「dislocation group」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a group III nitride layer group of low dislocation exhibiting excellent crystal quality, and to provide a method for reducing dislocation of group III nitride layer group to be formed.例文帳に追加

低転位で結晶品質に優れたＩＩＩ族窒化物層群を提供するとともに、形成すべきＩＩＩ族窒化物層群の転位低減方法を提供する。 - 特許庁

To provide a group-III nitride epitaxial substrate having a low dislocation density.例文帳に追加

低転位密度のIII族窒化物のエピタキシャル基板を提供する。 - 特許庁

EPITAXIAL SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR LAMINATED STRUCTURE, AND METHOD FOR DECREASING DISLOCATION OF GROUP III NITRIDE LAYER GROUP例文帳に追加

エピタキシャル基板、半導体積層構造及びＩＩＩ族窒化物層群の転位低減方法 - 特許庁

To provide a method of simply forming a III-group nitride film of low dislocation density.例文帳に追加

低転位のIII族窒化物膜を簡易に製造する方法を提供する。 - 特許庁

The second group III nitride 59 comprises areas having a lower dislocation density than that of the first group III nitride.例文帳に追加

第２のIII族窒化物５９は、第１のIII族窒化物の転位密度よりも小さい転位密度の領域を含む。 - 特許庁

To provide a nitride-based III group compound semiconductor in which through dislocation density is suppressed.例文帳に追加

貫通転位を抑制したIII族窒化物系化合物半導体を提供すること。 - 特許庁

To provide group III nitride-based compound semiconductor reduced with through dislocation.例文帳に追加

貫通転位の軽減されたIII族窒化物系化合物半導体を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a group III nitride film of low dislocation by using an easy method.例文帳に追加

簡易な方法により低転位のIII族窒化物膜を製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a group 3B nitride single crystal having low dislocation density and high quality.例文帳に追加

転位密度の低い高品質の３Ｂ族窒化物単結晶の製法を提供する。 - 特許庁

To provide a Zn-doped group 3B nitride crystal having high resistance and low dislocation density.例文帳に追加

高抵抗且つ低転位密度のＺｎドープ３Ｂ族窒化物結晶を提供する。 - 特許庁

The self-supporting group-III nitride single-crystal substrate 20p comprises at least one high dislocation density region 20h and a plurality of low dislocation density regions 20k having a dislocation density lower than that of the high dislocation density region 20h, and has the average dislocation density of at most 5×10^5 cm^-2.例文帳に追加

本ＩＩＩ族窒化物単結晶自立基板は、１つ以上の高転位密度領域２０ｈと、高転位密度領域２０ｈよりも転位密度が低い複数の低転位密度領域２０ｋと、を含み、平均転位密度が５×１０^5ｃｍ^-2以下である。 - 特許庁

To provide a new epitaxial substrate capable of forming a group III nitride layer group superior to a crystallinity at low dislocation, especially an Al included nitride layer group and a semiconductor laminated structure using the same, and to provide a method for decreasing a dislocation of the group III nitride layer group to be formed.例文帳に追加

低転位で結晶性に優れたＩＩＩ族窒化物層群、特にはＡｌ含有窒化物層群を形成することのできる、新規なエピタキシャル基板及びこれを用いた半導体積層構造を提供するとともに、形成すべきＩＩＩ族窒化物層群の転位低減方法を提供する。 - 特許庁

To provide a group III-V semiconductor single crystal having a large size and a low dislocation density.例文帳に追加

大口径で低転位密度のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体単結晶を提供する。 - 特許庁

To produce a group III nitride semiconductor crystal having a large area and a low dislocation density with a simple process.例文帳に追加

大面積で転位密度が小さいIII族窒化物半導体結晶を簡便な工程で製造すること。 - 特許庁

To provide a method for growing a group III nitride crystal having low average dislocation density and high crystallinity.例文帳に追加

平均転位密度が低く結晶性が高いＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法を提供する。 - 特許庁

To produce a group III nitride crystal having a low dislocation density and a large area in a short time compared with conventional crystals.例文帳に追加

転移密度の少ない大面積のＩＩＩ族窒化物結晶を従来よりも短時間で製造する。 - 特許庁

This enables decreasing a dislocation density in the Group III nitride crystal to 1/10 or less of the density before the heat-treating.例文帳に追加

これにより、III族窒化物結晶内の転位密度を加熱処理前の１／１０以下とすることができる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a group III nitride crystal substrate that is of low dislocation density and is inexpensively manufactured.例文帳に追加

転位密度が低く、かつ製造コストが安いＩＩＩ族窒化物結晶基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for easily and efficiently growing a group III nitride crystal having a low dislocation density.例文帳に追加

簡便に効率よく転位密度の低いＩＩＩ族窒化物結晶を成長させる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing group III nitride crystal and a group III nitride crystal substrate, where the surface dislocation density of a ground substrate is reduced and group III nitride crystal having a low dislocation density and high crystallinity is grown on the ground substrate.例文帳に追加

下地基板の表面の転位密度を低減させて、その下地基板上に転位密度が低く結晶性の高いＩＩＩ族窒化物結晶を成長させるＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法およびＩＩＩ族窒化物結晶基板を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a group III nitride crystal, by which the group III nitride crystal having low dislocation density and high crystallinity can be grown on a ground substrate by reducing the dislocation density in the surface of the ground substrate; and to provide a group III nitride crystal substrate.例文帳に追加

下地基板の表面の転位密度を低減させて、その下地基板上に転位密度が低く結晶性の高いＩＩＩ族窒化物結晶を成長させるＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法およびＩＩＩ族窒化物結晶基板を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a group III nitride crystal, a group III nitride crystal substrate and a group III nitride semiconductor device with low dislocation density and low impurity concentration.例文帳に追加

転位密度が低く、かつ、不純物の濃度が低いＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法、ＩＩＩ族窒化物結晶基板およびＩＩＩ族窒化物半導体デバイスを提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a group III nitride crystal substrate by which dislocation density can be decreased and to provide a group III nitride crystal substrate and a semiconductor device.例文帳に追加

転位密度を低減できるＩＩＩ族窒化物結晶基板の製造方法、ＩＩＩ族窒化物結晶基板、および半導体デバイスを提供する。 - 特許庁

To provide a crystal growth method of group-III nitride for producing a high-quality group III nitride crystal with low dislocation density.例文帳に追加

転位密度の低い高品質なＩＩＩ族窒化物結晶を作製することの可能なＩＩＩ族窒化物の結晶成長方法を提供する。 - 特許庁

To provide a new epitaxial substrate, with which a group III nitride layer group low in dislocation and excellent in crystallinity, especially, a nitride layer group containing Al can be formed; and to provide a method for reducing dislocations in the group III nitride layer group to be formed.例文帳に追加

低転位で結晶性に優れたＩＩＩ族窒化物層群、特にはＡｌを含有する窒化物層群を形成することのできる、新規なエピタキシャル基板、及び形成すべきＩＩＩ族窒化物層群の転位低減方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for growing a group III nitride crystal having a low dislocation density with a non-polar plane as a main plane.例文帳に追加

非極性面を主面とする転位密度が低いＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for growing a group III nitride crystal which reduces the dislocation density of the whole of the crystal to be grown.例文帳に追加

成長させる結晶全体の転位密度が低減するＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法を提供する。 - 特許庁

Since a dislocation line 6 is shielded with the void 5, the GaN group compound semiconductor crystal 20 of high quality is provided.例文帳に追加

転位線６は空洞５で遮断されるため、高品質なＧａＮ系化合物半導体結晶２０が得られる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a group III nitride crystal whose dislocation density is low even if the crystal is grown thickly.例文帳に追加

結晶を厚く成長させても、転位密度が低いＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a self-supporting substrate of nitride III-V group compound semiconductor crystal having a small dislocation density and little warpage.例文帳に追加

転位密度が小さく反りの少ない窒化物系３−５族化合物半導体単結晶の自立基板を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a group III nitride crystal where the group III nitride crystal having a uniform low dislocation density region over a broad area is produced at a low cost.例文帳に追加

広範囲に亘って均一な低転位密度の領域を有するIII族窒化物結晶を低コストで製造できるIII族窒化物結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

It is desirable to subject a Hofmann dislocation reaction to an amide group afterward the grafting treatment in the case of the grafting treatment is performed by a vinyl monomer contained the amide group.例文帳に追加

該グラフト化処理をアミド基含有ビニル単量体によって行う場合は、グラフト化処理に続いてアミド基に対するホフマン転位反応を施すことが好ましい。 - 特許庁

To provide an electrode group forming device for a spiral battery with its electrode group formed by winding a long stretching positive electrode, a separator, and a negative electrode without generating dislocation in winding.例文帳に追加

巻ずれを生じさせることなく、長尺な正極、セパレータ及び負極を巻回して電極群を成形する渦巻き型電池の電極群成形装置を提供する。 - 特許庁

Therefore, the obtained group III nitride crystal layer 3 has a good surface-flatness, and most of the surface vicinity thereof become low-dislocation regions RE2 having a dislocation density of about 1×10^7/cm^2.例文帳に追加

得られるIII族窒化物結晶層３は良好な表面平坦性を有し、かつ、表面近傍の大部分は転移密度が１×１０^7／ｃｍ^2程度の低転位領域ＲＥ２となる。 - 特許庁

To provide a process for producing a large-size Group III nitride crystal in which the dislocation density of at least the surface thereof is wholly low.例文帳に追加

少なくとも表面の転位密度が全面的に低い大型のＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

Moreover, a group III nitride crystal substrate has a dislocation density obtained by the manufacturing method of 1×10^7/cm^2 or less.例文帳に追加

また、上記製造方法により得られた転位密度が１×１０^7個／ｃｍ^2以下のＩＩＩ族窒化物結晶基板。 - 特許庁

To produce a group III nitride single crystal substrate which has low dislocation density and a large area for each crystal face.例文帳に追加

いずれの結晶面についても低転位密度であり大面積であるＩＩＩ族窒化物単結晶基板を製造する。 - 特許庁

To provide a group III nitride crystal substrate having a low dislocation density and a low manufacturing cost, its manufacturing method, and a group III nitride semiconductor device including the group III nitride crystal substrate.例文帳に追加

転位密度が低くかつ製造コストの安いＩＩＩ族窒化物結晶基板およびその製造方法、ならびにそのＩＩＩ族窒化物結晶基板を含むＩＩＩ族窒化物半導体デバイスを提供する。 - 特許庁

To provide a method for growing a Group III nitride crystal in a liquid phase process wherein the dislocation does not increase when the crystal being grown.例文帳に追加

液相法において結晶成長中に転位が増殖しないＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法を提供する。 - 特許庁

The active layer 17 is composed of a GaN group semiconductor containing In, and the dislocation density of the substrate 13 is 1×10^7 cm^-2 or less.例文帳に追加

活性層１７はＩｎを含むＧａＮ系半導体からなり、基板１３の転位密度は１×１０^７ｃｍ^−２以下である。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor epitaxial substrate in which the penetration dislocation to a perpendicular direction is inhibited and the crystal quality is excellent.例文帳に追加

垂直方向への貫通転位が抑制されて、結晶品質が優れたＩＩＩ族窒化物半導体エピタキシャル基板を提供する。 - 特許庁

In this process, in the upper of the part where the second group III nitride-based compound semiconductor 32 is grown laterally in epitaxial manner, propagation of through dislocation which group III nitride-based compound semiconductor layer 31 has is restrained and a region where through dislocation is reduced can be made in the filled steps.例文帳に追加

このとき第２のIII族窒化物系化合物半導体３２が横方向エピタキシャル成長した部分の上部は、III族窒化物系化合物半導体層３１が有する貫通転位の伝搬が抑制され、埋められた段差部分に貫通転位の軽減された領域を作ることができる。 - 特許庁

To provide a group III nitride crystal having a low dislocation density on the crystal growth plane after the crystal is grown and to provide a growing method of the crystal.例文帳に追加

結晶成長後の結晶成長面の転位密度が低いＩＩＩ族窒化物結晶およびその成長方法を提供する。 - 特許庁

To provide a group III nitride crystal in which the through-dislocation density is reduced by a crystal growth method using an alkali metal as a flux.例文帳に追加

アルカリ金属をフラックスとして用いた結晶成長方法によって貫通転位を低減したＩＩＩ族窒化物結晶を提供する。 - 特許庁

To provide a group III nitride crystal substrate having a low dislocation density, a producing method therefor and a semiconductor device having a large luminous intensity.例文帳に追加

転位密度が低いＩＩＩ族窒化物結晶基板およびその製造方法、ならびに発光強度の大きい半導体デバイスを提供する。 - 特許庁