「dislocation group」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for manufacturing a group III nitride substrate having a low dislocation density and a semiconductor device manufactured by the method.例文帳に追加

転位密度が小さいIII族窒化物基板を製造することが可能な製造方法およびそれを用いて製造される半導体装置を提供する。 - 特許庁

This fiber fabric 11 comprises a first fibrous layer 12 formed of a plurality of first fiber bundles 121, a second fibrous layer 13 formed of a plurality of second fiber bundles 131, a group of anti-dislocation threads 14 formed of a plurality of anti-dislocation threads 141 and a group of cramping threads 15 formed of a plurality of cramping threads 151.例文帳に追加

繊維織物１１は、複数の第１繊維束１２１からなる第１繊維層１２と、複数の第２繊維束１３１からなる第２繊維層１３と、複数の抜け止め糸１４１からなる抜け止め糸群１４と、複数の拘束糸１５１からなる拘束糸群１５とから構成されている。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor where the dislocation density of the group III nitride semiconductor is further reduced and at the same time the time required for chemical lift-off is greatly shortened when a self-supporting substrate and a semiconductor element are produced.例文帳に追加

III族窒化物半導体の転位密度の更なる低減と同時に、自立基板製造時および半導体素子製造時のケミカルリフトオフ所要時間の大幅な短縮が可能なIII族窒化物半導体を提供する。 - 特許庁

To provide a method for growing a group III nitride crystal almost free from impurities and having a low dislocation density and good crystallinity; a group III nitride crystal substrate; and a semiconductor device including the same.例文帳に追加

不純物が少なく、かつ、転位密度が低く結晶性のよいＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法、ＩＩＩ族窒化物結晶基板およびＩＩＩ族窒化物結晶基板を含む半導体デバイスを提供する。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor substrate capable of reducing the generation of crack at an Al_bGa_1-bN (0<b≤1)layer on the substrate surface and reducing a dislocation density and to provide a manufacturing method of the group III nitride semiconductor substrate.例文帳に追加

基板表面のＡｌ_ｂＧａ_１−ｂＮ（０<ｂ≦１）層におけるクラックの発生、および転位密度を低減させることができるIII族窒化物半導体基板、III族窒化物半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

By annealing the epitaxial substrate 1 prior to the epitaxial growth of the group-III nitride layer 14, the dislocation density in the group-III nitride layer 14 is reduced half or less than in a case where no annealing is conducted.例文帳に追加

エピタキシャル基板１では、III族窒化物層１４のエピタキシャル成長に先立ってアニール処理を行うことにより、III族窒化物層１４の転位密度をアニール処理を行わなかった場合の半分以下に低下させている。 - 特許庁

The hardness distribution is obtained based on a dislocation density, by determining a lattice distortion from the rotational tensor group obtained from the crystal orientation distribution of a cubic crystal metal measured at 15 nm to 1 μm intervals and by obtaining the dislocation density based on the lattice distortion gradient from the lattice distortion.例文帳に追加

１５ｎｍ〜１μｍ間隔で測定された立方晶金属の結晶方位分布より得た回転テンソル群より格子歪を決定し、前記格子歪より格子歪勾配に基づいて転位密度を求め、前記転位密度に基づいて硬さ分布を求める。 - 特許庁

To provide a self-supported III-V group nitride semiconductor substrate having a sufficiently thick surface layer of low dislocation density and less carrier concentration variation.例文帳に追加

低転位密度であるとともに、キャリア濃度のばらつきが小さい表面層を十分な厚さで有するIII−V族窒化物系半導体の自立基板を提供する。 - 特許庁

To provide a method of evaluating the dislocation density of a group III nitride crystal in a simple and convenient manner using an optical microscope by forming etch pits having a suitable diameter.例文帳に追加

適正な径のエッチピットを形成することにより、光学顕微鏡を用いて簡便にＩＩＩ族窒化物結晶の転位密度の評価ができる方法を提案する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a novel epitaxial substrate and semiconductor laminated structure utilizing the same to form a nitride layers group with low dislocation and excellent in crystallinity.例文帳に追加

低転位で結晶性に優れた窒化物層群を形成することのできる、新規なエピタキシャル基板及びこれを用いた半導体積層構造の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a new epitaxial substrate capable of forming a nitride layer group having low dislocation and high crystallization, and to provide a semiconductor laminate structure using the epitaxial substrate.例文帳に追加

低転位で結晶性に優れた窒化物層群を形成することのできる、新規なエピタキシャル基板及びこれを用いた半導体積層構造を提供する。 - 特許庁

To provide a III-V-group compound crystal substrate and a III-V-group compound crystal film of satisfactory quality which are easily manufactured and have small penetration dislocation, a method for manufacturing them, and a manufacturing method for a device which uses them.例文帳に追加

製造が簡単で貫通転位の少ない良質なＩＩＩ−Ｖ族化合物結晶基板およびＩＩＩ−Ｖ族化合物結晶膜、それらを製造するための方法、およびそれらを用いたデバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing a group III nitride crystal substrate 20 includes a preparation step, a growth step and a removal step, wherein the dislocation density on a surface 20a in the removed side is lower than the dislocation density on a surface 20b opposite from the surface 20a in the removed side.例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物結晶基板２０の製造方法は、準備工程と、成長工程と、除去工程とを備え、除去された側の面２０ａの転位密度が除去された側の面２０ａと反対側の面２０ｂの転位密度よりも低いことを特徴としている。 - 特許庁

The semiconductor light emitting device includes on a substrate 10 a group III-V nitride semiconductor layer 30 composed of a low defect region 30A made of a crystal having first average dislocation density and of a high defect region 30B made of a crystal having a higher second average dislocation density than the first one.例文帳に追加

基板１０上に、第１平均転位密度を有する結晶からなる低欠陥領域３０Ａと、第１平均転位密度より高い第２平均転位密度を有する結晶からなる高欠陥領域３０Ｂとを有するＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層３０を備える。 - 特許庁

To provide a method for producing a group III nitride crystal with a large area and a low dislocation at an increased growth rate.例文帳に追加

大面積で低転位なＩＩＩ族窒化物結晶を製造することができ、かつＩＩＩ族窒化物結晶の成長速度を向上させたＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a self-supported group III-V nitride-based semiconductor substrate having a surface layer with a sufficient thickness, while the surface layer having a low dislocation density and a small variations in carrier concentration.例文帳に追加

低転位密度であるとともに、キャリア濃度のばらつきが小さい表面層を十分な厚さで有するIII−V族窒化物系半導体の自立基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method that can further reduce a dislocation density of group III nitride semiconductor and at the same time can greatly reduce the time required for a chemical lift-off particularly during the independent substrate manufacturing.例文帳に追加

III族窒化物半導体の転位密度の更なる低減と同時に特に自立基板製造時のケミカルリフトオフ所要時間の大幅な短縮が可能な手法を提供する。 - 特許庁

To reduce a dislocation density of a semiconductor element having a laminated structure of a group III nitride-based semiconductor, which can be used as a light-emitting diode, etc., to improve the crystallinity.例文帳に追加

発光ダイオードなどとして用いることのできる、III族窒化物系半導体の積層構造を有する半導体素子の転位密度を低減し、その結晶性を向上させる。 - 特許庁

A group III nitride buffer film 2 of ≤1×10^8/cm^2 in spiral dislocation density containing at least Al is formed on the substrate 1 composed of a sapphire substrate, etc.例文帳に追加

サファイア基板などから構成される基板１上に、らせん転位密度が１×１０^８／ｃｍ^２以下の、少なくともＡｌを含有するIII族窒化物緩衝膜２を形成する。 - 特許庁

To exhibit the predetermined vertical base isolation function by surely deforming a disc spring element in the vertical direction, and by preventing horizontal dislocation of a disc spring group of a disc spring base isolation element of a vertical base isolation device.例文帳に追加

上下免震装置の皿ばね免震要素の皿ばね群の横ずれを防止し、皿ばね要素を上下方向に確実に変形させ、所定の上下免震機能を発揮させる。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor layer capable of effectively preventing through dislocation from occurring in a GaN growth layer and obtaining a high-quality GaN crystal without increasing the number of processes, and to provide a method for growing the group III nitride semiconductor layer.例文帳に追加

ＧａＮ成長層に貫通転位が生じることを効果的に防ぐことができ、工程数を大にすることなく高品質のＧａＮ結晶を得ることのできるIII族窒化物半導体層およびその成長方法を提供する。 - 特許庁

To provide storage equipment for sheet-like members, capable of preventing, regarding a group of trays piled in a plurality of steps, the horizontal dislocation of the trays of the uppermost steps to the tray of the lowest step.例文帳に追加

複数段に亘って積み重ねられたトレイ群の上段側のトレイの最下段のトレイに対する水平方向の位置ずれを防止することのできるシート状部材の保管装置を提供する。 - 特許庁

To obtain a group III nitride-based compound semiconductor light emitting element for emitting UV-rays in which internal quantum efficiency is enhanced and the occurrence of dislocation or crack is prevented or suppressed by relaxing stress in the element.例文帳に追加

紫外線発光の III族窒化物系化合物半導体発光素子において、内部量子効率を向上させ、素子内部の応力を緩和して転位やクラックの発生を防止又は抑制する。 - 特許庁

To provide techniques further reducing dislocation density of a group III nitride semiconductor and significantly reducing the time required for a chemical lift-off process in manufacturing a self-support substrate and manufacturing a semiconductor element.例文帳に追加

III族窒化物半導体の転位密度の更なる低減と同時に、自立基板製造時および半導体素子製造時のケミカルリフトオフ所要時間の大幅な短縮が可能な手法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a group III nitride light-emitting element for generating light having a wavelength longer than 500 nm and preventing deterioration in emission intensity caused by through-dislocation.例文帳に追加

５００ｎｍよりも長波長の光を発生可能であると共に、貫通転位により発光強度の低下を避けることが可能な、III族窒化物発光素子を製造する方法を提供する。 - 特許庁

A group III nitride base layer including at least aluminum and having a dislocation density of 1×10^11/cm^2 or less with 200 seconds or less of a X-ray rocking curve half-value-width on a (002) surface is formed on a predetermined wafer material.例文帳に追加

所定の基材上において、少なくともＡｌを含み、転位密度が１×１０^11／ｃｍ^2以下であり、（００２）面のＸ線ロッキングカーブ半値幅が２００秒以下であるIII族窒化物下地層を形成する。 - 特許庁

A group III nitride base layer including at least alminum and having a dislocation density of 1 X 10^11/cm^2 or less with 200 seconds or less of a X-ray rocking curve half-value-width on a (002) surface is formed on a predetermined wafer material.例文帳に追加

所定の基材上において、少なくともＡｌを含み、転位密度が１×１０^１１／ｃｍ^２以下であり、（００２）面のＸ線ロッキングカーブ半値幅が２００秒以下であるＩＩＩ族窒化物下地層を形成する。 - 特許庁

To provide a self-supporting group-III nitride single-crystal substrate having an average dislocation density of at most 5×10^5 cm^-2 and hard to crack, and to provide a method for producing a semiconductor device using the substrate.例文帳に追加

平均転位密度が５×１０^5ｃｍ^-2以下であり、かつ、割れ難いＩＩＩ族窒化物単結晶自立基板、およびかかるＩＩＩ族窒化物単結晶自立基板を用いた半導体デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

In such a manner, the group-III nitride semiconductor crystal in which a "-c surface" (N polarity surface) is a surface having excellent surface flatness and high crystallinity (tilt components and twist components are both small and a through dislocation density is low) is obtained.例文帳に追加

このようにすると、表面平坦性に優れ且つ高い結晶性（チルト成分とツイスト成分が共に小さくしかも貫通転位密度が低い）を有している「−ｃ面」（Ｎ極性面）を表面とするIII族窒化物半導体結晶が得られる。 - 特許庁

In an operation part 50 regarding vibration proof control, a movement instruction means 54A is provided, which manually adjusts a reference position where the vibration proof lens group 40 is fixed when the vibration proof control stops, and thereby adjusting the reference position of the vibration proof lens group 40, and as a result, the sense of discomfort of the stereoscopic image due to dislocation of an optical axis can be eased.例文帳に追加

防振制御に関する操作部５０には、防振制御の停止時において、防振レンズ群４０が固持される基準位置を手動操作で調整する移動指示手段５４Ａが設けられており、これによって防振レンズ群４０の基準位置を調整することによって光軸のずれによる立体映像の違和感を軽減することができる。 - 特許庁

To make the best use of the properties of a ZrB_2 substrate which is promising as a lattice aligning substrate for a group III nitride semiconductor, and to realize a high quality AlGaN semiconductor layer in which the dislocation density is low over the whole surface for forming an element by the minimum processes.例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物半導体の格子整合基板として有望なＺｒＢ_２基板の性質を最大限引き出し、素子形成面全体の転位密度が小さい高品質のＡｌＧａＮ半導体層を最小限の少ない工程によって実現すること。 - 特許庁

A high quality single crystal wafer of SiC having a polytype selected from a group composed of a 3C, 4H, 6H, 2H and 15R polytypes, a diameter of at least about 75 mm (3 inches) and the 1c screw dislocation density lower than about 2,000 cm^-2 is disclosed.例文帳に追加

３Ｃ、４Ｈ、６Ｈ、２Ｈ、および１５Ｒポリタイプからなる群から選択されるポリタイプであって、少なくとも７５ｍｍ（３インチ）の直径と、約２０００ｃｍ^−２未満の１ｃらせん転位密度とを有する高品質のＳｉＣ単結晶ウェハ。 - 特許庁

In the first nitride semiconductor, an Al content to the total content of a III-group element is 50 atom% or more, its dislocation density if 10^11/cm^2 or less, and a half-value width in an X-ray locking curve on a (002) surface is 200 seconds or less.例文帳に追加

第一の窒化物半導体において、ＩＩＩ属元素の含有量の合計に対するＡｌ含有量が５０原子％以上であり、転位密度が１０^１１／ｃｍ^２以下であり、（００２）面におけるＸ線ロッキングカーブにおける半値幅が２００秒以下である。 - 特許庁

The first nitride semiconductor has an Al content of ≥50 atom% with respect to the sum total of contents of group-III elements, has a dislocation density of ≤10^11/cm^2 and has an X-ray locking curve half width in a (002) plane of ≤200 seconds.例文帳に追加

第一の窒化物半導体において、ＩＩＩ属元素の含有量の合計に対するＡｌ含有量が５０原子％以上であり、転位密度が１０^１１／ｃｍ^２以下であり、（００２）面におけるＸ線ロッキングカーブにおける半値幅が２００秒以下である。 - 特許庁

A layer of a nitride of group III elements containing at least Al having ≤1×10^11/cm^2 dislocation density and ≤200 sec half value width of an X-ray rocking curve in a (002) plane is formed on a base material having ≥600 μm thickness to form the epitaxial substrate.例文帳に追加

厚さが６００μｍ以上の基材上に、転位密度が１×１０^１１／ｃｍ^２以下であり、（００２）面におけるＸ線ロッキングカーブ半値幅が２００秒以下であり、少なくともＡｌを含むＩＩＩ族窒化物層を形成してエピタキシャル基板を作製する。 - 特許庁

The (poly)organosiloxane having an epoxy functional group is alkoxlated without observing an undesired side reaction such as hydrolysis, condensation and dislocation characteristic to a substance group thereof, in the presence of the double metal cyanide catalyst, and further a polymer having a silicone poyether chain is obtained by block-accumulating an epoxy compound such as an alkylene oxide and a glycidyl compound in a terminal position.例文帳に追加

エポキシ官能基を有する（ポリ）オルガノシロキサンを、複合金属シアン化物触媒の存在下で、この物質群の特徴的な加水分解、縮合または転位反応などの望ましくない副反応が観察されることなしにアルコキシル化することができ、さらに、酸化アルキレンなどのエポキシ化合物およびグリシジル化合物を、末端位にブロックで累積させ、シリコーンポリエーテル鎖を有するポリマーが得られる。 - 特許庁

As a result, a crystal grown sidewise from the crystal part 12A is prevented from being in contact with the sapphire substrate 11, and the n-side contact layer 15 and the nitride-based III-V group compound semiconductor crystal have a low density of through dislocation while a fluctuation in crystal orientation is made small.例文帳に追加

結晶部１２Ａから横方向に成長した結晶とサファイア基板１１とが接触することがなく、ｎ側コンタクト層１５およびその上に成長した窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の結晶においては、貫通転位の密度が低く、また結晶方位の揺らぎが少なくなっている。 - 特許庁

To provide a nitride-based group III-V compound semiconductor element which has a high performance by uniformly forming a high quality nitride crystalline layer on a sapphire substrate with less fault such as through dislocation or less cracking, and also to provide a method for manufacturing the element, an epitaxial growth substrate for use in the element manufacturing method, and a method for manufacturing the substrate.例文帳に追加

貫通転移などの欠陥やひび割れが少なく高品質窒化物結晶層をサファイア基板上に均一に形成することにより、高性能な窒化物系III−Ｖ族化合物半導体素子、その製造方法及びその製造に用いるエピタキシャル成長基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Although a material of a cladding layer 21 made of at least one of AlGaN and InAlGaN differs from a group III nitride semiconductor and a thickness D15 of a first epitaxial semiconductor region 15 is larger than a thickness D19 of the core semiconductor region 19, misfit dislocation density on first to third interfaces J1, J2, J3 is not more than 1×10^6 cm^-1.例文帳に追加

ＡｌＧａＮ及びＩｎＡｌＧａＮの少なくともいずれか一方からなるクラッド層２１の材料はIII族窒化物半導体と異なると共に第１のエピタキシャル半導体領域１５の厚さＤ１５がコア半導体領域１９の厚さＤ１９よりも厚いけれども、第１〜第３の界面Ｊ１、Ｊ２、Ｊ３におけるミスフィット転位密度は１×１０^６ｃｍ^−１以下である。 - 特許庁

A material of a cladding layer 21 composed of at least either of AlGaN and InAlGaN is different from a group III nitride semiconductor, and the thickness D15 of a first epitaxial semiconductor region 15 is thicker than the thickness D19 of the core semiconductor region 19, however, the misfit dislocation densities at first to third interfaces J1, J2, and J3 are 1×10^6 cm^-1 or less.例文帳に追加

ＡｌＧａＮ及びＩｎＡｌＧａＮの少なくともいずれか一方からなるクラッド層２１の材料はIII族窒化物半導体と異なると共に第１のエピタキシャル半導体領域１５の厚さＤ１５がコア半導体領域１９の厚さＤ１９よりも厚いけれども、第１〜第３の界面Ｊ１、Ｊ２、Ｊ３におけるミスフィット転位密度は１×１０^６ｃｍ^−１以下である。 - 特許庁