made smaller than the gate length of the first gate electrode or the second gate electrode.例文帳に追加

このとき、第１シリコン膜表面と、第２シリコン膜表面との高さの差は、第１ゲート電極又は第２ゲート電極のゲート長よりも小さいものとする。 - 特許庁

A driving method of the liquid crystal display device comprises: a process of calculating a difference value between a number of gate lines and a number of the gate channels; a process of generating a gate shift clock signal including at least one dummy shift clock, based on the difference value; and a process of supplying gate pulses to the gate lines in accordance with the gate clock signal.例文帳に追加

また、本発明の１つの実施の形態に係る液晶表示装置の駆動方法は、ゲートラインの本数とゲートチャンネルの個数の差分を演算するステップと、差分に基づいて少なくとも１つのダミーシフトクロックを含むゲートシフトクロック信号を生成するステップと、ゲートシフトクロック信号に従ってゲートラインへゲートパルスを供給するステップとを含む。 - 特許庁

The fuse peripheral circuit of the semiconductor appratus comprises a fuse 10, a potential difference grant circuit 20, a potential difference reduction circuit 30, a terminal 40, a memory circuit 50, a transfer gate 60, and a logical gate 70.例文帳に追加

図２のヒューズ周辺回路は、ヒューズ１０、電位差付与回路２０、電位差低減回路３０、端子４０、記憶回路５０、トランスファゲート６０、および論理ゲート７０を有している。 - 特許庁

A fuse peripheral circuit has the fuse 10, a potential difference applying circuit 20, a potential difference reducing circuit 30, a terminal 40, a memory circuit 50, a transfer gate 60, and a logic gate 70.例文帳に追加

図２のヒューズ周辺回路は、ヒューズ１０、電位差付与回路２０、電位差低減回路３０、端子４０、記憶回路５０、トランスファゲート６０、および論理ゲート７０を有している。 - 特許庁

A mass is applied to the gate pump 20 so that there may be a difference between the frequency of the load applied to the gate 3 and the natural frequency of translation vibration outward of a gate plane or a difference between the frequency of the load applied to the gate and the doubled natural vibration of oscillating vibration of the gate pump 20 with respect to a horizontal line 22.例文帳に追加

また、ゲート３が受ける荷重の周波数と、ゲート面外方向の並進振動の固有振動数との差、或いはゲート３が受ける荷重の周波数と、ゲートポンプ２０の水平線２２に関する遥動振動の固有振動数の２倍との差、が有るようにゲートポンプ２０に質量を付加する。 - 特許庁

At this time, the first transistor 102 is ON and a potential difference is incurred between the gate and a source.例文帳に追加

そのとき、トランジスタ１０２は、オン状態にあり、そのゲート・ソース間には電位差が生じている。 - 特許庁

The difference between the two inputs to the control circuit 5 is output to the gate of a MOSFET 3.例文帳に追加

制御回路５のこれら二つの入力の差分をＭＯＳＦＥＴ３のゲートに出力する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device together with its manufacturing method, wherein an insulating film between a control gate and a floating gate is provided with a sufficient film-thickness difference.例文帳に追加

コントロールゲートとフローティングゲートとの間の絶縁膜に十分な膜厚差を持たせた半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve flatness of an interlayer insulating film by reducing a step difference between a gate electrode and a source layer and between the gate electrode and a drain layer as much as possible.例文帳に追加

本発明はゲート電極とソース層及びドレイン層との段差を極力小さくして、層間絶縁膜の平坦性を改善する。 - 特許庁

A gate generation part 53 sets a gate based on a difference absolute value between a value of a pixel of a noticing frame and a value of a pixel of a frame of the background image.例文帳に追加

ゲート生成部５３は、注目フレームの画素の値と、背景画像のフレームの画素の値との差分絶対値に基づいてゲートを設定する。 - 特許庁

To eliminate a difference in emission luminance due to a difference in gate voltage drop immediately before light emission in pixels in a horizontal direction of a panel, which is caused by blunting of a scanning pulse.例文帳に追加

走査パルスの鈍りに起因し、パネル左右の画素での発光直前のゲート電圧低下分の差による発光輝度差を解消する。 - 特許庁

The potential difference reduction circuit 30 comprising a transfer gate 32 (a second transfer gate), a terminal 34 (a second terminal), and a terminal 36 reduces the potential difference given to the both ends of the fuse 10 given by the above potential difference grant circuit 20.例文帳に追加

電位差低減回路３０は、トランスファゲート３２（第２のトランスファゲート）、端子３４（第２の端子）および端子３６を含んで構成されており、上述の電位差付与回路２０によってヒューズ１０の両端に与えられた電位差を低減させる。 - 特許庁

Thereby the width in the shifting direction of the gate groove 110 and the width in its perpendicularly intersecting direction can be narrowed, and the level difference of the gate groove can be reduced.例文帳に追加

これにより、ゲート溝１１０のシフト方向の幅およびシフト直交方向の幅を狭くすることができ、かつ、ゲート溝段差を小さくすることができる。 - 特許庁

When the stress difference in the pressing direction exceeds 3×109 dyn/cm2 or more, the central part in the gate electrode 7 is peeled off from the gate insulating film 6.例文帳に追加

圧縮方向の応力差が３×１０^9 ｄｙｎ／ｃｍ^2 以上になると、ゲート電極７の中央部がゲート絶縁膜６から剥離する。 - 特許庁

In a step formed by a difference in level between the front surface of the gate electrode material and that of the semiconductor substrate, a side wall is formed.例文帳に追加

ゲート電極材料表面と半導体基板表面の段部にサイドウォールを形成する。 - 特許庁

A comparator 7 obtains the difference in outputs of the integration devices 5, 6 and gives a voltage corresponding to the difference to a gate of a FET 2 in order to adjust the bias current of the FET 2.例文帳に追加

比較器７は、各積分器５、６の出力の差を求め、これに応じた電圧をＦＥＴ２のゲートに供給し、バイアス電流を調整する。 - 特許庁

The bicycle parking lot gate apparatus 100 is equipped with a gate 21 (23) having one side section fixed to a vertical rotary shaft, a gate 22 (24) having one side section fixed to the vertical rotary shaft and a mechanism holding a rotation phase difference between the gate 21 (23) and the gate 22 (24) at about 90 degrees.例文帳に追加

一方の側部を鉛直回転軸に固定したゲート２１（２３）と、一方の側部を鉛直回転軸に固定したゲート２２（２４）と、ゲート２１（２３）とゲート２２（２４）の回転の位相差を約９０度に保持する機構と、を備える駐輪場用ゲート装置１００により、課題の解決を図る。 - 特許庁

This numerical analysis model preparation method includes calculating an existing gate position and featured point from an existing analytic model, and calculating a difference between a given new gate position and the existing gate position, and operating coordinate transformation of nodes to the featured point.例文帳に追加

既存の解析モデルから、既存のゲート位置と特徴点を算出し、与えられた新規のゲート位置と既存のゲート位置との差を計算し、特徴点までの節点を座標変換する。 - 特許庁

To solve a problem of the variation in the threshold voltage of a transistor due to the gate length, the gate width, and the variation in thickness of a gate insulating film, caused by a manufacturing process or the difference of a substrate used.例文帳に追加

トランジスタは、作製工程や使用する基板の相違によって生じるゲート長及びゲート幅並びにゲート絶縁膜の膜厚バラツキなどに起因して、そのしきい値電圧にバラツキが生じる。 - 特許庁

When the gate of the valve pin 51 is fully enclosed, the interval W between the gate taper part 20A and the valve pin taper part 54 is specified 1/4 to 3/4 of the difference between the diameter D of the tip end part 53 thereof and the diameter d of the gate block part 52.例文帳に追加

バルブピン51のゲート閉塞時におけるゲートテーパ部20Ａとバルブピンテーパ部54との間隔Ｗを、先端部53の直径Ｄとゲート閉塞部52の直径ｄとの差の１／４〜３／４とする。 - 特許庁

A 1st level difference correcting layer 31 is arranged on the upper surface of a gate insulating film 7 between a gate line 2 and an auxiliary capacitance line 3, and a 2nd level difference correcting layer 32 is arranged on the upper surface of the gate insulating film 7 and a pixel electrode 6 on the opposite side of the auxiliary capacitance line 3 of the gate line 2.例文帳に追加

ゲートライン２と補助容量ライン３との間におけるゲート絶縁膜７の上面には第１段差修正層３１が設けられ、ゲートライン２の助容量ライン３とは反対側におけるゲート絶縁膜７および画素電極６の上面には第２段差修正層３２が設けられている。 - 特許庁

A control gate electrode 4A is formed through a control gate insulation film 3A on the upper stage at the level difference step 1a and a floating gate electrode 6 is formed on the level difference step 1a to face the semiconductor substrate 1 through a tunnel insulation film 5B and to face the control gate electrode 4A through a capacitor insulation film 5A.例文帳に追加

段差部１ａの上段にはコントロールゲート絶縁膜３Ａを介してコントロールゲート電極４Ａが形成され、段差部１ａの上には、トンネル絶縁膜５Ｂを介して半導体基板１と対向し且つ容量絶縁膜５Ａを介してコントロールゲート電極４Ａと対向するフローティングゲート電極６が形成されている。 - 特許庁

To provide a frequency difference output unit which needs no reference clock for setting a gate time for a counter.例文帳に追加

カウンターのゲート時間を設定する基準クロックを必要としない周波数差分出力装置を提供する。 - 特許庁

To prevent the entrance of hydrogen into the gate oxide film of a transistor by reducing the level difference between a capacity and the transistor.例文帳に追加

容量とトランジスタとの段差を低減し、トランジスタのゲート酸化膜中への水素の侵入を防止する。 - 特許庁

To suppress the variation in the width of a gate electrode by eliminating a difference in level between STI and ACTIVE in a transistor region.例文帳に追加

トランジスタ領域のＳＴＩとＡＣＴＩＶＥの段差を解消し、ゲート電極幅のバラツキを抑制する。 - 特許庁

To provide a water gate device in which wiring and piping work of a water level sensor that opens and closes a door body of a water gate by detecting water level difference of inner and outer water areas can be executed in a small scale.例文帳に追加

内外の水域の水位差を検出して水門の扉体を開閉させる水位センサの配線配管工事が小規模で行える水門装置の提供。 - 特許庁

The addition capacity value of a fringe capacity value and a gate overlapping capacity value between a plurality of MISFET sharing gate source drains is deviated from the analysis of the difference of the differentiation value.例文帳に追加

そして、上記微分値の差の分析から複数のＭＩＳＦＥＴ共通のゲート−ソース・ドレイン間のフリンジ容量値とゲートオーバラップ容量値の和容量値を導出する。 - 特許庁

The complementary inverter circuit drives a charge pump circuit 20 in accordance with input voltages input to the first gate G1 and the second gate G2 between which a potential difference arises.例文帳に追加

相補型インバータ回路は、互いに電位差が生じた第１ゲートＧ１及び第２ゲートＧ２に入力される入力電圧に応じてチャージポンプ回路２０を駆動する。 - 特許庁

Utilizing a difference of etching characteristics in patterning due to a germanium concentration profile, a bottom gate length can be made shorter than a top gate length which is limited by photolithography.例文帳に追加

ゲルマニウム濃度プロファイルによるパターニング時のエッチング特性差を用いることにより、フォトリソグラフィにより限定されたトップゲート長よりボトムゲート長を短くできる。 - 特許庁

As a result, the difference in level in a gate wiring traverse section is relaxed, thereby the step-disconnection is suppressed at a position, where the second layer-wiring 17 traverses the gate wiring.例文帳に追加

この結果、ゲイト配線乗り越え部における段差が緩やかになり、２層目配線１１７が、ゲイト配線を乗り越える部分で段切れすることを抑制する。 - 特許庁

An adder 9 sums an output g of the first AND gate and an output h of the second AND gate and provides an output of the result externally as a phase difference signal i.例文帳に追加

加算器９は第１のＡＮＤゲートの出力ｇと第２のＡＮＤゲートの出力ｈを加算して位相差信号ｉとして外部へ出力する。 - 特許庁

Thus, a high-performance CMOS field effect semiconductor device having the n-type gate electrode and the p-type gate electrode with a prescribed work function difference is provided.例文帳に追加

それにより、所定の仕事関数差のｎ型ゲート電極及びｐ型ゲート電極を備える高性能のＣＭＯＳ電界効果半導体装置が実現可能になる。 - 特許庁

When the potential difference between the source electrode 40 and the first gate electrode 10 is 0 V, the portion of the semiconductor layer 30 opposite to the first gate electrode is conducted.例文帳に追加

ソース電極４０と第１ゲート電極１０との間の電位差が０ボルトのときに、半導体層３０のうちの第１ゲート電極に対向する部分は導通する。 - 特許庁

In a plurality of MISFETs different in gate length L, the dependency of the gate voltage Vg of a capacity Cg between gate source drains is deviated, Cg is differentiated by Vg, and the difference of the differentiation value between the two MISFETs different in gate length.例文帳に追加

ゲート長Ｌの異なる複数のＭＩＳＦＥＴにおいて、ゲート−ソース・ドレイン間の容量Ｃｇのゲート電圧Ｖｇ依存性を導出し、上記ＣｇをＶｇで微分しゲート長の異なる２つのＭＩＳＦＥＴ間の上記微分値の差を分析する。 - 特許庁

The potential difference grant circuit 20 comprises a transfer gate 22 (a first transfer gate), a terminal 24 (a first terminal), and a terminal 26; and gives a predetermined potential difference to the both ends of a fuse 10 at the time of the cutting decision of the fuse 10.例文帳に追加

電位差付与回路２０は、トランスファゲート２２（第１のトランスファゲート）、端子２４（第１の端子）および端子２６を含んで構成されており、ヒューズ１０の切断判定時にヒューズ１０の両端に所定の電位差を与える。 - 特許庁